本发明实施例涉及晶体处理技术领域，特别涉及一种晶体处理方法。背景技术：籽晶是pvt（物理气相传输）法生产碳化硅/氮化铝单晶的核心材料，而籽晶的洁净水平决定了生产单晶的质量。目前

• 去离子水
• 乳化液
• 晶体
• 四氧化三铁
• 硅酸钠

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本实用新型涉及云母固液分离纯化技术领域，尤其涉及一种人工合成云母晶体纯化装置。背景技术：人工合成的云母是通过化学原料先通过高温熔融在经过冷却析晶制得的，化学原料在高温中熔融时，

• 云母
• 皮带轮
• 机箱结构
• 晶体
• 过滤网

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本实用新型涉及硫酸锰生产技术领域，尤其涉及硫酸锰高温高压除杂排料装置。背景技术：硫酸锰（化学式mnso4，式量151.00），其一水合物为微红色斜方晶体，相对密度为3.50，熔

• 硫酸锰
• 反应釜
• 晶体

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本实用新型涉及提拉式晶体生长设备技术领域，具体为一种用于提高晶体利用率的保温结构。背景技术：晶体是由大量微观物质单位（原子、离子、分子等）按一定规则有序排列的结构，因此可以从结

• 聚氨酯保温板
• 聚氨酯材料
• 晶体生长
• 晶体
• 支撑座

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本实用新型涉及连续直拉单晶技术领域，具体而言是一种用于连续单晶硅生长的带有孔的容器。背景技术：连续直拉单晶(ccz)工艺技术的明显特点是一边长晶一边化料，从而可以节约普通直拉单

• 单晶硅
• 晶体生长
• 晶体
• 横截面

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本实用新型涉及一种液相提拉晶体生长过程中的放肩过程的晶体形貌调节，特别涉及一种锑化铟晶体生长过程中放肩形貌的调节装置。背景技术：锑化铟晶体在所有已知ⅲ-ⅴ族化合物半导体中具有最

• 分子泵
• 晶体生长
• 晶体
• 高温阀门
• 过程控制

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本实用新型涉及石膏生产设备技术领域，更具体的说是涉及一种高效石膏晶须反应釜。背景技术：石膏晶须是一种α型半水石膏结晶，它可作为增强填充材料，生产α型半水石膏，国内外采用较广的工

• 石膏
• 反应釜
• 晶体

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本发明属于人工晶体技术领域，更具体的说是涉及一种低腐蚀隧道密度人造石英晶体籽晶培育方法。背景技术：石英晶体(俗称水晶)是一种用途广泛的压电功能晶体，利用其q值高、频率～温度特性

• 石英晶体
• 晶体生长
• 晶体
• 人造石
• 矿化作用

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本发明涉及晶体生长领域，是一种大尺寸、高质量bibo晶体熔盐法生长的装置和方法。背景技术：硼酸盐晶体在非线性光学倍频，尤其是紫外、深紫外倍频方面占据极其重要的的地位。三硼酸铋晶

• 晶体生长
• 晶体

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本发明涉及一种vgf法生长单晶的单晶炉结构和温度控制方法，属于半导体材料技术领域。背景技术：随着半导体材料在电子电力、微波射频以及光电子等方向的广泛应用，晶体生长技术成为半导体

• 热电偶
• 晶体生长
• 区域生长
• 晶体

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