一种用于提高晶体利用率的保温结构的制作方法

本实用新型涉及提拉式晶体生长设备技术领域，具体为一种用于提高晶体利用率的保温结构。

背景技术：

晶体是由大量微观物质单位（原子、离子、分子等）按一定规则有序排列的结构，因此可以从结构单位的大小来研究判断排列规则和晶体形态。

提拉炉所用的保温材料为高纯氧化铝制备，在保温材料高温制作及后期高温处理中，保温材料中的微量杂质还是没办法完全处理干净，在晶体的高温提拉过程中，有害杂质在后热室挥发后，后热室内杂质浓度逐渐加大，如果杂质分凝系数极小，杂质将富集在晶体的生长界面附近，浓度达到过饱和状态，杂质将在界面成核，并成长，将以包裹物的形式进入晶体，这些包裹物都是光散射或光吸收的中心；严重影响晶体的可利用率。

针对上述问题，本实用新型提出了一种用于提高晶体利用率的保温结构。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种用于提高晶体利用率的保温结构，具备减少保温组件自身所有的杂质在后热室中的浓度，提高晶体的可利用率，保温效果好的优点，从而解决了背景技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种用于提高晶体利用率的保温结构，包括外壳和保温组件，保温组件设置在外壳的内部，所述外壳包括支撑座、后热室、出气口、晶体本体和上保温盖，支撑座固定安装在外壳的下端，后热室设置在外壳的内部，出气口设置在外壳的下端，晶体本体设置在后热室的内部，上保温盖设置在外壳的上端；

所述保温组件包括外保温罩、内保温罩和钻孔，外保温罩设置在外壳的内部，内保温罩设置在外保温罩的内侧，钻孔设置在内保温罩的外壁。

优选的，所述后热室的内部设置有底板，晶体本体设置在底板的上端。

优选的，所述上保温盖包括连接杆、密封圈和固定螺栓，连接杆固定安装在上保温盖的下端，密封圈设置在连接杆的外壁，连接杆与外壳通过固定螺栓固定安装。

优选的，所述外保温罩采用一种氧化锆材料制成的构件。

优选的，所述内保温罩包括基板、保温棉层、保温砂浆层和聚氨酯保温板，基板设置在内保温罩的最内侧，保温棉层设置在基板和保温砂浆层的中间位置，保温砂浆层设置在保温棉层和聚氨酯保温板的中间位置，聚氨酯保温板设置在内保温罩的最外侧。

优选的，所述连接杆设置有两组，且两组所述的连接杆关于上保温盖的纵向中心线对称分布。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

1、本实用新型提出的一种用于提高晶体利用率的保温结构，通过在内保温罩的外壁用金刚砂钻头钻出一定数量的钻孔，能够破坏内保温罩的外壁致密层，让内保温罩的微量杂质在晶体本体高温提拉过程，能够在后热室以外的区域挥发，能一定数量上减少后热室杂质浓度，以提高晶体本体的可利用率。

2、本实用新型提出的一种用于提高晶体利用率的保温结构，在外壳的内部设置有外保温罩和内保温罩，且外保温罩采用一种氧化锆材料制成的构件，有较好的保温性能，通过设置有保温棉层、保温砂浆层和聚氨酯保温板，使得后热室更稳定，能够提高保温效果，有利于提高晶体本体的质量。

3、本实用新型提出的一种用于提高晶体利用率的保温结构，在上保温盖的下端设置有连接杆，操作人员通过利用连接杆和固定螺栓能够将上保温盖固定安装在外壳的上端，且在连接杆的表面设置有密封圈，能够提高密封效果，防止影响保温效果。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图；

图2为本实用新型的外壳结构示意图；

图3为本实用新型的内保温罩结构示意图；

图4为本实用新型的钻孔结构示意图。

图中：1、外壳；11、支撑座；12、后热室；121、底板；13、出气口；14、晶体本体；15、上保温盖；151、连接杆；152、密封圈；153、固定螺栓；2、保温组件；21、外保温罩；22、内保温罩；221、基板；222、保温棉层；223、保温砂浆层；224、聚氨酯保温板；23、钻孔。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1和图4，一种用于提高晶体利用率的保温结构，包括外壳1和保温组件2，保温组件2设置在外壳1的内部，外壳1包括支撑座11、后热室12、出气口13、晶体本体14和上保温盖15，支撑座11固定安装在外壳1的下端，后热室12设置在外壳1的内部，出气口13设置在外壳1的下端，晶体本体14设置在后热室12的内部，上保温盖15设置在外壳1的上端；保温组件2包括外保温罩21、内保温罩22和钻孔23，外保温罩21设置在外壳1的内部，内保温罩22设置在外保温罩21的内侧，钻孔23设置在内保温罩22的外壁；外保温罩21采用一种氧化锆材料制成的构件；通过在内保温罩22的外壁用金刚砂钻头钻出一定数量的钻孔23，能够破坏内保温罩22的外壁致密层，让内保温罩22的微量杂质在晶体本体14高温提拉过程，能够在后热室12以外的区域挥发，能一定数量上减少后热室12杂质浓度，以提高晶体本体14的可利用率。

请参阅图2，后热室12的内部设置有底板121，晶体本体14设置在底板121的上端；上保温盖15包括连接杆151、密封圈152和固定螺栓153，连接杆151固定安装在上保温盖15的下端，密封圈152设置在连接杆151的外壁，连接杆151与外壳1通过固定螺栓153固定安装；连接杆151设置有两组，且两组所述的连接杆151关于上保温盖15的纵向中心线对称分布；在上保温盖15的下端设置有连接杆151，操作人员通过利用连接杆151和固定螺栓153能够将上保温盖15固定安装在外壳1的上端，且在连接杆151的表面设置有密封圈152，能够提高密封效果，防止影响保温效果。

请参阅图3，内保温罩22包括基板221、保温棉层222、保温砂浆层223和聚氨酯保温板224，基板221设置在内保温罩22的最内侧，保温棉层222设置在基板221和保温砂浆层223的中间位置，保温砂浆层223设置在保温棉层222和聚氨酯保温板224的中间位置，聚氨酯保温板224设置在内保温罩22的最外侧；在外壳1的内部设置有外保温罩21和内保温罩22，且外保温罩21采用一种氧化锆材料制成的构件，有较好的保温性能，通过设置有保温棉层222、保温砂浆层223和聚氨酯保温板224，使得后热室12更稳定，能够提高保温效果，有利于提高晶体本体14的质量。

综上所述：本用于提高晶体利用率的保温结构，通过在内保温罩22的外壁用金刚砂钻头钻出一定数量的钻孔23，能够破坏内保温罩22的外壁致密层，让内保温罩22的微量杂质在晶体本体14高温提拉过程，能够在后热室12以外的区域挥发，能一定数量上减少后热室12杂质浓度，以提高晶体本体14的可利用率，在外壳1的内部设置有外保温罩21和内保温罩22，且外保温罩21采用一种氧化锆材料制成的构件，有较好的保温性能，通过设置有保温棉层222、保温砂浆层223和聚氨酯保温板224，使得后热室12更稳定，能够提高保温效果，有利于提高晶体本体14的质量，在上保温盖15的下端设置有连接杆151，操作人员通过利用连接杆151和固定螺栓153能够将上保温盖15固定安装在外壳1的上端，且在连接杆151的表面设置有密封圈152，能够提高密封效果，防止影响保温效果。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

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