本发明涉及一种晶体生长的热场设备及方法，属于晶体制备技术领域。背景技术：晶体是在物相转变的情况下形成的。物相有三种，即气相、液相和固相。只有晶体才是真正的固体。由气相、液相转变

• 感应加热
• 晶体生长
• 高频感应加热设备
• 法兰连接方式
• 晶体

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本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种低掺n型锑化铟insb晶体掺杂方法。背景技术：insb材料是一种重要的ⅲ-ⅴ族化合物半导体材料，具有极高的电子迁移率、小禁带宽度、以及很小的电

• 晶体生长
• 修正系数
• 晶体

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本发明涉及一种制备铬掺杂单层二硫化钨二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域。背景技术：石墨烯的横空出世开辟了二维材料研究的新领域。一大批新型的二维材料相继进入研究

• 二硫化钨
• 管式炉
• 晶体生长
• 二维材料
• 晶体

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本发明实施例涉及太阳能光伏领域，特别涉及一种硅晶体及其制备方法。背景技术：在太阳能的有效利用中，太阳能光电利用是近些年来发展最快，最具活力的研究领域，其中通过光伏设施有效利用太

• 晶体
• 电阻率

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本发明涉及半导体材料生产技术领域，尤其涉及一种异形pbn和石英组合坩埚。背景技术：垂直温度梯度凝固法(vgf)和垂直布里奇曼法(vb)是目前市场上生产化合物半导体砷化镓(gaa

• 晶体生长
• 石英
• 晶体

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本发明属于氮化铝晶体原料制备技术领域，尤其涉及一种氮化铝晶体生长用多孔原料的制备方法。背景技术：自半导体工业起步以来，材料的更新换代逐步推动者电子、信息产业的发展，半导体器件的

• 晶体生长
• 质量浓度
• 晶体
• 多孔材料
• 激光烧结

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本发明涉及非线性晶体材料技术领域，具体涉及一种大尺寸x轴ktp晶体及其生长方法。背景技术：磷酸钛氧钾(ktiopo4，简称ktp)有着优良的非线性光学性能及电光性能。作为单晶，

• 晶体生长
• 晶体

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本发明属于晶体生长控制技术领域，具体涉及一种适用于晶体生长过程的行波磁场控制方法。背景技术：近年来，晶体生长过程中磁场控制技术的相关研究逐渐受到重视。磁场一般可分为动态磁场和静

• 晶体生长
• 磁场强度
• 电流的磁场
• 晶体
• 科学

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本发明涉及一种导模法生长1英寸柱状氧化镓单晶的方法，属于晶体生长技术领域。背景技术：半导体行业作为对国防工业发展、国家信息安全、国民经济运行有着极其重要影响的行业领域，半导体材

• 晶体生长
• 晶体

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本发明涉及晶体加工技术领域，尤其是涉及一种晶体生产工艺。背景技术：相关技术中，采用ccz(连续提拉法)生产单晶硅通常采用双层坩埚或石英环将熔料区与长晶区隔开。然而，晶体生产过程

• 晶体生长
• 晶体
• 绝热过程

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