专利名称：分离净化的乙二醇碳酸酯的方法技术领域：本发明涉及从含杂质的乙二醇碳酸酯(EGC)中分离净化的EGC的方法，其中含杂质的EGC包含来自制备过程的起始物、副产物和/或催化

• 乙二醇
• 碳酸酯
• 碳酸乙烯酯
• 碳酸
• 晶体

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专利名称：结晶白细胞介素-4的制作方法由T细胞产生的自细胞介素—4(IL—4)最初被描述为一种能辅助刺激活化B细胞增殖的鼠型因子(Howard等，J.Exp.Med.15591

• 白细胞介素
• 白介素2
• 晶体

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[0001]本发明属于晶体硅生长技术领域，具体涉及一种铸造单晶硅籽晶的铺设方法、晶体硅锭及晶体硅锭切割开方方法。背景技术：[0002]在太阳能光伏发电行业中，晶体硅是最广泛使用

• 单晶硅
• 晶体生长
• 晶体硅
• 晶体
• 电池

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本发明涉及晶体加工设备技术领域，尤其是涉及一种晶体生长炉和晶体生产工艺。背景技术：目前，单晶硅的生产主要采用cz(直拉法)和ccz(连续提拉法)生产。相关技术中，对ccz生产单

• 晶体生长
• 晶体

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本发明涉及蓝宝石晶体生长炉技术领域，尤其涉及600kg蓝宝石晶体生长炉。背景技术：蓝宝石晶体硬度很高，为莫氏硬度9级，仅次于最硬的金刚石，它具有很好的透光性，热传导性和电气绝缘

• 晶体生长
• 蓝宝石
• 晶体

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本发明属于激光材料和固体激光技术领域，具体涉及一种稀土掺杂氟硼酸钡钙激光晶体及其制备和实现激光的方法。背景技术：目前采用蓝光ld直接泵浦获得可见激光的晶体主要集中于声子能量较低

• 氟硼酸
• 晶体生长
• 晶体
• 电子跃迁

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本发明属于碳化硅晶体加工技术领域；具体涉及一种碳化硅晶体金刚线多线切割废液中碳化硅粉的回收方法。背景技术：sic衬底材料的加工一般采用对sic单晶金刚线多线切割的方式进行。用多

• 晶体生长
• 晶体
• 压滤机

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本实用新型涉及晶体生长系统，尤其涉及一种新型的晶体连续快速生长装置，属于生产过程设备领域。背景技术：kdp(磷酸二氢钾，kh2po4)型晶体是人们发现最早的一类性能优良的非线性

• 晶体生长
• 晶体
• 配制溶液
• 冷却水
• 饱和度

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本实用新型属于晶体生长领域，涉及一种用于氮化铝单晶生长的大温差装置。背景技术：氮化铝(aln)具有高禁带宽度(6.2ev)、高热导率(340w/(m·k))、高击穿场强(11.

• 水冷壁
• 晶体生长
• 晶体
• 蓝宝石

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本发明涉及晶体炉技术领域，尤其涉及一种基于晶体炉的加热组件结构。背景技术：晶体炉是生产单晶硅、多晶硅、碳化硅的的制造设备。主要由炉体、加热器、计算机控制系统、设备框架、真空抽气

• 支撑杆
• 晶体
• 绝缘接头
• 定位轴线
• 螺母

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