技术领域：本发明属于半导体材料技术领域，具体涉及一种提高氮化铝长晶原料纯度的装置及方法。背景技术：：氮化铝属于第三代半导体材料，它具有高禁带宽度、高热导率、高电子漂移速率、高化

• 石墨
• 坩埚

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本发明涉及表面工程领域，尤其涉及一种改善碳基薄膜耐磨性能的深冷处理工艺。背景技术：随着迅猛发展的现代工业，使得机械装备朝着高精密化、高集成化、高效化迈进，从而对于运动部件的承载

• 石墨
• 富勒烯
• 深冷处理
• 耐磨性
• 石墨结构

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本发明小型全封闭石墨粉真空提纯设施属于石墨产品生产设施领域，特别涉及石墨粉的真空分选设施。背景技术：石墨，一种含高碳元素、抗磨、耐高温、型变小的优质材料。石墨在工业及航天领域广

• 石墨粉
• 石墨
• 真空管
• 控制箱
• 石墨制品

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本发明涉及一种硫化铟纳米球/泡沫石墨烯的制备及电化学检测左旋多巴。背景技术：石墨烯是一种二维晶体，由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料，具有优异的导电性

• 左旋多巴
• 石墨
• 反应釜
• 纳米
• 石墨结构

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本发明涉及石墨烯技术领域，具体涉及一种超临界制备氧化石墨烯的方法。背景技术：氧化石墨烯是一种典型的二维片状结构纳米材料，水平尺寸从几百纳米到几微米甚至更大，但是厚度只有单个或几

• 石墨
• 反应釜
• 氧化剂
• 石墨烯
• 超临界状态

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本发明涉及一种石墨化碳提纯方法，更具体地说，涉及一种酸选择性刻蚀无定型碳提纯石墨化碳材料方法。背景技术：石墨化碳材料由于其独特的结构和物理化学特性在电子器件、传感器、能源储存等

• 石墨
• 石墨结构
• 二维材料
• 反应釜

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本发明涉及石墨烯材料领域，特别是关于一种改质石墨烯的备制方法及改质石墨烯。背景技术：：石墨烯(graphene)是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型的呈蜂巢晶格的平面薄膜，

• 石墨
• 石墨烯
• 石墨结构
• 纳米技术

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本发明属于功能材料技术领域，涉及一种类手风琴状的氧化铈/还原氧化石墨烯复合材料及其制备和应用。背景技术：碳材料包括碳纳米管、碳纤维和石墨烯等都是很好的高导电性的轻质吸波材料。而

• 石墨
• 氧化铈
• 氧化石墨烯
• 溶剂热法
• 复合材料

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本发明涉及一种碳纳米管及碳纳米管的分散液。更详细而言，涉及一种碳纳米管；碳纳米管分散液；包含碳纳米管分散液以及树脂的树脂组合物；包含碳纳米管分散液、树脂以及活性物质的合材浆料；

• 碳纳米管
• 石墨结构
• 石墨
• cm
• 导电性

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本发明涉及纳米材料、光电子、光催化以及储能等领域，尤其涉及一种硫化铋纳米粒子与石墨烯复合材料的制备方法。背景技术：半导体纳米材料是一种电导率介于金属和绝缘体之间的材料，具有独特

• 石墨
• 水合肼
• 纳米粒子
• 氧化石墨烯
• 纳米

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