本实用新型涉及晶圆运输设备技术领域，具体是一种晶圆运输用板车。背景技术：晶圆指制造半导体晶体管或集成电路的衬底(也叫基片)。由于是晶体材料，其形状为圆形，所以称为晶圆。晶圆的衬

• 减震器
• 晶圆

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本发明涉及石墨晶圆制备领域，尤其涉及一种半导体石墨晶圆及其制备方法。背景技术：晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后

• 晶圆
• 石墨
• 氮化硅
• 石墨结构
• 半导体

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本实用新型涉及led晶圆技术领域，尤其是涉及led晶圆切割保护绝缘胶胶带。背景技术：led晶圆是led的核心部分，事实上，led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于

• 绝缘胶
• 晶圆

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本发明涉及粘结领域，具体涉及一种冷却水盘和冷却管的粘结方法。背景技术：目前，在半导体芯片制造过程中，晶圆表面温度需得到控制，因此冷却水盘的使用很有必要。目前一种不锈钢管型冷却水

• 冷却水
• 电解抛光
• 晶圆

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本发明涉及一种蚀刻液及其制备方法和应用领域，特别涉及一种可以对晶圆上铝铜合金湿法蚀刻过程中生成的薄薄的氧化硅层进行选择性蚀刻的蚀刻液及其应用和使用方法。背景技术：晶圆作为生产集

• 氮化硅
• 晶圆
• 氟硼酸
• 氧化硅
• 蚀刻加工

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本发明涉及例如在制造半导体集成电路时使用的切割带、和具备该切割带的切割芯片接合薄膜。背景技术：以往，已知有在半导体集成电路的制造中使用的切割芯片接合薄膜。这种切割芯片接合薄膜例

• 异氰酸酯
• 晶圆
• 火焰切割
• 剥离强度
• 不饱和树脂

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本实用新型涉及半导体切割技术领域，具体涉及为一种晶圆切割用保护膜。背景技术：晶圆指制造半导体晶体管或集成电路的衬底。激光切割是利用经聚焦的高功率密度激光束照射工件，使被照射的材

• 晶圆
• 红外技术
• 纳米粒子

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关联申请的相互参照本申请主张日本特愿2019-128946号的优先权，通过引用而被并入本申请说明书的记载。本发明涉及芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜。背景技术：：以往，已知在半导

• 半导体
• 芯片
• 剪切试验
• 晶圆

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本发明涉及一种碳掺杂单晶硅晶圆及其制造方法。背景技术：作为用于制造半导体器件的基板，单晶硅晶圆被广泛使用。此外，已知为了吸除在半导体器件的制造工序中混入的金属杂质，对单晶硅晶圆

• 单晶硅
• 晶圆
• 晶体生长
• rta

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本实用新型涉及硅外延设备技术领域，特别是涉及一种硅外延腔室。背景技术：硅外延工艺一般在高温下进行，通过对晶圆进行热处理操作从而在其表面生长外延层，在此过程中，晶圆整体温度的均匀

• 晶圆

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