芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜的制作方法

关联申请的相互参照本申请主张日本特愿2019-128946号的优先权，通过引用而被并入本申请说明书的记载。本发明涉及芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜。
背景技术：
：以往，已知在半导体装置的制造中，为了得到芯片接合用的半导体芯片，使用切割芯片接合薄膜。前述切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、和以可剥离的方式层叠于该切割带的前述粘合剂层上的芯片接合层(例如，专利文献1)。作为使用前述切割芯片接合薄膜来得到芯片接合用的半导体芯片(die)的方法，已知采用具有如下工序的方法：半切割工序，为了通过割断处理将半导体晶圆加工为芯片(die)而在半导体晶圆上形成槽，进而对半导体晶圆进行磨削而减薄厚度；背面研磨工序，对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而减薄厚度；安装工序，将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如，与电路面处于相反侧的面)贴附于芯片接合层从而将半导体晶圆固定于切割带；扩展工序，使经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔扩大；切口维持工序，维持半导体芯片彼此的间隔；拾取工序，将芯片接合层与粘合剂层之间剥离，在贴附有芯片接合层的状态下取出半导体芯片；和芯片接合工序，将贴附有芯片接合层的状态的半导体芯片粘接于被粘物(例如安装基板等)。将如上操作得到的芯片接合用的半导体芯片在加热条件下(例如，120℃)下层叠。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-185591号公报技术实现要素：发明要解决的问题将经割断的芯片接合用的半导体芯片(也称为带芯片接合层的半导体芯片)在加热条件下、例如以沿着同一方向每个错开规定距离而成为阶梯状的方式层叠，但在该层叠时，有时芯片接合层从半导体芯片的表面剥离。此外，在如上所述的得到芯片接合用的半导体芯片的方法中，由于通常使用截面视时具有比较平坦的表面的半导体晶圆，因此经割断的芯片接合用的半导体芯片在截面视时大多具有比较平坦的表面，但有时得到截面视时具有含有多个曲折部位的表面(例如，截面视时发生起伏那样的表面)的芯片接合用的半导体芯片。而且，对于上述层叠时芯片接合层自半导体芯片的表面的剥离，在截面视时具有含有多个曲折部位的表面的芯片接合用的半导体芯片中变得更显著。因此，本发明的课题在于，提供在加热条件下的层叠时比较难以从半导体芯片的表面剥离的芯片接合薄膜、及芯片接合层由前述芯片接合薄膜构成的切割芯片接合薄膜。用于解决问题的方案本发明的芯片接合薄膜在120℃下的剪切损耗模量为0.03mpa以上且0.09mpa以下。对于前述芯片接合薄膜，优选在180℃下的剪切损耗模量为0.01mpa以上且0.05mpa以下。对于前述芯片接合薄膜，优选180℃下的前述芯片接合薄膜的剪切损耗模量相对于120℃下的前述芯片接合薄膜的剪切损耗模量的比为0.5以上且0.8以下。对于前述芯片接合薄膜，优选对裸晶圆的120℃下的剪切粘接力为0.1mpa以上且0.4mpa以下，对裸晶圆的180℃下的剪切粘接力为0.05mpa以上且0.3mpa以下。对于前述芯片接合薄膜，优选在室温下在900hz下的通过动态粘弹性测定得到的弹性模量为1gpa以上且不足3gpa。对于前述芯片接合薄膜，优选具有热固化性，在175℃下固化1小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时后的吸湿率为1质量％以下。对于前述芯片接合薄膜，优选具有热固化性，在175℃下固化1小时后的130℃下的拉伸储能模量为0.2mpa以上且1.0mpa以下。对于前述芯片接合薄膜，优选具有热固化性，在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时后的对裸晶圆的剪切粘接力为15mpa以上，在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时后的对裸晶圆的剪切粘接力相对于在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露前的对裸晶圆的剪切粘接力的比为0.6以上。本发明的切割芯片接合薄膜具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带；和层叠在前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，前述芯片接合层由上述任意种芯片接合薄膜构成。附图说明图1为示出本发明的一实施方式的切割芯片接合薄膜的构成的截面图。图2的a为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的半切割加工的情形的截面图。图2的b为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的半切割工序的情形的截面图。图2的c为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨工序的情形的截面图。图2的d为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的背面研磨工序的情形的截面图。图3的a为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的情形的截面图。图3的b为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的安装工序的情形的截面图。图4的a为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情形的截面图。图4的b为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情形的截面图。图4的c为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的低温下的扩展工序的情形的截面图。图5的a为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的情形的截面图。图5的b为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的常温下的扩展工序的情形的截面图。图6为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的切口维持工序的情形的截面图。图7为示意性地示出半导体集成电路的制造方法中的拾取工序的情形的截面图。附图标记说明1基材层2粘合剂层3芯片接合层10切割带20切割芯片接合薄膜g背面研磨带h保持件j吸附夹具p销构件r切割环t晶圆加工用带u顶起构件w半导体晶圆具体实施方式以下，对本发明的一实施方式进行说明。[芯片接合薄膜]本实施方式的芯片接合薄膜在120℃下的剪切损耗模量为0.03mpa以上且0.09mpa以下。本实施方式的芯片接合薄膜用于将多个半导体芯片彼此层叠。需要说明的是，基于芯片接合薄膜的多个半导体芯片彼此的层叠通常在120℃下进行，利用芯片接合薄膜来层叠的多个半导体芯片通常在180℃下进行树脂密封(模制成形)。即，芯片接合薄膜通常在多个半导体芯片彼此的层叠时暴露于120℃的温度、在树脂密封(模制成形)时暴露于180℃的温度。120℃下的剪切损耗模量可以如下来得到：测定对冲裁成φ7.5mm×1mm的圆柱状的芯片接合薄膜的一个圆状面在温度120℃下赋予频率1hz的剪切振动时传递至另一圆状面的剪切振动，对测定值进行解析，由此得到。上述的剪切损耗模量的测定及测定值的解析可以使用粘弹性测定装置(例如，rheometricscientific公司制、型号ares)来进行。本实施方式的芯片接合薄膜优选180℃下的剪切损耗模量为0.01mpa以上且0.05mpa以下。对于180℃下的剪切损耗模量，将温度设为180℃，除此以外，可以与上述同样地操作来进行测定。本实施方式的芯片接合薄膜优选180℃下的剪切损耗模量相对于120℃下的剪切损耗模量的比为0.5以上且0.8以下。芯片接合薄膜优选对裸晶圆的120℃下的剪切粘接力为0.1mpa以上且0.4mpa以下，对裸晶圆的180℃下的剪切粘接力为0.05mpa以上且0.3mpa以下。120℃下的剪切粘接力可以如下来测定：在温度120℃、速度10mm/s、压力0.15mpa的条件下将芯片接合层贴附于厚度0.5mm、3mm×3mm的裸芯片(将裸晶圆割断而得到者)，制成试验片，使用剪切试验机(dage公司制、dage4000)对前述试验片采用测定速度500μm/s、测定间隙100μm、工作台温度120℃的条件，由此进行测定。需要说明的是，上述测定在将样品放置于测定工作台约20秒后进行。对于180℃下的剪切粘接力，将工作台温度设为180℃，除此以外，可以与上述同样地操作来进行测定。芯片接合薄膜优选在室温(23℃)下在900hz下的通过动态粘弹性测定得到的弹性模量为1gpa以上且不足3gpa。在室温下在900hz下的通过动态粘弹性测定得到的固化前的弹性模量可以如下来得到：使用动态粘弹性装置(レオロジ社制、rheogel-e4000)，以自动静载荷模式在升温速度5℃/分钟的条件下在-50℃～100℃对固化前的芯片接合层进行测定，由此得到。芯片接合薄膜优选具有热固化性。通过使芯片接合薄膜包含热固化性树脂及具有热固化性官能团的热塑性树脂中的至少一者，能够对芯片接合薄膜赋予热固化性。芯片接合薄膜具有热固化性的情况下，芯片接合薄膜优选在175℃下固化1小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时后的吸湿率为1质量％以下。上述吸湿率可以通过求出在175℃下固化1小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露前与在175℃下固化1小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时后的质量变化来算出。芯片接合薄膜具有热固化性的情况下，芯片接合薄膜优选在175℃下固化1小时后的130℃下的拉伸储能模量为0.2mpa以上且1.0mpa以下。在175℃下固化1小时后的130℃下的拉伸储能模量使用固体粘弹性测定装置(例如，型号rsaiii、rheometricscientific株式会社制)来进行测定。详细而言，从在175℃下固化1小时后的芯片接合层切出长度40mm(测定长度)、宽度10mm的试验片，使用固体粘弹性测定装置(例如，型号rsaiii、rheometricscientific株式会社制)，在频率1hz、升温速度10℃/分钟、卡盘间距离22.5mm的条件下在-30～280℃的温度范围内测定前述试验片的拉伸储能模量。此时，可以通过读取130℃下的值来求出。芯片接合薄膜具有热固化性的情况下，芯片接合薄膜优选的是，在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时后的对裸晶圆的剪切粘接力为15mpa以上，在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时后的对裸晶圆的剪切粘接力相对于在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露前的对裸晶圆的剪切粘接力的比为0.6以上。另外，芯片接合薄膜优选在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露后的对裸晶圆的剪切粘接力为50mpa以下。进而，芯片接合薄膜优选在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时后的对裸晶圆的剪切粘接力相对于在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露前的对裸晶圆的剪切粘接力的比为0.9以下。在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时后的对裸晶圆的剪切粘接力可以如下来测定：在上述条件下将芯片接合薄膜贴附于裸晶圆，在175℃下固化5小时，在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时，将所得物体作为试验片，使用剪切试验机(dage公司制、dage4000)，对前述试验片采用测定速度500μm/s、测定间隙100μm、工作台温度23℃的条件，由此进行测定。需要说明的是，上述测定在将样品放置于测定工作台约20秒后进行。另外，对于在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时前的对裸晶圆的剪切粘接力，可以在上述条件下将芯片接合薄膜贴附于裸晶圆，在175℃下固化5小时，将所得物体作为试验片，除此以外，与上述同样地操作来进行测定。芯片接合薄膜包含热固化性树脂的情况下，作为这样的热固化性树脂，可列举出环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、热固化性聚酰亚胺树脂等。上述热固化性树脂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。从具有会导致作为被粘物的半导体芯片腐蚀的离子性杂质等的含量少的倾向的观点出发，作为上述热固化性树脂，优选环氧树脂。另外，作为环氧树脂的固化剂，优选酚醛树脂。作为上述环氧树脂，例如，可列举出双酚a型、双酚f型、双酚s型、溴化双酚a型、氢化双酚a型、双酚af型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙内酰脲型、三羟基苯基甲烷型、缩水甘油胺型的环氧树脂等。其中，从与作为固化剂的酚醛树脂的反应性充分、并且耐热性优异的方面出发，优选酚醛清漆型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四酚基乙烷型环氧树脂。作为可以用作环氧树脂的固化剂的酚醛树脂，例如，可列举出酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂、聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。作为酚醛清漆型酚醛树脂，例如，可列举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等。上述酚醛树脂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。其中，在用作作为芯片接合用粘接剂的环氧树脂的固化剂的情况下，从有提高该粘接剂的连接可靠性的倾向的观点出发，优选苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂。芯片接合薄膜包含环氧树脂和作为该环氧树脂的固化剂的酚醛树脂的情况下，从使环氧树脂与酚醛树脂的固化反应充分进行的观点出发，优选以相对于环氧树脂中的环氧基1当量、该酚醛树脂中的羟基为0.5当量以上且2.0当量以下的量来包含酚醛树脂，更优选以为0.7当量以上且1.5当量以下的量来包含。对于芯片接合薄膜中的上述热固化性树脂的含有比例，从在芯片接合薄膜中适当地表现作为上述热固化型粘接剂的功能的观点出发，相对于芯片接合薄膜的总质量，优选为5质量％以上且60质量％以下、更优选为10质量％以上且50质量％以下。芯片接合薄膜包含具有热固化性官能团的热塑性树脂的情况下，作为这样的热塑性树脂，例如，可以使用含热固化性官能团的丙烯酸类树脂。该含热固化性官能团的丙烯酸类树脂优选为包含源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为以质量比例计最多的单体单元的聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。作为热固化性官能团，例如，可列举出缩水甘油基、羧基、羟基、异氰酸酯基等。其中，优选缩水甘油基、羧基。即，作为含热固化性官能团的丙烯酸类树脂，特别优选含缩水甘油基的丙烯酸类树脂、含羧基丙烯酸类树脂。另外，芯片接合层包含含热固化性官能团的丙烯酸类树脂的情况下，优选包含固化剂。作为上述固化剂，例如，可列举出多酚系化合物。芯片接合薄膜在包含上述热固化性树脂的基础上还可以包含热塑性树脂。作为热塑性树脂，例如，可列举出天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺6、聚酰胺6,6等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、pet、pbt等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂等。上述热塑性树脂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。作为上述热塑性树脂，从离子性杂质少、并且耐热性高因而容易确保基于芯片接合层的连接可靠性的观点出发，优选丙烯酸类树脂。上述丙烯酸类树脂优选为包含源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元作为以质量比例计最多的单体单元的聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯、及(甲基)丙烯酸芳基酯等。上述丙烯酸类树脂可以包含源自可与(甲基)丙烯酸酯共聚的其他成分的单体单元。作为上述其他成分，例如，可列举出含羧基单体、酸酐单体、含羟基单体、含缩水甘油基单体、含磺酸基单体、含磷酸基单体、丙烯酰胺、丙烯腈等含官能团的单体、各种多官能性单体等。从芯片接合层中实现高的内聚力的观点出发，上述丙烯酸类树脂优选为(甲基)丙烯酸酯(特别是烷基的碳数为4以下的(甲基)丙烯酸烷基酯)与含羧基单体与含氮原子单体与多官能性单体(特别是多缩水甘油基系多官能单体)的共聚物，更优选为丙烯酸乙酯与丙烯酸丁酯与丙烯酸与丙烯腈与(甲基)丙烯酸多缩水甘油酯的共聚物。芯片接合薄膜在上述热固化性树脂的基础上还包含上述热塑性树脂的情况下，上述热塑性树脂的含有比例相对于芯片接合薄膜中的除了填料以外的有机成分(例如，热固化性树脂、热塑性树脂、固化催化剂、硅烷偶联剂、染料)的总质量优选为30质量％以上且70质量％以下、更优选为40质量％以上且60质量％以下、进一步优选为45质量％以上且55质量％以下。芯片接合薄膜优选包含填料。通过包含填料，从而能够调整导电性、导热性、及弹性模量等各种物性。作为填料，可列举出无机填料及有机填料，特别优选无机填料。作为无机填料，例如，可列举出氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、钙氧化物、镁氧化物、铝氧化物、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶质二氧化硅、非晶质二氧化硅、以及铝、金、银、铜、镍等金属单质、合金、无定形炭黑、石墨等。填料可以具有球状、针状、片状等各种形状。上述填料可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。上述填料的平均粒径优选为0.005μm以上且10μm以下、更优选为0.05μm以上且1μm以下。通过使平均粒径为0.005μm以上，从而能够提高对半导体芯片等被粘物的润湿性、粘接性。通过使平均粒径为10μm以下，从而能够确保耐热性。填料的平均粒径例如可以使用光度式粒度分布计(例如，商品名“la-910”。horiba,ltd.制)来求出。芯片接合薄膜包含填料的情况下，上述填料的含有比例相对于芯片接合薄膜的总质量优选为30质量％以上且70质量％以下、更优选为40质量％以上且60质量％以下、进一步优选为42质量％以上且55质量％以下。芯片接合薄膜根据需要可以包含除上述以外的其他成分。作为除上述以外的其他成分，可列举出固化催化剂、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕捉剂、染料等。作为上述阻燃剂，例如，可列举出三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。作为上述硅烷偶联剂，例如，可列举出β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。作为上述离子捕捉剂，例如，可列举出水滑石类、氢氧化铋、苯并三唑等。上述其他成分可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。芯片接合薄膜的厚度(层叠体的情况下为总厚度)没有特别限定，例如为1μm以上且200μm以下。厚度的上限优选为100μm、更优选为80μm。厚度的下限优选为3μm、更优选为5μm。对于芯片接合薄膜的厚度，例如可以通过使用千分表(peacock公司制、型号r-205)对随机选择的5点的厚度进行测定并对这些厚度进行算术平均来求出。芯片接合薄膜的玻璃化转变温度(tg)优选为0℃以上、更优选为10℃以上。通过使玻璃化转变温度为0℃以上，从而在低温(例如，-15℃～5℃)下能够较容易地将芯片接合薄膜割断。芯片接合薄膜的玻璃化转变温度的上限例如为100℃。作为芯片接合薄膜，可列举出包含单层的芯片接合薄膜的芯片接合薄膜。需要说明的是，本说明书中，单层是指由同一组成形成的层，包括多个由同一组成形成的层层叠而成的构成。芯片接合薄膜不限定于单层，也可以为组成不同的两种以上层进行层叠而成的多层结构。[切割芯片接合薄膜]接着，参照图1对本实施方式的切割芯片接合薄膜20进行说明。如图1所示，本实施方式的切割芯片接合薄膜20具备：在基材层1上层叠有粘合剂层2的切割带10、和层叠于切割带10的粘合剂层2上的芯片接合层3。本实施方式的切割芯片接合薄膜20的芯片接合层3由上述实施方式的芯片接合薄膜构成。切割芯片接合薄膜20中，半导体晶圆被贴附于芯片接合层3上。使用切割芯片接合薄膜20的半导体晶圆的割断中，与半导体晶圆一起芯片接合层3也被割断。芯片接合层3被割断成与单片化了的多个半导体芯片的尺寸相当的大小。由此，能够得到带芯片接合层3的半导体芯片。基材层1用于支撑粘合剂层2。基材层1包含树脂。作为基材层1中包含的树脂，可列举出聚烯烃、聚酯、聚氨酯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯基硫醚、氟树脂、纤维素系树脂、及有机硅树脂等。作为聚烯烃，例如，可列举出α-烯烃的均聚物、2种以上α-烯烃的共聚物、嵌段聚丙烯、无规聚丙烯、1种或2种以上的α-烯烃与其他乙烯基单体的共聚物等。作为α-烯烃的均聚物，优选为碳数2以上且12以下的α-烯烃的均聚物。作为这样的均聚物，可列举出乙烯、丙烯、1-丁烯、4-甲基-1-戊烯等。作为2种以上α-烯烃的共聚物，可列举出乙烯/丙烯共聚物、乙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/丙烯/1-丁烯共聚物、乙烯/碳数5以上且12以下的α-烯烃共聚物、丙烯/乙烯共聚物、丙烯/1-丁烯共聚物、丙烯/碳数5以上且12以下的α-烯烃共聚物等。作为1种或2种以上的α-烯烃与其他乙烯基单体的共聚物，可列举出乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(eva)等。聚烯烃可以为被称为α-烯烃系热塑性弹性体的物质。作为α-烯烃系热塑性弹性体，可列举出组合丙烯·乙烯共聚物和丙烯均聚物而成者、或丙烯·乙烯·碳数4以上的α-烯烃三元共聚物。作为α-烯烃系热塑性弹性体的市售品，例如，可列举出作为丙烯系弹性体树脂的vistamaxx3980(exxonmobilchemicalcompany制)。基材层1可以包含1种前述的树脂，也可以包含2种以上前述的树脂。需要说明的是，粘合剂层2包含后述紫外线固化粘合剂的情况下，基材层1优选构成为具有紫外线透过性。基材层1可以为单层结构，也可以为层叠结构。基材层1可以通过无拉伸成形而得到，也可以通过拉伸成形而得到，优选通过拉伸成形而得到。基材层1为层叠结构的情况下，基材层1优选具有包含弹性体的层(以下，称为弹性体层)和包含非弹性体的层(以下，称为非弹性体层)。通过使基材层1具有弹性体层和非弹性体层，从而能够使弹性体层作为缓和拉伸应力的应力缓和层而发挥作用。即，能够使在基材层1产生的拉伸应力较小，因此能够使基材层1具有适度的硬度、并且比较容易伸长。由此，能够提高从半导体晶圆向多个半导体芯片的割断性。另外，能够抑制在扩展工序中的割断时基材层1发生破裂而破损。需要说明的是，本说明书中，弹性体层是指室温下的拉伸储能模量比非弹性体层低的低弹性模量层。作为弹性体层，可列举出室温下的拉伸储能模量为10mpa以上且100mpa以下的层，作为非弹性体层，可列举出室温下的拉伸储能模量为200mpa以上且500mpa以下的层。弹性体层可以包含1种弹性体，也可以包含2种以上的弹性体，优选包含α-烯烃系热塑性弹性体。非弹性体层可以包含1种非弹性体，也可以包含2种以上的非弹性体，优选包含后述的茂金属pp。基材层1具有弹性体层和非弹性体层的情况下，基材层1优选形成为以弹性体层为中心层、在该中心层的彼此相对的两面具有非弹性体层的三层结构(非弹性体层/弹性体层/非弹性体层)。另外，如前面所述，切口维持工序中，对在室温(例如23℃)下维持扩展状态的前述切割芯片接合薄膜吹热风(例如，100～130℃)而使前述切割芯片接合薄膜热收缩后，进行冷却固化，因此基材层1的最外层优选包含熔点与吹向切割带的热风的温度接近的树脂。由此，能够更迅速地使通过吹热风而熔融的最外层固化。其结果，切口维持工序中，能够更充分地维持切口。基材层1为弹性体层与非弹性体层的层叠结构、弹性体层包含α-烯烃系热塑性弹性体、并且非弹性体层包含后述的茂金属pp等聚烯烃的情况下，弹性体层优选相对于形成该弹性体层的弹性体的总质量包含α-烯烃系热塑性弹性体50质量％以上且100质量％以下、更优选包含70质量％以上且100质量％以下、进一步优选包含80质量％以上且100质量％以下、特别优选包含90质量％以上且100质量％以下，包含95质量％以上且100质量％以下是最佳的。通过以前述范围包含α-烯烃系热塑性弹性体，从而弹性体层与非弹性体层的亲和性变高，因此能够比较容易地将基材层1挤出成形。另外，能够使弹性体层作为应力缓和层而发挥作用，因此能够效率良好地将芯片接合层3及贴附于芯片接合层3的半导体晶圆割断。基材层1为弹性体层与非弹性体层的层叠结构的情况下，基材层1优选通过将弹性体和非弹性体共挤出从而形成弹性体层与非弹性体层的层叠结构的共挤出成形来得到。作为共挤出成形，可以采用薄膜、片等的制造中通常进行的任意适当的共挤出成形。共挤出成形中，从能够效率良好且廉价地得到基材层1的方面出发，优选采用吹塑法、共挤出t模法。通过共挤出成形得到呈层叠结构的基材层1的情况下，前述弹性体层及前述非弹性体层以加热而熔融的状态接触，因此优选前述弹性体及前述非弹性体的熔点差小。通过使熔点差小，从而可抑制对呈低熔点的前述弹性体或前述非弹性体中的任意者施加过度的热，因此能够抑制因呈低熔点的前述弹性体或前述非弹性体中的任意者发生热劣化而生成副产物。另外，还能够抑制因呈低熔点的前述弹性体或前述非弹性体中的任意者的粘度过度降低而在前述弹性体层与前述非弹性体层之间发生层叠不良。前述弹性体及前述非弹性体的熔点差优选为0℃以上且70℃以下、更优选为0℃以上且55℃以下。前述弹性体及前述非弹性体的熔点可以通过差示扫描量热(dsc)分析来测定。例如，可以使用差示扫描量热计装置(tainstrumentsinc.制、型号dscq2000)，在氮气气流下、以5℃/分钟的升温速度升温至200℃，求出吸热峰的峰温度，由此来测定。基材层1的厚度优选为55μm以上且195μm以下、更优选为55μm以上且190μm以下、进一步优选为55μm以上且170μm以下，最佳的为60μm以上且160μm以下。通过将基材层1的厚度设为前述的范围，从而能够效率良好地制造切割带，并且，能够效率良好地将芯片接合层3及贴附于芯片接合层3的半导体晶圆割断。对于基材层1的厚度，例如可以通过使用千分表(peacock公司制、型号r-205)对随机选择的5点的厚度进行测定并对这些厚度进行算术平均来求出。层叠有弹性体层和非弹性体层的基材层1中，非弹性体层的厚度相对于弹性体层的厚度的比优选为1/25以上且1/3以下、更优选为1/25以上且1/3.5以下、进一步优选为1/25以上且1/4以下、特别优选为1/22以上且1/4以下、最佳的为1/20以上且1/4以下。通过将非弹性体层的厚度相对于弹性体层的厚度的比设为前述范围，从而能够效率良好地将芯片接合层3及贴附于芯片接合层3的半导体晶圆割断。弹性体层可以为单层(1层)结构，也可以为层叠结构。弹性体层优选为1层～5层结构、更优选为1层～3层结构、进一步优选为1层～2层结构、最佳的为1层结构。弹性体层为层叠结构的情况下，可以全部层包含相同弹性体、也可以至少2层包含不同的弹性体。非弹性体层可以为单层(1层)结构，也可以为层叠结构。非弹性体层优选为1层～5层结构、更优选为1层～3层结构、进一步优选为1层～2层结构、最佳的为1层结构。非弹性体层为层叠结构的情况下，可以全部层包含相同非弹性体，也可以至少2层包含不同的非弹性体。非弹性体层优选包含作为利用茂金属催化剂得到的聚合产物的聚丙烯树脂(以下，称为茂金属pp)来作为非弹性体。作为茂金属pp，可列举出作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃共聚物。通过使非弹性体层包含茂金属pp，从而能够效率良好地制造切割带，并且能够效率良好地将芯片接合层3及贴附于芯片接合层3的半导体晶圆割断。需要说明的是，作为市售的茂金属pp，可列举出wintecwxk1233、wintecwmx03(均为japanpolypropylenecorporation制)。此处，茂金属催化剂为包含周期表第4族的过渡金属化合物(所谓的茂金属化合物)、和可与茂金属化合物反应而将该茂金属化合物活化为稳定的离子态的助催化剂的催化剂，所述周期表第4族的过渡金属化合物包含具有环戊二烯基骨架的配体，所述茂金属催化剂根据需要而包含有机铝化合物。茂金属化合物为能够进行丙烯的立构规整聚合的交联型的茂金属化合物。前述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃共聚物中，优选作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物，前述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物中，优选选自作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/碳数2的α-烯烃无规共聚物、作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/碳数4的α-烯烃无规共聚物、及作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/碳数5的α-烯烃无规共聚物中的丙烯/α-烯烃无规共聚物，这些之中，作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/乙烯无规共聚物是最佳的。对于前述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物，从与前述弹性体层的共挤出成膜性、及贴附于切割薄膜的半导体晶圆的割断性的观点出发，优选熔点为80℃以上且140℃以下、特别是100℃以上且130℃以下。前述作为茂金属催化剂的聚合产物的丙烯/α-烯烃无规共聚物的熔点可以通过前述的方法来测定。此处，若前述弹性体层配置于基材层1的最外层，则在将基材层1制成卷状体的情况下，配置于最外层的前述弹性体层彼此变得容易粘连(变得容易粘在一起)。因此，变得难以使基材层1从卷状体退卷。与此相对，前述的层叠结构的基材层1的优选方式中，由于是非弹性体层/弹性体层/非弹性体层、即在最外层配置有非弹性体层，因此这样的方式的基材层1的耐粘连性优异。由此，能够抑制使用了切割芯片接合薄膜20的半导体装置的制造因粘连而延迟。前述非弹性体层优选包含具有100℃以上且130℃以下的熔点、并且分子量分散度(质均分子量/数均分子量)为5以下的树脂。作为这样的树脂，可列举出茂金属pp。通过使前述非弹性体层包含如前述那样的树脂，从而在切口维持工序中能够更迅速地将非弹性体层冷却固化。因此，能够更充分地抑制在使切割薄膜热收缩后基材层1发生收缩。由此，在切口维持工序中能够更充分地维持切口。粘合剂层2含有粘合剂。粘合剂层2通过粘合来保持作为芯片接合层3的切割薄膜。作为前述粘合剂，可列举出在切割芯片接合薄膜20的使用过程中能够通过来自外部的作用而使粘合力降低的粘合剂(以下，称为粘合降低型粘合剂)。作为粘合剂使用粘合降低型粘合剂的情况下，在切割芯片接合薄膜20的使用过程中，可以分为粘合剂层2表现出相对较高的粘合力的状态(以下，称为高粘合状态)和表现出相对较低的粘合力的状态(以下，称为低粘合状态)来使用。例如，将芯片接合层3及贴附于芯片接合层3的半导体晶圆供于割断时，为了抑制通过割断而被单片化的多个芯片接合层3从粘合剂层2浮起或发生剥离，利用高粘合状态。与此相对，在芯片接合层3及贴附于芯片接合层3的半导体晶圆的割断后，为了拾取单片化了的多个带芯片接合层的半导体芯片，为了容易从粘合剂层2拾取多个带芯片接合层的半导体芯片，利用低粘合状态。作为前述粘合降低型粘合剂，例如，可列举出在切割芯片接合薄膜20的使用过程中可通过辐射线照射而进行固化的粘合剂(以下，称为辐射线固化粘合剂)。作为前述辐射线固化粘合剂，例如，可列举出通过照射电子束、紫外线、α射线、β射线、γ射线、或x射线而进行固化的类型的粘合剂。这些之中，优选使用通过照射紫外线而进行固化的粘合剂(紫外线固化粘合剂)。作为前述辐射线固化粘合剂，例如，可列举出添加型的辐射线固化粘合剂，其包含丙烯酸系聚合物等基础聚合物、和具有辐射线聚合性的碳-碳双键等官能团的辐射线聚合性单体成分、辐射线聚合性低聚物成分。作为前述丙烯酸系聚合物，可列举出包含源自(甲基)丙烯酸酯的单体单元的丙烯酸系聚合物。作为(甲基)丙烯酸酯，例如，可列举出(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸环烷基酯及(甲基)丙烯酸芳基酯等。粘合剂层2可以包含外部交联剂。作为外部交联剂，只要能够与作为基础聚合物的丙烯酸系聚合物进行反应从而形成交联结构，则可以使用任意外部交联剂。作为这样的外部交联剂，例如，可列举出多异氰酸酯化合物、环氧化合物、多元醇化合物、氮丙啶化合物、及三聚氰胺系交联剂等。作为前述辐射线聚合性单体成分，例如，可列举出氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、及1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。作为前述辐射线聚合性低聚物成分，例如，可列举出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物。前述辐射线固化粘合剂中的辐射线聚合性单体成分、辐射线聚合性低聚物成分的含有比例可以在使粘合剂层2的粘合性适当地降低的范围内来选择。前述辐射线固化粘合剂优选包含光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如，可列举出α-酮醇系化合物、苯乙酮系化合物、苯偶姻醚系化合物、缩酮系化合物、芳香族磺酰氯系化合物、光活性肟系化合物、二苯甲酮系化合物、噻吨酮系化合物、樟脑醌、卤素化酮、酰基氧化膦及酰基膦酸酯等。粘合剂层2在前述各成分的基础上还可以包含交联促进剂、增粘剂、防老剂、颜料、或染料等着色剂等。粘合剂层2的厚度优选为1μm以上且50μm以下、更优选为2μm以上且30μm以下、进一步优选为5μm以上且25μm以下。对于粘合剂层2的厚度，例如可以通过使用千分表(peacock公司制、型号r-205)对随机选择的5点的厚度进行测定并对这些厚度进行算术平均来求出。本实施方式的切割芯片接合薄膜20例如作为用于制造半导体集成电路的辅助件使用。以下，对使用切割芯片接合薄膜20的具体例进行说明。以下，对使用基材层1为一层的切割芯片接合薄膜20的例子进行说明。制造半导体集成电路的方法具有如下工序：半切割工序，为了通过割断处理将半导体晶圆加工为芯片(die)，在半导体晶圆上形成槽，进而对半导体晶圆进行磨削而减薄厚度；背面研磨工序，对半切割工序后的半导体晶圆进行磨削而减薄厚度；安装工序，将背面研磨工序后的半导体晶圆的一面(例如，与电路面处于相反侧的面)贴合于芯片接合层3从而将半导体晶圆固定于切割带10；扩展工序，使经半切割加工的半导体芯片彼此的间隔扩大；切口维持工序，维持半导体芯片彼此的间隔；拾取工序，将芯片接合层3与粘合剂层2之间剥离，在贴附有芯片接合层3的状态下取出半导体芯片(die)；和芯片接合工序，将贴附有芯片接合层3的状态的半导体芯片(die)粘接于被粘物。实施这些工序时，本实施方式的切割带(切割芯片接合薄膜)作为制造辅助用具而使用。半切割工序中，如图2的a及图2的b所示，实施用于将半导体集成电路割断成小片(die)的半切割加工。详细而言，在半导体晶圆w的与电路面处于相反侧的面贴附晶圆加工用带t(参照图2的a)。另外，将切割环r安装于晶圆加工用带t(参照图2的a)。在贴附有晶圆加工用带t的状态下形成分割用的槽(参照图2的b)。背面研磨工序中，如图2的c及图2的d所示，对半导体晶圆进行磨削而减薄厚度。详细而言，将背面研磨带g贴附于形成有槽的面，另一方面，将开始贴附的晶圆加工用带t剥离(参照图2的c)。在贴附有背面研磨带g的状态下实施磨削加工直到半导体晶圆w变为规定的厚度(参照图2的d)。安装工序中，如图3的a～图3的b所示，将切割环r安装于切割带10的粘合剂层2后，在露出的芯片接合层3的面贴附经半切割加工的半导体晶圆w(参照图3的a)。然后，从半导体晶圆w将背面研磨带g剥离(参照图3的b)。扩展工序中，如图4的a～图4的c所示，将切割环r固定于扩展装置的保持件h。使用扩展装置所具备的顶起构件u，自下侧顶起切割芯片接合薄膜20，由此，以在面方向扩展的方式对切割芯片接合薄膜20进行拉伸(参照图4的b)。由此，在特定的温度条件下将经半切割加工的半导体晶圆w割断。上述温度条件例如为-20～5℃，优选为-15～0℃、更优选为-10～-5℃。通过使顶起构件u下降，从而解除扩展状态(参照图4的c)。进而，在扩展工序中，如图5的a～图5的b所示，在更高的温度条件下(例如，室温(23℃))，以使面积扩展的方式对切割带10进行拉伸。由此，将割断了的相邻的半导体芯片w沿薄膜面的面方向远离，进而使间隔扩大。切口维持工序中，如图6所示，对切割带10吹热风(例如，100～130℃)使切割带10热收缩后，进行冷却固化，维持割断了的相邻的半导体芯片w间的距离(切口)。在拾取工序中，如图7所示，将贴附有芯片接合层3的状态的半导体芯片w从切割带10的粘合层2剥离。详细而言，使销构件p上升，从而隔着切割带10将拾取对象的半导体芯片w顶起。利用吸附夹具j对被顶起的半导体芯片进行保持。在芯片接合工序中，将贴附有芯片接合层3的状态的半导体芯片w粘接于被粘物。需要说明的是，本实施方式的切割芯片接合薄膜20中，芯片接合层3(芯片接合薄膜)的120℃下的剪切损耗模量为0.03mpa以上且0.09mpa以下，因此，在加热条件下(例如，120℃)将芯片接合层3粘接于被粘物时，可抑制芯片接合层3从前述被粘物剥离。通过本说明书公开的事项包含以下事项。(1)一种芯片接合薄膜，其120℃下的剪切损耗模量为0.03mpa以上且0.09mpa以下。根据所述构成，120℃下的前述芯片接合薄膜的剪切损耗模量为0.03mpa以上，因此在加热条件下(例如，120℃)的带芯片接合层(芯片接合薄膜)的半导体芯片的层叠时，能够使前述芯片接合层具有适度的硬度。另外，120℃下的前述芯片接合薄膜的剪切损耗模量为0.09mpa以下，因此在加热条件下(例如，120℃)的带芯片接合层(芯片接合薄膜)的半导体芯片的层叠时，能够使得与被粘物的润湿性较良好。由此，能够使前述芯片接合薄膜在加热条件下的层叠时较难以从半导体芯片的表面剥离。(2)根据上述(1)所述的芯片接合薄膜，其180℃下的剪切损耗模量为0.01mpa以上且0.05mpa以下。通常，层叠得到的带芯片接合层(芯片接合薄膜)的半导体芯片在加热条件下(例如，180℃)进行模制(密封)，根据上述构成，180℃下的前述芯片接合薄膜的剪切损耗模量为0.01mpa以上，因此即使在层叠得到的带芯片接合层(芯片接合薄膜)的半导体芯片的加热条件下的模制时，也能够使前述芯片接合薄膜具有适度的硬度。另外，180℃下的前述芯片接合薄膜的剪切损耗模量为0.05mpa以下，因此即使在层叠得到的带芯片接合层(芯片接合薄膜)的半导体芯片的模制时，也能够使得与被粘物的润湿性较良好。由此，能够使前述芯片接合薄膜不仅在加热条件下的层叠时、而且在模制时也较难从半导体芯片的表面剥离。(3)根据上述(2)所述的芯片接合薄膜，其中，180℃下的前述芯片接合薄膜的剪切损耗模量相对于120℃下的前述芯片接合薄膜的剪切损耗模量的比为0.5以上且0.8以下。根据上述构成，120℃下的前述芯片接合薄膜的剪切损耗模量相对于180℃下的前述芯片接合薄膜的剪切损耗模量的比为0.5以上且0.8以下，因此能够使前述芯片接合薄膜不仅在加热条件下的层叠时、而且在模制时也更加难以从半导体芯片的表面剥离。(4)根据上述(1)～(3)中任一项所述的芯片接合薄膜，其对裸晶圆的120℃下的剪切粘接力为0.1mpa以上且0.4mpa以下，对裸晶圆的180℃下的剪切粘接力为0.05mpa以上且0.3mpa以下。根据上述构成，能够使前述芯片接合薄膜不仅在加热条件下的层叠时、而且在模制时也更加难以从半导体芯片的表面剥离。(5)根据上述(1)～(4)中任一项所述的芯片接合薄膜，其中，在室温下在900hz下的通过动态粘弹性测定得到的弹性模量为1gpa以上且不足3gpa。根据上述构成，在室温(23℃)环境下，将借助芯片接合层(芯片接合薄膜)层叠于基板上的半导体芯片输送至模制树脂成形装置时，能够使前述芯片接合薄膜较难从半导体芯片的表面剥离。(6)根据上述(1)～(5)中任一项所述的芯片接合薄膜，其具有热固化性，在175℃下固化1小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时后的吸湿率为1质量％以下。根据上述构成，即使暴露于高温高湿度环境下(所谓hast(highlyacceleratedtemperatureandhumiditystresstest)环境)，也能够使前述芯片接合薄膜较难从半导体芯片的表面剥离。(7)根据上述(1)～(6)中任一项所述的芯片接合薄膜，其具有热固化性，在175℃下固化1小时后的130℃下的拉伸储能模量为0.2mpa以上且1.0mpa以下。根据上述构成，能够使前述芯片接合薄膜不仅在加热条件下的层叠时、而且在模制时也更加难以从半导体芯片的表面剥离。(8)根据上述(1)～(7)中任一项所述的芯片接合薄膜，其具有热固化性，在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时后的对裸晶圆的剪切粘接力为15mpa以上，在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时后的对裸晶圆的剪切粘接力相对于在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露前的对裸晶圆的剪切粘接力的比为0.6以上。(9)根据上述(8)所述的芯片接合薄膜，其中，在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露后的对裸晶圆的剪切粘接力为50mpa以下，在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时后的对裸晶圆的剪切粘接力相对于在175℃下固化5小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露前的对裸晶圆的剪切粘接力的比为0.9以下。根据上述构成，即使暴露于高温高湿度环境下，也能够使前述芯片接合薄膜较难从半导体芯片的表面剥离。(10)一种切割芯片接合薄膜，其具备：在基材层上层叠有粘合剂层的切割带、和层叠于前述切割带的粘合剂层上的芯片接合层，前述芯片接合层由上述(1)～(9)中的任意芯片接合薄膜构成。根据上述构成，能够使前述切割芯片接合薄膜的前述芯片接合薄膜在加热条件下的层叠时较难从半导体芯片的表面剥离。需要说明的是，本发明的芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜不限定于前述实施方式。另外，本发明的芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜不受前述作用效果的限定。本发明的芯片接合薄膜及切割芯片接合薄膜可以在不脱离本发明主旨的范围内进行各种变更。[实施例]接着，举出实施例更具体地对本发明进行说明。以下的实施例用于更详细地说明本发明，并不限定本发明的范围。[实施例1]<切割带的制作>在作为剥离衬垫的pet系隔离体(厚度50μm)的实施了有机硅处理的面上，使用涂抹器以使厚度成为10μm的方式涂布粘合剂组合物。对涂布粘合剂组合物后的pet系隔离体在120℃下进行2分钟加热干燥，从而形成粘合剂层。接着，将eva薄膜(gunzelimited制。厚度115μm)贴附于前述粘合剂层上，在室温(23℃)下保存72小时，得到切割带。前述粘合剂组合物如下来制备。首先，在具备冷凝管、氮气导入管、温度计、及搅拌装置的反应容器内，加入丙烯酸2-乙基己酯(2eha)100质量份、丙烯酸-2-羟基乙酯(hea)19质量份、过氧化苯甲酰0.4质量份、及甲苯80质量份，在氮气气流中在60℃(液温)下进行10小时聚合反应，由此得到第1树脂组合物。接着，在前述第1树脂组合物中加入2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(moi)1.2质量份，在大气中在50℃(液温)下进行60小时加成反应，得到第2树脂组合物。接着，相对于前述第2树脂组合物100质量份，加入多异氰酸酯化合物(nipponpolyurethaneindustryco.,ltd.制、商品名“coronatel”)1.3质量份、及光聚合引发剂(cibaspecialtychemicalsinc.制、商品名“irgacure184”)3质量份，制备粘合剂组合物。<切割芯片接合薄膜的制作>将丙烯酸类树脂(nagasechemtexcorporation制、商品名“sg-80h”)100质量份、酚醛树脂(明和化成株式会社制、商品名“mehc-7851”)15质量份、二氧化硅填料(admatechsco.,ltd.制、商品名“so-25r”)22质量份、及硅烷偶联剂(shin-etsusilicones公司制、商品名“kbm403”)0.5质量份以固体成分浓度成为20质量％的方式溶解于甲乙酮，得到第1芯片接合组合物。接着，使用涂抹器以使厚度成为10μm的方式将前述第1芯片接合组合物涂布在作为剥离衬垫的pet系隔离体(厚度50μm)的实施了有机硅处理的面上，在130℃下进行2分钟干燥，由此得到在前述剥离衬垫上层叠有芯片接合层(芯片接合薄膜)的芯片接合片。接着，使用手压辊，将前述芯片接合片的未层叠前述剥离衬垫的一侧贴附于前述切割带的前述粘合剂层上，得到实施例1的切割芯片接合薄膜。(120℃及180℃下的剪切损耗模量的测定)对实施例1的切割芯片接合薄膜的芯片接合层(芯片接合薄膜)测定120℃及180℃下的剪切损耗模量。120℃下的剪切损耗模量如下来求出：测定对冲裁成φ7.5mm×1mm的圆柱状的芯片接合薄膜的一个圆状面在温度120℃下赋予频率1hz的剪切振动时传递至另一圆状面的剪切振动并进行解析，由此来求出。剪切振动的测定及测定值的解析使用粘弹性测定装置(rheometricscientific公司制、型号ares)来进行。另外，对于180℃下的剪切损耗模量，将温度设为180℃，除此以外，与上述同样地操作来进行测定。将120℃及180℃下的剪切损耗模量的测定结果示于以下的表1。需要说明的是，对于120℃及180℃下的剪切损耗模量，也可以对后述的实施例2、比较例1、及比较例2的切割芯片接合薄膜的芯片接合层(芯片接合薄膜)来进行测定。关于其结果，也示于表1。(120℃及180℃下的剪切粘接力的测定)使实施例1的切割芯片接合薄膜的芯片接合层(芯片接合薄膜)的热固化性树脂(丙烯酸类树脂及酚醛树脂)固化前，对该芯片接合薄膜的120℃及180℃下的剪切粘接力进行测定。120℃下的剪切粘接力如下来测定：在温度120℃、速度10mm/s、压力0.15mpa的条件下将芯片接合薄膜贴附于厚度0.5mm、3mm×3mm的裸芯片，将所得物质作为试验片，使用剪切试验机(dage公司制、dage4000)，对前述试验片采用测定速度500μm/s、测定间隙100μm、工作台温度120℃的条件，由此进行测定。需要说明的是，上述测定在将前述试验片放置于测定工作台20秒后进行。对于180℃下的剪切粘接力，将工作台温度设为180℃，除此以外，与上述同样地操作来进行测定。将120℃及180℃下的剪切粘接力的测定结果示于以下的表1。需要说明的是，也对后述的实施例2、比较例1、及比较例2的切割芯片接合薄膜的芯片接合层(芯片接合薄膜)测定120℃及180℃下的剪切粘接力。其结果也示于表1。(在高温·高湿度环境下暴露后的剪切粘接力的测定)使实施例1的切割芯片接合薄膜的芯片接合层(芯片接合薄膜)在175℃下固化5小时，在高温·高湿度(135℃、相对湿度85％rh)的环境(所谓hast环境)中暴露100小时后，测定该芯片接合层的剪切粘接力。对于该测定，在温度120℃、速度10mm/s、压力0.15mpa的条件下将芯片接合薄膜贴附于厚度0.5mm、3mm×3mm的裸芯片后，使芯片接合薄膜在175℃下固化5小时，在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时，将所得物质作为试验片，使用剪切试验机(dage公司制、dage4000)，对前述试验片采用测定速度500μm/s、测定间隙100μm、工作台温度23℃的条件来进行测定。需要说明的是，上述测定在将前述试验片放置于测定工作台20秒后进行。另外，对于贴附于裸晶圆后在175℃下固化5小时后的芯片接合薄膜，在暴露于135℃且相对湿度85％rh的环境前，也与上述同样地操作来测定剪切粘接力。将在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露后测定剪切粘接力而得到的结果、及在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露前测定剪切粘接力而得到的结果示于以下的表1。需要说明的是，也对后述的实施例2、比较例1、及比较例2的切割芯片接合薄膜的芯片接合层(芯片接合薄膜)测定在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露后的剪切粘接力、及在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露前的剪切粘接力。其结果也示于表1。(在高温·高湿度环境下暴露后的吸湿率的测定)使实施例1的切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜在175℃下固化1小时，在高温·高湿度(135℃、相对湿度85％rh)的环境中暴露100小时后，测定该芯片接合薄膜的吸湿率。对于吸湿率，通过求出在175℃下固化1小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露前与在175℃下固化1小时并在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露100小时后的质量变化来算出。将吸湿率的测定结果示于以下的表1。需要说明的是，也对后述的实施例2、比较例1、及比较例2的切割芯片接合薄膜的芯片接合层(芯片接合薄膜)测定吸湿率。其结果也示于表1。(130℃下的拉伸储能模量的测定)使实施例1的切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜在175℃下固化1小时后，对该芯片接合薄膜测定130℃下的拉伸储能模量。在175℃下固化1小时后的130℃下的拉伸储能模量使用固体粘弹性测定装置(例如，型号rsaiii、rheometricscientific株式会社制)来测定。详细而言，从在175℃下固化1小时后的芯片接合薄膜切出长度40mm(测定长度)、宽度10mm的试验片，使用固体粘弹性测定装置(例如，型号rsaiii、rheometricscientific株式会社制)，在频率1hz、升温速度10℃/分钟、卡盘间距离22.5mm的条件下在-30～280℃的温度范围测定前述试验片的拉伸储能模量。此时，通过读取130℃下的值来求出。需要说明的是，也对后述的实施例2、比较例1、及比较例2的切割芯片接合薄膜的芯片接合层(芯片接合薄膜)测定130℃下的拉伸储能模量。其结果也示于表1。(室温、900hz下的弹性模量的测定)使实施例1的切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜固化前，对该芯片接合薄膜测定在室温(23℃)下在900hz下的通过动态粘弹性测定得到的弹性模量。在室温下在900hz下的通过动态粘弹性测定得到的固化前的弹性模量如下来得到：使用动态粘弹性装置(レオロジ社制、rheogel-4000)，以自动载荷模式在升温速度5℃/分钟的条件下在-50℃～100℃对固化前的芯片接合薄膜进行测定。需要说明的是，也对后述的实施例2、比较例1、及比较例2的切割芯片接合薄膜的芯片接合层(芯片接合薄膜)测定在室温下在900hz下的通过动态粘弹性测定得到的弹性模量。其结果也示于表1。对如上那样得到的实施例1的切割芯片接合薄膜，如下操作来进行自被粘物(裸芯片)的剥离评价。(自被粘物的剥离评价)·芯片接合时的剥离评价将12英寸的裸晶圆(直径300mm、厚度50μm)及切割环贴附于实施例1的切割芯片接合薄膜。接着，使用芯片分离装置dds230(discoinc.制)，进行裸晶圆及芯片接合层(芯片接合薄膜)的割断，得到多个带芯片接合层(芯片接合薄膜)的裸芯片，对将该多个带芯片接合层的裸芯片以成为阶梯状的形式层叠接合于引线框基板上而成者进行。作为裸晶圆，使用翘曲晶圆。如下来制作翘曲晶圆。首先，使下述(a)～(e)溶解于甲乙酮，得到固体成分浓度20质量％的翘曲调整组合物。(a)丙烯酸类树脂(nagasechemtexcorporation制、商品名“sg-70l”)：100质量份(b)环氧树脂(dic株式会社制、商品名“hp-4700”)：90质量份(c)酚醛树脂(明和化学株式会社制、商品名“h-4”)：102质量份(d)球状二氧化硅(admatechsco.,ltd.制、商品名“so-25r”)：220质量份(e)固化催化剂(四国化成株式会社制、商品名“2phz”)：0.6质量份接着，使用涂抹器以25μm厚度将前述翘曲调整组合物涂布于作为剥离衬垫的pet系隔离体(厚度50μm)的经有机硅处理的面上，在150℃下进行2分钟干燥，得到在前述剥离衬垫上层叠有翘曲调整层的翘曲调整片。接着，使用层压机(mck株式会社制、型号mrk-600)，在60℃、0.3mpa、10mm/s的条件下将裸晶圆贴附于前述翘曲调整片的未层叠前述剥离衬垫的一侧，放入至烘箱中在175℃下进行1小时加热，使前述翘曲调整层中的热固化性树脂热固化，由此，前述翘曲调整层发生收缩，由此得到翘曲的裸晶圆。使前述翘曲调整层收缩后，将晶圆加工用带(日东电工株式会社制、商品名“v-12sr2”)贴附于翘曲了的裸晶圆的未层叠前述翘曲调整层的一侧，然后，借助前述晶圆加工用带将翘曲了的裸晶圆固定于切割环。然后，从翘曲了的裸晶圆去除前述翘曲调整层。使用切割装置(disco公司制、型号6361)，对翘曲了的裸晶圆的去除了前述翘曲调整层的一面(以下，称为一侧面)进行10mm×10mm尺寸的半切割切割。接着，在翘曲了的裸晶圆的一侧面贴附背面研磨带，从翘曲了的裸晶圆的另一面(与前述一侧面处于相反侧的面)将前述晶圆加工用带去除。接着，使用背面研磨机(disco公司制、型号dgp8760)，从另一面侧对翘曲了的裸晶圆进行磨削以使翘曲了的裸晶圆的厚度为50μm(0.05mm)，将所得晶圆作为翘曲晶圆。对于芯片接合时的剥离评价，详细而言，如下来进行。首先，用冷扩展单元，在扩展温度-15℃、扩展速度200mm/s、扩展量12mm的条件下进行裸晶圆及芯片接合层(芯片接合薄膜)的割断，得到多个带芯片接合层(芯片接合薄膜)的裸芯片。接着，在室温(23℃)、扩展速度1mm/s、扩展量10mm的条件下进行常温扩展。然后，在保持扩展状态的情况下，在加热温度220℃、风量40l/分钟、加热距离20mm、旋转速度3°/s的条件下使与裸晶圆的外边缘的边界部分的切割芯片接合薄膜热收缩，维持前述多个带芯片接合层的裸芯片的切口。接着，对前述多个带芯片接合层的裸芯片进行拾取，使用芯片焊接机(新川株式会社制、商品名“diebonderspa-300”)，将拾取的前述多个带芯片接合层的裸芯片在工作台温度120℃、芯片接合载荷0.2mpa、及芯片接合时间2秒的条件下在引线框基板上以阶梯状进行7级连续接合。对于7级连续接合，通过将各个带芯片接合层的裸芯片沿同一方向以每个错开200μm地形成为阶梯状的方式接合来进行。对于芯片接合时的剥离状态的评价，将带芯片接合层的裸芯片以阶梯状层叠后，立即通过显微镜观察从与层叠方向正交的一侧拍摄裸芯片的层叠状态并进行二值化，由此评价芯片接合层自裸芯片的剥离状态。对于芯片接合层的剥离状态，将实用上没有问题的水平记为〇、将实用上有问题的水平记为×来评价。将其结果示于表1。·室温(23℃)下的剥离评价对于室温(23℃)下的剥离评价，将层叠成阶梯状的带芯片接合层(芯片接合薄膜)的裸芯片在室温(23℃)下放置后，通过显微镜观察从与层叠方向正交的一侧拍摄裸芯片的层叠状态并进行二值化，由此评价芯片接合层(芯片接合薄膜)自裸芯片的剥离状态。将其结果示于表1。·模制时的剥离评价使用模制树脂成形装置，在温度180℃下以将层叠于引线框基板上的裸芯片覆盖的方式来进行模制成形后，去除模制成形部分，通过显微镜观察从与层叠方向正交的一侧拍摄裸芯片的层叠状态并进行二值化，由此评价芯片接合层(芯片接合薄膜)自裸芯片的剥离状态。将其结果示于表1。·高温高湿度下的剥离评价使用模制树脂成形装置在温度180℃下以将层叠于引线框基板上的裸芯片覆盖的方式进行模制成形后，去除模制部分，进而，在135℃且相对湿度85％rh的环境中暴露后，通过显微镜观察从与层叠方向正交的一侧拍摄裸芯片的层叠状态并进行二值化，由此评价芯片接合层(芯片接合薄膜)自裸芯片的剥离状态。将其结果示于表1。需要说明的是，对于后述的实施例2、比较例1、及比较例2，也与实施例1同样地进行芯片接合时的剥离评价、室温下的剥离评价、模制时的剥离评价、及高温高湿度下的剥离评价。其结果也示于表1。[实施例2]<切割带的制作>与实施例1同样地制作切割带。<切割芯片接合薄膜的制作>将丙烯酸类树脂(nagasechemtexcorporation制、商品名“sg-p3”)100质量份、酚醛树脂(明和化成株式会社制、商品名“mehc-7851”)45质量份、二氧化硅填料(admatechsco.,ltd.制、商品名“so-25r”)47质量份、及硅烷偶联剂(shin-etsusilicones公司制、商品名“kbm403”)0.5质量份以固体成分浓度成为20质量％的方式溶解于甲乙酮，得到第2芯片接合组合物。接着，使用涂抹器以使厚度成为10μm的方式将前述第2芯片接合组合物涂布在作为剥离衬垫的pet系隔离体(厚度50μm)的实施了有机硅处理的面上，在130℃下进行2分钟干燥，由此得到在前述剥离衬垫上层叠有芯片接合层的芯片接合片。接着，使用手压辊，将前述芯片接合片的未层叠前述剥离衬垫的一侧贴附于切割带的粘合剂层上，得到实施例2的切割芯片接合薄膜。<带芯片接合层的裸芯片的层叠>与实施例1同样地操作，在引线框基板上将带芯片接合层(芯片接合薄膜)的裸芯片以阶梯状进行7级连续接合。[比较例1]<切割带的制作>与实施例1同样地操作来制作切割带。<切割芯片接合薄膜的制作>将丙烯酸类树脂(nagasechemtexcorporation制、商品名“sg-790”)100质量份、酚醛树脂(明和化成株式会社制、商品名“mehc-7500”)100质量份、及二氧化硅浆料(日产化学株式会社制、商品名“mek-st40”)140质量份(固体成分換算)以固体成分浓度成为20质量％的方式溶解于甲乙酮，得到第3芯片接合组合物。接着，使用涂抹器以使厚度成为10μm的方式将前述第3芯片接合组合物涂布在作为剥离衬垫的pet系隔离体(厚度50μm)的实施了有机硅处理的面上，在130℃下进行2分钟干燥，由此得到在前述剥离衬垫上层叠有芯片接合层的芯片接合片。接着，使用手压辊，将前述芯片接合片的未层叠前述剥离衬垫的一侧贴附与前述切割带的前述粘合剂层上，得到比较例1的切割芯片接合薄膜。<带芯片接合层的裸芯片的层叠>与实施例1同样地操作，在引线框基板上将带芯片接合层(芯片接合薄膜)的裸芯片以阶梯状进行7级连续接合。[比较例2]<切割带的制作>与实施例1同样地操作来制作切割带。<切割芯片接合薄膜的制作>将丙烯酸类树脂(nagasechemtexcorporation制、商品名“sg-790”)100质量份、酚醛树脂(明和化成株式会社制、商品名“mehc-7500”)10质量份、及二氧化硅浆料(日产化学株式会社制、商品名“mek-st40”)123质量份(固体成分換算)以固体成分浓度成为20质量％的方式溶解于甲乙酮，得到第4芯片接合组合物。接着，使用涂抹器以使厚度成为10μm的方式将前述第4芯片接合组合物涂布在作为剥离衬垫的pet系隔离体(厚度50μm)的实施了有机硅处理的面上，在130℃下进行2分钟干燥，由此得到在前述剥离衬垫上层叠有芯片接合层的芯片接合片。接着，使用手压辊，将前述芯片接合片的未层叠前述剥离衬垫的一侧贴附于前述切割带的前述粘合剂层上，得到比较例2的切割芯片接合薄膜。<带芯片接合层的裸芯片的层叠>与实施例1同样地操作，在引线框基板上将带芯片接合层(芯片接合薄膜)的裸芯片以阶梯状进行7级连续接合。[表1]实施例1实施例2比较例1比较例2120℃剪切损耗模量[mpa]0.0330.0850.0220.11180℃剪切损耗模量[mpa]0.0210.0470.0070.054剪切损耗模量的比(180℃/120℃)0.640.550.320.49120℃剪切粘接力[mpa]0.310.120.0430.091180℃剪切粘接力[mpa]0.250.070.0280.047135℃，85％rh后的剪切粘接力[mpa]22231411135℃，85％rh前的剪切粘接力[mpa]25272520剪切粘接力的比(135℃，85％rh后/135℃，85％rh前)0.880.850.560.55吸湿率[质量％]0.50.31.11.1130℃拉伸储能模量[mpa]0.20.92.88.5室温，900hz弹性模量[gpa]1.12.63.33.8芯片接合时剥离评价○○××室温剥离评价○○××模制时剥离评价○○××高温高湿度环境下剥离评价○○××实施例1及2中，120℃下的芯片接合薄膜的剪切损耗模量的值均落入0.03mpa以上且0.09mpa以下的范围，芯片接合时剥离评价均为○。即可知，实施例1及2中，芯片接合薄膜在芯片接合时仅以实用上没有问题的水平发生剥离。另外，实施例1及2中，180℃下的芯片接合薄膜的剪切损耗模量的值均落入0.01mpa以上且0.05mpa以下的范围，模制时剥离评价均为〇。即可知，实施例1及2中，芯片接合薄膜在模制时仅以实用上没有问题的水平发生剥离。进而，实施例1及2中，在室温下在900hz下的通过动态粘弹性测定得到的弹性模量的值落入1gpa以上且不足3gpa的范围、室温剥离评价均为〇。即可知，实施例1及2中，芯片接合薄膜在室温时仅以实用上没有问题的水平发生剥离。另外，实施例1及2中，在135℃且相对湿度85％的环境中暴露后的剪切粘接力的值均为15mpa以上，进而，在135℃且相对湿度85％的环境中暴露100小时后的剪切粘接力相对于在135℃且相对湿度85％的环境中暴露前的剪切粘接力的比均为0.6以上，高温高湿度环境下剥离评价均为〇。即可知，实施例1及2中，芯片接合薄膜在高温高湿度环境下仅以实用上没有问题的水平发生剥离。与此相对，比较例1及2中，120℃下的芯片接合薄膜的剪切损耗模量的值均不在0.03mpa以上且0.09mpa以下的范围，180℃下的芯片接合薄膜的剪切损耗模量的值均不在0.01mpa以上且0.05mpa以下的范围。另外，比较例1及2中，在室温下在900hz下的通过动态粘弹性测定得到的弹性模量的值不在1gpa以上且不足3gpa的范围。进而，比较例1及2中，在135℃且相对湿度85％的环境中暴露后的剪切粘接力的值均不足15mpa，进而，在135℃且相对湿度85％的环境中暴露100小时后的剪切粘接力相对于在135℃且相对湿度85％的环境中暴露前的剪切粘接力的比均不足0.6。而且，比较例1及2中，芯片接合时剥离评价、室温剥离评价、模制时剥离评价、及高温高湿度环境下剥离评价均为×。即可知，比较例1及2中，芯片接合薄膜以实用上成为问题的水平发生剥离。当前第1页1 2 3 

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