一种PVT法中碳化硅粉源的回收方法与流程
2021-01-31本发明属于晶体生长原料回收技术领域,尤其涉及一种pvt法中碳化硅粉源的回收方法。背景技术:在碳化硅晶体生长中,作为生产原料的高纯碳化硅粉源占据了很大一部分成本,然而在实际生产过
多片式薄膜垂直液相外延的石墨舟、生长装置及生长方法与流程
2021-01-31本发明涉及红外探测领域,尤其涉及一种多片式薄膜垂直液相外延的石墨舟、生长装置及生长方法。背景技术:由于碲镉汞材料是一种直接带隙半导体材料且具有可调的禁带宽度,可以覆盖整个红外波
用于由结晶石墨制造还原的氧化石墨烯的方法与流程
2021-01-31本发明涉及用于由结晶(kish)石墨制造还原的氧化石墨烯的方法。特别地,还原的氧化石墨烯将例如作为涂层或作为冷却试剂应用于金属行业,包括钢、铝、不锈钢、铜、铁、铜合金、钛、钴、
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