本发明属于金属氧化物半导体基气体传感器与环境监测技术领域，具体涉及一种tb2o3掺杂的sno2基高响应so2敏感材料的制备方法。背景技术：二氧化硫是最常见、最简单、有刺激性的硫

• 二甲基甲酰胺
• 去离子水
• 气体传感器
• 纳米陶瓷
• 稀土金属

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[0001]本发明涉及活性炭技术领域，具体涉及一种低灰压块煤质活性炭制备方法。背景技术：[0002]活性炭是由含碳为主的物质作原料，经高温炭化和活化制得的疏水性吸附剂。活性炭含

• 活性碳
• 煤质活性炭
• 去离子水
• 水凝胶
• 苔藓

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[0001]本发明涉及纳米材料领域，尤其涉及一种二硒化钼亚微米球的制备方法。背景技术：[0002]过渡金属二硫族化合物，分子式为mx2(m＝mo、w；x＝s、se、te)，具有

• 亚微米
• 真空干燥箱
• 乙二醇
• 反应釜
• 去离子水

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[0001]本发明涉及一种用于预制构件的减水剂及其制备方法，具体涉及一种用于预制构件的聚羧酸减水剂及其制备方法。背景技术：[0002]混凝土预制构件在我国建筑工程中的应用已有五

• 减水剂
• 去离子水
• 过硫酸铵
• 预制混凝土构件
• 烯丙基

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[0001]本发明涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种晶片腐蚀液及腐蚀方法。背景技术：[0002]磷化铟作为重要的化合物半导体材料，在光子领域(波长为1000nm以上的发射和探

• 去离子水
• 金属腐蚀
• 磷化工艺
• 配制溶液

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调控钙基co2吸附剂的微观结构的方法、高性能钙基co2吸附剂及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及材料技术领域，特别涉及一种调控钙基co2吸附剂的微观结构的方法、高性能钙基

• 硝酸钙
• 去离子水
• 混合结构
• 陈化
• 马弗炉

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[0001]本发明属于无机非金属材料技术领域，具体涉及一种钬掺杂铁酸铜多铁陶瓷及其制备方法。背景技术：[0002]多铁性材料是一种新型多功能材料，其多种效应(铁电性、铁磁性、铁

• 去离子水
• 溶胶凝胶法
• 柠檬酸铁
• 金属陶瓷
• 前驱体

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[0001]本发明属于材料制备工艺技术领域，具体涉及一种铜氧化锡触头材料的制备方法。背景技术：[0002]触头材料是电器开关的核心组件，负担接通、断开电路及负载电流的任务，被广

• 氧化锡
• 电热鼓风干燥箱
• 无水乙醇
• 烧结工艺
• 去离子水

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本发明属于导电填料制备技术领域，具体涉及一种微米镀镍铝粉的制备方法。背景技术：目前，随着各种智能终端设备的高速发展与普及，移动数据流量通讯呈爆炸式发展，中国通讯已迈入5g时代；

• 铝粉
• 去离子水
• 聚乙烯吡咯烷酮
• 镀镍
• 微米

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[0001]本发明涉及电池电极材料制备技术领域，具体涉及一种钛掺杂改性二氧化锰电极材料的制备方法与应用。背景技术：[0002]二次电池作为一种能量储存装置，能高效的实现化学能和

• 二氧化锰
• 去离子水
• 电池

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