本发明涉及一种合成高纯度六方柱形二氧化硅纳米多孔材料的方法，属于材料科学研究领域。背景技术：纳米多孔材料作为纳米材料的一员，有着大的比表面积结构和性质，因而在纳米科技领域占有独

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本发明涉及二氧化钒粉体制备领域，尤其是一种超声喷雾热解直接制备m相二氧化钒纳米粉体的方法。背景技术：二氧化钒(vo2)是目前报道最多以及应用最广的一种钒氧化物，具有vo2(a)

• 管式炉
• 前驱体
• 雾化器
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本发明涉及纳米复合材料技术领域，具体涉及一种花球状硒化钼纳米粒子的制备方法。背景技术：过渡金属硫族化合物因其具有较为特殊的电子结构，相对于氧化物而言，硫族化合物具有更窄的帯隙和

• 纳米粒子
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本发明涉及半导体纳米材料制备技术领域，尤其涉及一种快速制备球形硫化汞纳米颗粒的方法。背景技术：作为一种ii-vi族半导体材料，硫化汞具有较高的电子迁移率、低的禁带宽度及显著的热

• 硫化汞
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• 乙二醇
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本发明属于纳米材料制备技术领域，涉及一种预混火焰合成铁酸锌球形纳米材料的方法。背景技术：铁酸锌(znfe2o4)是一种具有尖晶石结构的复合半导体材料，尖晶石结构属于面心立方型结

• 纳米粒子
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• 火焰温度
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本发明属于电池制备技术领域：，具体涉及一种制备单晶ncma前驱体材料的方法。背景技术：：目前占据锂电池市场的正极材料主要包括钴酸锂、锰酸锂、三元材料、磷酸铁锂。而镍钴铝、镍钴锰

• 反应釜
• 前驱体
• 配制溶液
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本发明属于二维材料制备技术领域，具体涉及一种模拟单层单晶六角氮化硼薄膜的制备方法。背景技术：二维材料六角氮化硼(hbn)和石墨烯有等量的电子数，因此它与石墨烯有一些类似的性质，

• 氮化硼
• 钝化
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本发明涉及高纯硅材料的制备方法，具体说是采用超临界流体制备高纯硅的方法。背景技术：本发明涉及用于电子信息领域和新能源光伏领域的高纯硅基础材料的制备。众所周知，高纯硅的品质和成本

• 超临界流体
• 反应罐
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本发明属于纳米材料制备技术领域，具体涉及一种小尺寸(<30nm)空心介孔二氧化硅纳米粒子的制备方法。技术背景空心介孔二氧化硅纳米粒子，由于其具有高比表面积、大的空腔体积及

• 纳米粒子
• 纳米二氧化硅
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本发明涉及用于由结晶(kish)石墨制造氧化石墨烯的方法。特别地，氧化石墨烯将例如作为涂层或作为冷却试剂应用于金属行业，包括钢、铝、不锈钢、铜、铁、铜合金、钛、钴、金属复合材料

• 石墨
• 石墨烯
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