本发明属于有机半导体技术领域：，具体来说涉及一种生长二维有机单晶膜的方法。背景技术：：二维有机单晶结合了二维材料容易制备，柔性，有机材料可设计结构，易溶解，少的电荷缺陷，无晶界

• 二维材料
• 二维
• 显微镜
• 试剂

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本发明属于光催化技术领域，具体涉及光催化产氢、还原二氧化碳及重金属水处理技术中所需的光催化剂，尤其涉及一种富含缺陷的超薄二维纳米mos2的宏量制备方法。背景技术：随着工业化高速

• 二维材料
• 纳米
• 二维
• 光催化
• 原子

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本发明属于绿色光催化技术领域，尤其涉及一种超临界剥离制备超薄二维掺杂氮化碳纳米片的方法及其高效光催化分解水的应用。背景技术：石墨化氮化碳(g-c3n4)作为一种二维半导体材料，

• 氮化碳
• 光催化
• 二维材料
• 超临界
• 二维

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本发明涉及一种石墨化碳提纯方法，更具体地说，涉及一种酸选择性刻蚀无定型碳提纯石墨化碳材料方法。背景技术：石墨化碳材料由于其独特的结构和物理化学特性在电子器件、传感器、能源储存等

• 石墨
• 石墨结构
• 二维材料
• 反应釜

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本发明属于纳米材料的制备技术领域，具体涉及一种镧基氧化物复合纳米材料的制备方法及其储能应用。背景技术：随着现代电子设备尤其是便携式电子设备和电动汽车的快速发展和应用，对低成本，

• 氧化石墨烯
• 二维材料
• 多孔材料
• 纳米
• 石墨结构

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二维材料限域掺杂条件下hmx/anpyo共晶的制备方法技术领域[0001]本发明属于含能材料技术领域，涉及一种二维材料限域掺杂条件下hmx/anpyo共晶的制备方法。背景技术：

• 二维
• 摩尔比
• 二维材料
• 晶体生长
• 晶体

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[0001]本发明属于二维材料应用技术领域，具体涉及一种晶圆级二维材料的洁净转移方法。背景技术：[0002]近年来，由于二硫化钼、氮化硼、石墨烯等二维材料的光电特性，其日益受到

• 重均分子量
• 二维材料
• 二维
• 晶圆
• 甲基丙烯酸甲酯

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二维fenb3se10纳米片的制备技术领域[0001]本发明属于二维材料制备技术领域，具体涉及二维fenb3se10纳米片的制备。背景技术：[0002]小带隙或零带隙二维材料由

• 二维材料
• 二维
• 晶体
• 纳米

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[0001]本发明属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种多晶氧化镓纳米片薄膜的制备方法。背景技术：[0002]氧化镓（ga2o3）是一种宽带隙半导体材料，其禁带宽度达4.9e

• 液态金属
• 金属玻璃
• 纳米晶
• 二维材料
• 去离子水

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本发明涉及一种二维编织绿色环保高强度木基复合材料的制备方法，属于复合材料制造领域及木材加工领域。本发明采用自上而下的方法(从木材直接制备高强度复合材料)，容易实施，制作的木基复

• 亚硫酸钠
• 二维
• 二维材料

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