本发明涉及石墨烯材料制备技术领域，尤其涉及一种类石墨超分子及其制备方法、掺杂石墨烯及其制备方法。背景技术：石墨烯是一种碳原子以sp2杂化方式形成具有单原子层厚度的二维蜂窝状结构

• 石墨
• 原子
• 石墨烯
• 碳原子
• 原子结构

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本发明属于光催化技术领域，具体涉及光催化产氢、还原二氧化碳及重金属水处理技术中所需的光催化剂，尤其涉及一种富含缺陷的超薄二维纳米mos2的宏量制备方法。背景技术：随着工业化高速

• 二维材料
• 纳米
• 二维
• 光催化
• 原子

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本发明涉及材料领域。具体地，本发明涉及一种钙钛矿cspbbr3量子点的颗粒融合方法及应用。背景技术：21世纪随着时代的发展和科技的进步，其中材料科学扮演着越来越重要的角色。其中

• 时效处理
• 量子点
• 纳米效应
• 原子

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本发明涉及储氢材料模拟储氢技术领域，具体来说是一种提高纳米材料储氢性能的方法。背景技术：氢作为一种清洁能源，由于其储量丰富、无污染、能量密度高等优点已经引起人们的广泛关注。然而

• 原子
• 储氢材料
• 结合能
• 分子和原子
• 石墨结构

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本发明属于功能材料技术领域和催化技术领域，具体是指一种基于植物蛋白的多杂原子掺杂介孔碳的制备方法。背景技术：人类社会可持续发展所面临的重要问题之一是开发和利用可再生能源，逐步摆

• 原子
• 去离子水
• 溶胶凝胶法
• 介孔材料
• 碳原子

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本公开文本涉及六方晶氮化硼(hbn)粉末及六方晶氮化硼粉末的制造方法。背景技术：六方晶氮化硼(以下，简称为“氮化硼”)具有润滑性、高导热性及绝缘性等。因此，氮化硼被广泛用于固体

• 比表面积
• 原子质量
• 原子

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本发明包含在锗晶体的领域中。本发明具体涉及片状形态的α-锗晶体。背景技术：：包含来自元素周期表第14族元素(如硅或锗)的半导体材料在电子设备中的当前应用已使围绕源自这些元素的材

• 原子结构
• 晶体生长
• 晶体
• 离心分离
• 原子

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本实用新型涉及原子层沉积技术领域，特别涉及一种气墙装置和原子层沉积系统。背景技术：原子层沉积(atomiclayerdeposition，简称ald)是一种可以将物质以单原子膜

• 原子

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本实用新型涉及机械装配技术领域：，特别涉及一种原子层沉积装置及原子层沉积设备。背景技术：：在装配机械设备中，整机包含多个机械模组或者机构，机械模组或者机构需要功能上相互关联，例

• 原子
• 旋转变换

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本实用新型涉及原子层沉积技术领域：，尤其涉及一种卷料装置及原子层沉积设备。背景技术：：原子层沉积(atomiclayerdeposition,ald)是一种在气相中使用连续化学

• 原子
• 原子结构

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