高产率CuInP2S6量子点的制备的制作方法
2021-02-02本发明属于纳米材料制备技术领域,具体涉及高产率cuinp2s6量子点的制备。背景技术:cuinp2s6晶体是一种具有层状结构的材料,该材料在室温下具有铁电特性,居里点约为310
晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系与流程
2021-02-02[0001]本申请涉及激光材料领域,具体而言,涉及一种晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系。背景技术:[0002]高功率固体激光是激光聚变、高能量密度物理与前沿基础科学研究必需的
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本发明属于纳米材料制备技术领域,具体涉及高产率cuinp2s6量子点的制备。背景技术:cuinp2s6晶体是一种具有层状结构的材料,该材料在室温下具有铁电特性,居里点约为310
[0001]本申请涉及激光材料领域,具体而言,涉及一种晶体涂膜元件及其制备方法、晶体膜系。背景技术:[0002]高功率固体激光是激光聚变、高能量密度物理与前沿基础科学研究必需的