[0001]本发明属于电子封装材料技术领域，具体涉及一种微纳米环氧树脂电子封装材料及其制备方法和应用。背景技术：[0002]随着5g技术的发展和便携式移动电子设备的快速更新，半

• 纳米
• 表观粘度
• 纳米线
• 电子封装
• 复合材料

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[0001]本发明涉及一种具有减阻功能的超疏水航行体及其制备方法，属于纳米材料和表界面材料制备技术领域。背景技术：[0002]目前，由于海洋环境的日趋复杂性，传统海洋航行体面临

• 氢氧化铜
• 纳米线
• 混合结构
• 纳米
• 科学

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[0001]本发明涉及一种基于硅纳米螺旋结构的精准病毒俘获及提取方法，属于生物医用技术领域。背景技术：[0002]冠状病毒严重威胁人类健康，因此对其的准确检测对研究其感染机理以

• 光刻胶
• 纳米线
• 纳米
• 氧化硅
• 等离子体

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[0001]本发明属于蛋白质还原方法技术领域，具体涉及一种激光诱导氧化型细胞色素c还原的方法。背景技术：[0002]以ti为基底的材料具有化学稳定性高，表面性能良好，光电性能具

• 细胞色素
• 光谱图
• 纳米线
• 纳米粒子
• 纳米

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本发明涉及锂离子电池技术领域，具体涉及一种二氧化钛包覆四氧化三钴蜂窝孔纳米线材料及其制备和应用。背景技术：和传统的铅酸电池、镍镉电池相比，锂离子电池具有能量密度和功率密度高、循

• 四氧化三钴
• 纳米线
• 纳米
• 去离子水
• 锂电池

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本发明涉及材料技术领域，具体而言，涉及一种过渡金属磷化物纳米线束、其制备方法及应用。背景技术：离子电池负极材料主要为石墨等碳素材料，其比容量较低，限制了锂离子电池的进一步发展与

• 过渡金属
• 纳米线
• 前驱体
• 纳米
• 纳米粒子

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本发明属于半导体外延技术领域，具体涉及一种垂直型β氧化镓纳米线阵列的外延方法。背景技术：现有技术中，β氧化镓纳米线阵列的生长方法主要包括倾斜阵列外延、垂直阵列au催化外延和含g

• 纳米线
• β氧化
• 纳米
• 外延生长
• 科普

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[0001]本发明涉及单晶同质外延膜技术领域，尤其涉及一种二氧化钛单晶外延薄膜的制备方法。背景技术：[0002]氧化物半导体薄膜在半导体电子学及器件中有重要的应用前景，但是低成

• 外延生长
• 纳米线
• 前驱体
• 纳米二氧化钛

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本发明属于纳米银技术领域，具体来说涉及一种超细银纳米线及其制备方法。背景技术：柔性透明导电薄膜是许多电子和光电子器件的重要组成部分，如显示器屏幕、电子皮肤和太阳能电池等。近年来

• 硝酸银
• 表面活性剂
• 纳米线
• 扫描电子显微镜

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[0001]本发明属于纳米材料制备技术，涉及一种利用聚合物裂解产生的尾气原位生长碳纳米管的方法。背景技术：[0002]聚合物衍生陶瓷由于其在陶瓷纤维，陶瓷涂层，纳米复相陶瓷以及

• 纳米陶瓷
• 纳米线
• 纳米
• 前驱体
• 硝酸镍

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