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本发明涉及二硫化钼(mos2)制备技术领域,特别涉及一种单层单晶mos2及其制备方法。背景技术:二硫化钼具有独特的光、电特性及良好的化学稳定性。二维mos2具有特殊的二维平面结
本发明涉及一种硫化铟纳米片阵列/泡沫石墨烯电极的制备及应用。背景技术:石墨烯(graphene)是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维碳纳米材料,具有优异的光
本发明涉及无机功能材料制备方法领域,尤其是一种盐辅助超声热解法制备m相二氧化钒纳米粉体的方法。背景技术:二氧化钒(vo2)是目前报道最多以及应用最广的一种钒氧化物,具有vo2(
本发明属于锂离子电池正极材料技术领域,具体涉及一种锂离子电池正极材料ncm811的制备方法。背景技术:锂离子电池具有高能量密度、寿命长和环境友好等优点,近年来已被应用于电动汽车
本发明涉及一种具有框架结构的杂原子掺杂碳材料的制备方法,属于材料合成技术领域。背景技术:为解决我国及世界范围内能源与环境问题和发展可持续经济与社会,开发清洁能源技术已迫在眉睫。
本发明涉及一种具有核壳结构的四元过渡金属碳化物材料及其制备方法,特别是一种具有核壳结构的i-max相材料及其制备方法。背景技术:max相(化学通式为mn+1axn,其中m为过渡
本发明涉及p型透明导电薄膜技术领域,尤其涉及一种p型透明导电sno2半导体薄膜及其制备方法和应用。背景技术:目前,透明导电氧化物(tco)在光电器件,绿色能源器件和智能传感器中
[0001]本发明涉及锂离子电池正极材料领域,具体涉及一种高电化学性能的镍锰二元前驱体的制备方法。背景技术:[0002]在动力电池领域,经过几十年的迭代更新,主流体系为磷酸铁锂
[0001]本发明涉及纳米材料技术领域,尤其涉及一种高电导率双壁碳纳米管薄膜的制备方法。背景技术:[0002]1991年,日本人iijima首次正式报道了碳纳米管的存在。碳纳米
[0001]本发明涉及水处理技术领域,具体是涉及一种空心莲子草制备的类石墨烯生物炭及其去除磺胺类抗生素的方法。背景技术:[0002]目前,大多数研究采用生物-生态处理、膜处理、
机器人结构¥24900.00
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手写输入识别系统及方法¥24900.00
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