本发明属于mxene制备技术领域，具体涉及一种单层二维纳米材料mxene的制备方法。背景技术：mxene自2011年美国yurygogotsi第一次被报道以来，材料研究呈上升趋

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本发明涉及二维纳米材料制备技术领域，尤其涉及制备二维ingete3纳米片及其异质结的方法。背景技术：二维材料是由单原子层或者多层原子组成的平面晶体结构材料，其性质与块体材料有极

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技术领域：本发明主要涉及多孔陶瓷领域，具体为一种高强度二维陶瓷丝网材料及其制备方法，适用于多种苛刻工业操作过程所需装备的构建与制造，特别适用于需要高强度、耐高温、耐化学腐蚀、耐

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本发明属于有机半导体技术领域：，具体来说涉及一种生长二维有机单晶膜的方法。背景技术：：二维有机单晶结合了二维材料容易制备，柔性，有机材料可设计结构，易溶解，少的电荷缺陷，无晶界

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本发明属于光催化技术领域，具体涉及光催化产氢、还原二氧化碳及重金属水处理技术中所需的光催化剂，尤其涉及一种富含缺陷的超薄二维纳米mos2的宏量制备方法。背景技术：随着工业化高速

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本发明属于绿色光催化技术领域，尤其涉及一种超临界剥离制备超薄二维掺杂氮化碳纳米片的方法及其高效光催化分解水的应用。背景技术：石墨化氮化碳(g-c3n4)作为一种二维半导体材料，

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二维材料限域掺杂条件下hmx/anpyo共晶的制备方法技术领域[0001]本发明属于含能材料技术领域，涉及一种二维材料限域掺杂条件下hmx/anpyo共晶的制备方法。背景技术：

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[0001]本发明属于含能材料技术领域，涉及一种石墨烯增韧二维高氮材料掺杂硝胺氧化剂及制备方法，具体涉及一种石墨烯增韧二维高氮材料掺杂硝胺氧化剂(rdx、hmx、bchmx、c

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[0001]本发明属于二维材料应用技术领域，具体涉及一种晶圆级二维材料的洁净转移方法。背景技术：[0002]近年来，由于二硫化钼、氮化硼、石墨烯等二维材料的光电特性，其日益受到

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二维fenb3se10纳米片的制备技术领域[0001]本发明属于二维材料制备技术领域，具体涉及二维fenb3se10纳米片的制备。背景技术：[0002]小带隙或零带隙二维材料由

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