[0001]本发明涉及烧结炉，具体涉及一种氮化硅陶瓷烧结用的烧结炉及其工作方法。背景技术：[0002]中国专利申请号：cn202010613549.3公开了一种钕铁硼真空烧结炉

• 烧结炉
• 氮化硅

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[0001]本发明涉及氮化硅陶瓷加工技术领域，具体为一种氮化硅陶瓷微波烧结用具有输料调节结构的烧结炉。背景技术：[0002]氮化硅陶瓷，是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷。氮化硅

• 氮化硅
• 烧结炉
• 振动电机
• 金属陶瓷
• 微波加热

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本实用新型属于点火器检测技术领域，具体涉及一种氮化硅点火器检测装置。背景技术：氮化硅点火器是目前广泛应用的点火器之一，在氮化硅点火器的生产过程中，需要对其进行测试和检测，防止点

• 点火器
• 氮化硅

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本发明涉及一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用。背景技术：诸如氧化硅(sio2)膜的氧化物膜和诸如氮化硅(sinx)膜的氮化物膜是代表性的绝缘体膜，并且在半导体制造过程中

• 氮化硅
• 磷酸
• 氧化硅
• 蚀刻

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本发明涉及石墨晶圆制备领域，尤其涉及一种半导体石墨晶圆及其制备方法。背景技术：晶圆是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后

• 晶圆
• 石墨
• 氮化硅
• 石墨结构
• 半导体

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本发明涉及油田化学堵漏技术领域：，具体为一种采油套管用高承压堵漏剂及其加工工艺。背景技术：：油气水井随着长期开采，一些老井，油层套管使用年限过长，固井水泥又没有完全封固油层套管

• 氮化硅
• 环氧树脂固化剂
• 加工工艺
• 偶联剂
• 膨润土

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相关申请的交叉引用本申请要求于2019年5月30日向韩国知识产权局(kipo)提交的第10-2019-0063737号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。本发明涉

• 氮化硅
• 烃基
• 磷酸
• 蚀刻
• 半导体产业

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本发明涉及一种蚀刻液及其制备方法和应用领域，特别涉及一种可以对晶圆上铝铜合金湿法蚀刻过程中生成的薄薄的氧化硅层进行选择性蚀刻的蚀刻液及其应用和使用方法。背景技术：晶圆作为生产集

• 氮化硅
• 晶圆
• 氟硼酸
• 氧化硅
• 蚀刻加工

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本发明涉及一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法。背景技术：例如氧化硅层或氮化硅层等无机薄层被用于各种半导体器件或太阳能电池中。通常通过使用气体的干式蚀刻及使用

• 氮化硅
• 磷酸
• 氧化硅
• 蚀刻

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本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法，更详细地，涉及蚀刻氮化硅膜时可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比的氮化硅膜蚀刻溶液及其制备方法。背景技术：现在，蚀刻氮化硅膜和

• 羟基
• 混合结构
• 氧化硅
• 化学式
• 氮化硅

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