[0001]本发明涉及一种从半导体稀释剂废液中回收丙二醇甲醚醋酸酯的方法，属于废液回收技术领域。背景技术：[0002]在半导体制造过程中稀释剂能够清除玻璃及硅片边缘和背面的多余

• 丙二醇甲醚
• 反应釜
• 半导体
• 半导体产业

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[0001]本发明涉及一种精密电子元器件清洗剂，特别地涉及一种半导体芯片清洗剂及其制备方法和应用，属于半导体清洗技术领域。背景技术：[0002]在半导体技术领域，对于半导体芯片

• 工业清洗剂
• 金属腐蚀
• 芯片
• 半导体
• 羟基

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[0001]本发明涉及半导体聚合物复合纳米材料，具体地，涉及一种金属氧化物@半导体聚合物复合纳米材料及其制备方法和应用。背景技术：[0002]近几年兴起的半导体共轭聚合物，其作

• 纳米粒子
• 纳米
• 半导体
• 半导体产业

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本发明涉及半导体晶片加工技术领域，尤其是涉及一种半导体晶片磨边装置。背景技术：半导体晶片通过对半导体晶棒进行切割得到，切割完成后，根据客户要求，需要对晶片的边缘进行打磨，得到特

• 半导体
• 电机
• 半导体产业

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本发明涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备。背景技术：气相外延工艺(vapourphaseepitaxy)是一种常见的外延生长技术，其能够实现在单晶衬底基片上

• 外延生长
• 半导体
• 半导体产业

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本发明属于制备二维材料的方法，涉及一种利用氧化物半导体纳米粉体剥离层状材料制备二维材料的方法，涉及采用含氧缺位p型半导体的氧化物纳米颗粒，与层状材料研磨复合，来剥离层状材料制备

• 半导体
• 二维材料
• 功函数
• 纳米
• 剥离强度

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本申请是申请号：201480031817.3，pct申请号：pct/jp2014/073085，申请日：2014.9.2，发明名称：“支承玻璃基板及使用其的搬送体”的申请的分案

• 玻璃基板
• 杨氏模量
• 半导体封装
• 半导体

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本实用新型涉及半导体致冷件生产技术领域的耗材，特别是涉及拉晶管。背景技术：晶粒是制造半导体致冷件的部件，晶粒的主要成分是三碲化二铋，作为制造致冷件的晶粒要求其内部的分子排列整齐

• 半导体
• 半导体产业

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本发明涉及用于生长高质量块状半导体单晶的系统和方法，更具体地，涉及基于物理气相传输在相对于重力方向的水平方向上水平生长半导体单晶(诸如碳化硅)的系统和方法。背景技术：碳化硅(s

• 晶体生长
• 过程控制
• 石墨结构
• 半导体
• 石墨

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本发明涉及单壁碳纳米管分离富集技术领域，具体为一种大直径半导体性单壁碳纳米管的分离方法。背景技术：碳纳米管可看成是由单层或多层石墨片绕中心轴按一定的螺旋度卷曲而成的管状纳米碳材

• 半导体
• 吸收光谱
• 多壁碳纳米管
• 半导体产业

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