专利名称：吡唑衍生物、它们的制备方法及应用的制作方法技术领域：本发明涉及式I所示吡唑衍生物式中n为0、1、2、3或4，n大于1时，取代基R1可以不同；m为0、1或2，m大于1时

• 吡唑
• 二甲基乙酰胺
• 原子结构
• 羰基
• 甲基

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本发明涉及生物质能源化工领域，更具体地，涉及一种化学覆盖法去除电容炭表面活性官能团的方法。背景技术：具有大孔、中孔和微孔的合理分层结构的活性炭材料对于高性能电极是必不可少的，但

• 原子
• 稻壳
• 原子结构
• 原子质量
• 电化学

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本公开涉及一种镍氢氧化体、正极材料、碱性电池和镍氢氧化体的制造方法。背景技术：日本专利公开2010-153261号公报公开了一种镍氢电池。技术实现要素：电池的工作电压是正极材料

• 原子结构
• 原子
• ni

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本发明涉及石墨烯材料制备技术领域，尤其涉及一种类石墨超分子及其制备方法、掺杂石墨烯及其制备方法。背景技术：石墨烯是一种碳原子以sp2杂化方式形成具有单原子层厚度的二维蜂窝状结构

• 石墨
• 原子
• 石墨烯
• 碳原子
• 原子结构

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本发明涉及一种高锌硅比zn-ssz-13/sapo-11复合结构分子筛及其合成方法。背景技术：早期沸石是指硅铝酸盐，它是由sio4四面体和alo4四面体为基本结构单元，通过桥氧

• 分子筛
• 原子结构
• 分子和原子
• 原子质量
• 丙烯

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本发明涉及一种高锌硅比cha型拓扑结构锌硅分子筛及其合成方法。背景技术：早期沸石是指硅铝酸盐，它是由sio4四面体和alo4四面体为基本结构单元，通过桥氧连接构成的一类具有笼形

• 分子筛
• 丙烯
• 原子结构
• 混合结构
• 分子和原子

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本发明包含在锗晶体的领域中。本发明具体涉及片状形态的α-锗晶体。背景技术：：包含来自元素周期表第14族元素(如硅或锗)的半导体材料在电子设备中的当前应用已使围绕源自这些元素的材

• 原子结构
• 晶体生长
• 晶体
• 离心分离
• 原子

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本实用新型涉及原子层沉积技术领域：，尤其涉及一种卷料装置及原子层沉积设备。背景技术：：原子层沉积(atomiclayerdeposition,ald)是一种在气相中使用连续化学

• 原子
• 原子结构

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本实用新型涉及原子层沉积技术领域：，特别涉及一种薄膜材料沉积反应装置。背景技术：：薄膜材料的沉积反应形式包括原子层沉积反应和化学气相沉积等，以薄膜材料的原子层沉积反应为例，原子

• 原子
• 原子结构

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本实用新型涉及一种自动上下料系统，尤其涉及一种高效原子沉积层镀膜设备自动上下料系统。属于真空镀膜技术领域。背景技术：高效晶硅电池是光伏产业的一个重要发展趋势。为最大限度增加晶硅

• 冷却系统
• 冷却水
• 电池片
• 原子结构

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