本申请涉及半导体纳米材料领域，具体而言，涉及一种金属量子点核壳异质结材料及其制备方法。背景技术：量子点具有优异的光学性能，较窄的半峰宽、高的发光效率和量子产率等特点，但量子点的

• 异质结
• 量子点
• 硫醇

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本发明涉及二维纳米材料制备技术领域，尤其涉及制备二维ingete3纳米片及其异质结的方法。背景技术：二维材料是由单原子层或者多层原子组成的平面晶体结构材料，其性质与块体材料有极

• 异质结
• 二维材料
• 纳米
• 真空环境
• 二维

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本发明涉及薄膜材料外延技术领域，尤其涉及一种分子束外延系统及分子束外延表面的温度控制方法。背景技术：在实现分子束外延碲镉汞材料的外延过程中，外延表面温度的变化对晶体质量会产生很

• 分子束外延
• 外延生长
• 异质结

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本发明属于二维异质结薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种bi2s3-hfs2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备装置及方法。背景技术：bi2s3是典型的二维半导体材料，由于具有热电性能、催

• 异质结

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本发明属于二维异质结薄膜材料制备技术领域，具体涉及一种res2-hfs2范德瓦尔斯异质结薄膜的制备装置及方法。背景技术：hfs2是典型的二维半导体材料，其能间带隙为1.2ev，

• 异质结

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[0001]本发明涉及一种光亮剂，特别是涉及一种异质结太阳能电池用化学镀镍光亮剂及其制备方法。背景技术：[0002]异质结太阳能电池是硅衬底上生长非晶硅薄层的太阳能电池，具有结

• 去离子水
• 异质结
• 化学镀镍
• 太阳能电池
• 镀镍

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一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔pecvd沉积工艺技术领域[0001]本发明涉及硅太阳电池，更具体地涉及一种用于硅异质结太阳电池生产的单腔pecvd沉积工艺。背景技术：[00

• 异质结
• 薄膜电池
• 钝化处理
• 表面等离子体
• 电池

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本发明属于纺织工程领域，涉及一种硫化镍-石墨相氮化碳异质结光触媒纤维，还涉及该光触媒纤维的制备方法。背景技术：随着科学技术的发展，人们对生活的质量要求越来越高，光触媒纺织品在自

• 硝酸镍
• 硫化镍
• 氮化碳
• 异质结
• 石墨

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