多片式薄膜垂直液相外延的石墨舟、生长装置及生长方法与流程
2021-01-31本发明涉及红外探测领域,尤其涉及一种多片式薄膜垂直液相外延的石墨舟、生长装置及生长方法。背景技术:由于碲镉汞材料是一种直接带隙半导体材料且具有可调的禁带宽度,可以覆盖整个红外波
一种石墨烯的成型设备的制作方法
2021-01-31本实用新型属于石墨烯成型技术领域,具体涉及一种石墨烯的成型设备。背景技术:石墨烯是从石墨材料中剥离出来且由碳原子组成的只有一层原子厚度的二维晶体,石墨烯有许多独特的性质,它是零
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本发明涉及红外探测领域,尤其涉及一种多片式薄膜垂直液相外延的石墨舟、生长装置及生长方法。背景技术:由于碲镉汞材料是一种直接带隙半导体材料且具有可调的禁带宽度,可以覆盖整个红外波
本实用新型属于石墨烯成型技术领域,具体涉及一种石墨烯的成型设备。背景技术:石墨烯是从石墨材料中剥离出来且由碳原子组成的只有一层原子厚度的二维晶体,石墨烯有许多独特的性质,它是零