[0001]本发明涉及电气电子、机械和汽车等领域结构部件的金属塑胶复合体的制备方法，以及由该制备方法获得的金属塑胶复合体和装置。背景技术：[0002]将物理性质和化学性质不同的

• 注射成型
• 化学吸附
• 塑料
• 有机物
• 蚀刻

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使用拾取工具的光学形成背景技术：[0001]本公开总体上涉及半导体器件制造，并且更具体地涉及在半导体器件上形成光学元件。[0002]半导体器件已在用于提供诸如以下益处的电子产品

• 光学
• 蚀刻
• 接口

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本发明涉及一种高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用。背景技术：诸如氧化硅(sio2)膜的氧化物膜和诸如氮化硅(sinx)膜的氮化物膜是代表性的绝缘体膜，并且在半导体制造过程中

• 氮化硅
• 磷酸
• 氧化硅
• 蚀刻

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相关申请的交叉引用本申请要求于2019年5月30日向韩国知识产权局(kipo)提交的第10-2019-0063737号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。本发明涉

• 氮化硅
• 烃基
• 磷酸
• 蚀刻
• 半导体产业

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本发明涉及一种蚀刻组合物，尤其涉及一种选择性蚀刻氮化钛(tin)硬光罩及残留物的蚀刻组合物。背景技术：由于市场需求，业界持续投入研究以开发出效能更高、耗能更低的微电子装置，且随

• 氮化钛
• 氢氧化铵
• 金属腐蚀
• 蚀刻

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本发明涉及一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法。背景技术：例如氧化硅层或氮化硅层等无机薄层被用于各种半导体器件或太阳能电池中。通常通过使用气体的干式蚀刻及使用

• 氮化硅
• 磷酸
• 氧化硅
• 蚀刻

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本发明涉及一种氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及可提高相对于氧化硅膜对氮化硅膜的蚀刻选择比的氮化硅膜蚀刻溶液及包括通过使用其来进行的蚀刻工序的半导体

• 磷酸
• 蚀刻
• 氧化硅
• 化学式
• 氮化硅

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[0001]本发明属于湿电子化学品和晶圆背面打毛加工交叉技术领域，具体涉及一种去磨纹的硅蚀刻液。背景技术：[0002]在集成电路芯片的制造中，需要在硅片背面注入金属，此金属层可

• 氢氟酸
• 蚀刻加工
• 氟化氢
• 去离子水
• 蚀刻

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[0001]本发明属于电子化学品领域，具体涉及一种硅片打毛液及其制备方法背景技术：[0002]在igbt功率器件芯片需要在硅片背面生长一层金属层来降低器件的本体电阻和电极的接触

• 蚀刻
• 氢氟酸

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本发明涉及一种显示面板摄像孔位避让的加工方法，属于玻璃表面加工技术领域。背景技术：随着手机、平板电脑等电子产品的不断发展，也在不断的成为人们生活办公的必需品，人们对于这些电子产

• 油墨
• 氢氟酸
• 蚀刻加工
• 蚀刻

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