制造耐腐蚀涂覆物品的方法，耐腐蚀涂覆物品及其用途与流程

[0001]
本发明总体上涉及在等离子体加工方法诸如等离子体蚀刻中保护表面的方法。特别地，本发明涉及利用气相化学沉积的方法制造耐等离子体腐蚀的涂覆物品。


背景技术：

[0002]
化学沉积方法，诸如化学气相沉积(cvd)和原子层沉积(ald)，在本领域中被广泛描述。通常被认为是cvd工艺的子类的ald技术已证明是用于在三维基底结构上制造高品质保形涂层的有效工具。
[0003]
已知氧化钇提供有效的对抗例如在广泛用于集成电路(ic)工业中的等离子体辅助处理诸如等离子体蚀刻或等离子体增强化学气相沉积(pecvd)期间产生的卤素等离子体，诸如氟和氯等离子体的保护。
[0004]
典型地，用物理气相沉积(pvd)或cvd方法沉积氧化钇。与这些技术相比，ald方法在多种三维制品上提供了完全保形且无针孔的涂层。通过在最倾向于在用于等离子体辅助处理的设备中等离子体腐蚀的这样的复杂零件如淋喷头、气体分布板、阀等上沉积氧化钇，可以使提及的其器件和零件具有额外的耐腐蚀性，特别地，耐等离子体腐蚀性。这将延长设备的寿命，并显著降低与腐蚀引起的修理和维修相关的成本。
[0005]
此外，与通过cvd或pvd沉积的膜相比，ald膜更洁净并且在膜中包含显著更少的颗粒/杂质；因此，ald涂覆零件可以用于被设计用于要求最终纯度的最苛刻的应用和技术节点的等离子体蚀刻器中。
[0006]
尽管ald技术提供了用于沉积对抗等离子体腐蚀的最佳材料(诸如例如，上述氧化钇)的所有优点，但是现有的解决方案受到若干缺点的阻碍。
[0007]
因此，常用的反应物及其组合没有提供允许在高工艺速度下在具有高纵横比的表面特征部(例如深腔、孔等)上沉积基本上无瑕疵的涂层的表面化学性质。随着工艺速度增加，涂层的品质，特别地，就保形性而言，显著降低。因此，在高纵横比特征部上沉积一些化合物诸如例如氧化钇时，所得涂层在那些特征部的一些零件(例如穿孔或最深的腔零件)内是不完整的或缺失的。
[0008]
另一方面，还在高速度沉积的条件下，已知若干允许ald的材料，诸如例如氧化铝产生完全保形涂层。
[0009]
在这方面，鉴于解决与在用于等离子体辅助处理的设备中使用的复杂三维物品上提供保护性涂层相关的挑战，仍然希望在制造具有多层涂层的耐腐蚀制品的领域中的更新。


技术实现要素：

[0010]
本发明的目的是解决或至少缓解由相关技术的局限和缺点引起的每个问题。该目的通过用于由异形基底制造耐腐蚀涂覆物品的方法、相关涂覆物品和其用途的各种实施方式来实现。
[0011]
因此，在本发明的一个方面，提供了用于由异形基底制造耐腐蚀涂覆物品的方法。
[0012]
在实施方式中，该方法包括：在用于化学沉积的装置r1中，将保形第一涂层沉积在该异形基底上，所述第一涂层作为第一金属化合物提供，以及在所述第一涂层的顶部上沉积作为第二金属化合物提供的第二涂层；在用于等离子体加工的装置r2中，将含卤素等离子体递送到涂覆有该第一涂层和第二涂层的该异形基底上以产生耐腐蚀第三涂层，其中在该第二涂层的顶部上形成该涂层的所述第三涂层由卤素掺杂的第二金属化合物组成。
[0013]
在实施方式中，在沉积所述第二涂层时，借助于该基底的异形部分，诸如凹部和/或穿孔建立没有该第二涂层的区域，并且其中在所述异形区域上形成涂覆物的该第三涂层由卤素掺杂的第一金属化合物组成。
[0014]
在实施方式中，第三涂层是耐等离子体腐蚀的。
[0015]
在实施方式中，第一金属化合物和第二金属化合物是金属氧化物。第一金属化合物可以作为氧化铝(al
2
o
3
)提供。
[0016]
在一些配置中，第二金属化合物可以作为氧化钇(y
2
o
3
)提供。在一些其他配置中，第二金属化合物选自以下中的任一种：氧化锶(sro)、二氧化锆(zro
2
)、二氧化铌(nbo
2
)、二氧化铪(hfo
2
)、五氧化二钽(ta
2
o
5
)或其组合。
[0017]
在实施方式中，在装置r2中被递送到异形基底上的含卤素等离子体是氟等离子体。在一些配置中，含卤素等离子体是氯等离子体。
[0018]
在实施方式中，用于化学沉积的装置r1是用于化学气相沉积的装置。在实施方式中，用于化学沉积的装置r1是用于原子层沉积(ald)的装置。
[0019]
在实施方式中，用于等离子体加工的装置r2选自以下中的任一种：用于等离子体增强化学气相沉积的装置、用于等离子体辅助物理气相沉积的装置或等离子体蚀刻器。
[0020]
在实施方式中，异形基底由选自由以下组成的组的材料制成：金属、金属合金、石英、半导体、以及陶瓷。
[0021]
在另一方面，提供了耐腐蚀涂覆物品。
[0022]
在实施方式中，耐腐蚀涂覆物品包括：具有沉积在其上的保形第一涂层的异形基底，所述第一涂层作为第一金属化合物提供，第二涂层，其沉积在所述第一涂层的顶部上并且作为第二金属化合物提供，以及第三涂层，其中在该第二涂层的顶部上形成的所述第三涂层由卤素掺杂的第二金属化合物组成。
[0023]
在实施方式中，涂覆物品包括没有第二涂层的区域，在沉积第二涂层时，借助于基底的异形部分，诸如凹部和/或穿孔建立所述缺乏的区域，其中在所述异形区域(没有第二涂层的区域)上形成的第三涂层由卤素掺杂的第一金属化合物组成。
[0024]
在实施方式中，第三涂层是耐等离子体腐蚀的。在实施方式中，第三涂层是耐卤素等离子体腐蚀的。
[0025]
在实施方式中，第三涂层中的卤素化合物是氟或氯。
[0026]
在实施方式中，异形基底由选自由以下组成的组的材料制成：金属、金属合金、石英、半导体、以及陶瓷。
[0027]
在实施方式中，涂覆物品被配置为在用于等离子体加工的设备中使用的部件，所述部件选自由以下组成的组：淋喷头、用于所述淋喷头的扩散器、底座、样品固持器、阀、阀块、销、歧管、管道、圆筒(汽缸)、盖子、以及容器。
[0028]
在还另一个方面，提供了根据一些以前方面的涂覆物品在用于等离子体辅助处理的设备中的用途，这些等离子体辅助处理选自等离子体蚀刻、等离子体增强化学气相沉积和物理气相沉积。
[0029]
取决于本发明的每个特定实施方式，本发明的实用性由多种原因而产生。该方法提供由异形基底制造具有三重保护层的耐腐蚀物品，诸如淋喷头和用于淋喷头的扩散器，该保护层将完全保形和非保形ald涂层组合以产生工作解决方案。附加地，该方法包括在等离子体加工装置中在固化工艺期间产生第三涂层，其中基底表面进一步通过卤素等离子体改性并且钝化。鉴于在使用高毒性的卤素(例如氟)等离子体之后，固化的基底留在等离子体加工装置中，即，不要求将固化的基底进一步转移到别处，这样的布置是有利的。
[0030]
因此，该方法使能够产生由于若干层及其组成而用于保护复杂的、经常穿孔的结构，诸如淋喷头、底座、管道、阀以及半导体设备或其他金属基底的歧管免受腐蚀的最佳涂膜叠层。
[0031]
该方法进一步允许用于延长蚀刻器部件的操作寿命，即，与在利用较不最佳的氧化钇前体的其他工艺相比，在维修之前操作组件的时间，诸如延长超过两倍。附加地，特别地，与需要非常长的吹扫周期(对于最高纵横比特征部长于一分钟)的现在的方法相比，用于制备保护性涂层的加工时间减少。
[0032]
在本公开中，层厚度小于10微米(μm)的材料被称为“薄膜”。
[0033]
表述“若干”在本文中指的是从一(1)开始的任何正整数，例如到一、二或三；然而表述“多个或多种”在本文中指的是从二(2)开始的任何正整数，例如，到二、三或四。
[0034]
术语“第一”和“第二”不旨在表示任何顺序、数量或重要性，而是仅用于将一个要素与另一个区分开。
附图说明
[0035]
图1a和1b示意性地展示了根据实施方式的用于由异形基底10制造涂覆物品100的方法。
具体实施方式
[0036]
图1a和1b示意性地展示了用于由异形基底10制造耐等离子体腐蚀的涂覆物品100的方法的各种实施方式的基础构思。
[0037]
异形基底10作为适合用于通过化学沉积方法涂覆的三维物体提供。本发明构思特别适用于异形基底，这些异形基底包含高纵横比特征部11，诸如凹部和/或穿孔，被称为“异形部”。因此，异形基底可以被配置为穿孔的基底、具有图案化表面的基底、或穿孔与图案化表面的组合。型材可以配置为离散的(例如，呈离散的、单个的孔口/孔的形式)或连续的，诸如凹槽、通道(包括穿通的通道)、沟槽等。虽然穿孔可以被描述为贯穿基底穿透的通孔或通道；但是凹部被描述为盲端孔。可以想到各种尺寸和形状的异形部分。
[0038]
在实施方式中，异形基底被配置为在用于等离子体加工的设备中使用的部件，诸如等离子体蚀刻器、用于等离子体增强化学气相沉积(pecvd)或用于等离子体辅助物理气相沉积(pvd)的反应器。在各种配置中，基底可以作为淋喷头、用于淋喷头的扩散器、底座、样品固持器、阀、阀块、销、歧管、管道、圆筒、盖子、以及容器提供。
[0039]
制成异形基底10的材料可以是以下中的任一种：金属、金属合金、石英、半导体(例如硅)或陶瓷。
[0040]
图1a展示了在用于化学沉积的装置(r1)中进行的本文公开的制造方法的阶段(i，ii)。
[0041]
用于化学沉积的装置r1可以被配置为用于化学气相沉积(cvd)的反应器。在一些配置中，装置r1可以被配置为用于原子层沉积(ald)的装置或用于分子层沉积(mld)的装置。
[0042]
在原子层沉积工艺中，在反应容器中典型地使至少一个基底(例如，金属晶片或半导体晶片)暴露于暂时分开的前体脉冲中以通过顺序自饱和表面反应在基底表面上沉积材料。
[0043]
ald基于交替的自饱和表面反应，其中在非反应性(惰性)气态载体中作为化学化合物或元素提供的不同反应物(前体)依次脉冲进入容纳基底的反应空间中。导致沉积层(原子层)的沉积的基本ald沉积循环由以下四个顺序步骤组成：脉冲a、吹扫a、脉冲b和吹扫b。脉冲a由第一前体流体组成并且脉冲b由另一种前体流体组成。惰性气体和真空泵典型地用于在吹扫a和吹扫b期间从反应空间吹扫气态反应副产物和残余反应物分子。沉积顺序包括至少一个沉积循环。重复沉积循环，直到沉积顺序已经产生了期望厚度的薄膜或涂层。沉积循环还可以是更简单的或更复杂的。例如，循环可以包括通过吹扫步骤分开的三个或更多个反应物蒸气脉冲，或可以省略某些吹扫步骤。另一方面，光增强ald具有多种选项，诸如仅一种活性前体，存在用于吹扫的多种选项。所有这些沉积循环形成了通过逻辑单元或微处理器控制的时控沉积顺序。
[0044]
在常规ald循环中形成的材料层通常为0.05-0.2nm厚。为了获得具有预定厚度的膜，循环根据需要重复多次。
[0045]
就总体实施而言，化学沉积反应器可基于例如美国专利no.8211235(lindfors)中描述的ald装备，或从芬兰picosun oy可获得的商标为picosun
tm p-300b ald系统或picosun
tm p-1000ald系统的ald装备。然而，本发明构思的基础特征可以结合到例如以ald、mld或cvd器件体现的任何其他化学沉积反应器或其任何子类型中，诸如例如光子增强原子层沉积(也称为光ald或闪增强ald)。
[0046]
反应器r1包括用于典型地在基底固持器中容纳一个或多个待涂覆的基底10的反应室。反应器r1进一步包括若干器具，其被配置为用于将流体流传递到反应空间(反应室)中。所提及的器具以若干吸入管线(下文中，进料管线)以及相关的开关和/或调节阀(未示出)提供。
[0047]
图1a展示了，在(i)中，将第一涂层1(第一表面层1)沉积到被配置为例如在pecvd方法中使用的淋喷头器件的示例性扩散器器件的异形基底10上。
[0048]
从本领域中已知用于淋喷头器件的扩散器。这样的扩散器器件通常被配置为具有任选地被布置成图案的多个孔口或穿通的通路11的板(在图1a、1b中被体现为基底10)。
[0049]
如在图1a(i)上示出的，第一涂层1是完全保形的并且覆盖暴露于反应性化学物的异形基底10的所有表面。
[0050]
第一涂层1通过第一金属化合物(me1)形成。在示例性实施方式中，形成所述第一涂层的第一金属化合物是通过示例性ald工艺经由三甲基铝(tma，al(ch
3
)
3
)用作前体a并且
水用作前体b的顺序反应产生的氧化铝(al
2
o
3
)。在前体脉冲之间，用惰性气体(例如氮气，n
2
)吹扫反应室。
[0051]
在一些其他配置中，第一涂层1可以通过其他金属氧化物，诸如例如钛(二)氧化物(tio
2
)形成。
[0052]
因此，在(i)中，基底(例如，被配置为扩散器板)设有完全遵循基底拓扑结构的第一涂层1。第一涂层优选地作为薄膜(具有厚度0.1nm
–
1μm)提供。
[0053]
在反应器r1中，在(ii)中通过将第二涂层2(第二表面层2)沉积在第一涂层1的顶部上，继续该方法。相应地，第二涂层通过第二金属化合物(me2)形成。
[0054]
在优选的实施方式中，第二金属化合物me2是氧化钇(y
2
o
3
)。氧化钇涂层已知是提供对抗用于在等离子体加工设备和方法中使用的零件和部件的等离子体腐蚀(诸如卤素(例如氟和氯)等离子体腐蚀)的有效的屏障保护的最好的部件之一。经由ald工艺通过使用氧化钇前体，诸如例如基于环戊二烯基的前体作为前体a以及水作为前体b沉积作为氧化钇提供的第二涂层2。示例性前体包括三(乙基环戊二烯基)钇(iii)和三(丁基环戊二烯基)钇(iii))。可以利用任何其他适当前体。
[0055]
然而，在包括被配置为氧化钇的第二金属化合物的所述第二涂层2的最佳的ald沉积(例如涉及高工艺速度)时，基底10中的高纵横比特征部11，诸如凹部和/或穿孔的涂层保形性显著降低。因此，由于表面化学性质，所以被配置为用于淋喷头器件的示例性板并且因此具有深腔或穿孔11的基底10不能在如用氧化铝涂覆对其涂覆时的短吹扫时间情况下被氧化钇ald-涂覆(即，完全保形性不能快速实现，诸如例如在小于约30秒的时间段内)。通过涉及高工艺速度的一种或多种工艺，我们指的是化学沉积(例如ald)工艺，其中第二前体在反应室中花费的时间段典型地不足以用于所述第二前体与基底的所有异形部分2a，诸如例如孔和腔反应。例如通过调整压力和温度(反应室内部和外部)、调节前体流量和前体流的温度、和/或通过调整样品上的异形部分的纵横比来调节前体在反应室中花费的时间段。
[0056]
在这方面，当沉积所述第二涂层2时，未涂覆的区域2a留在基底10的异形部分，诸如凹部和/或穿孔处。因此，第二表面层2的特点在于由于借助于异形部分11建立的区域2a的形成的不均匀的形貌，所述区域2a缺乏或完全没有第二涂层(第二金属化合物me2)。沉积第二表面层因此是非保形的。如在图1a(ii)上示出的，从基本上保形部分(2，me2)朝向缺乏的区域2a的过渡是典型地渐进的。这样的渐进性可以通过以下事实解释：到达到穿孔的基底10(从所有方向)上的一些反应性化学物，诸如钇前体，不到达通过基本上位于相对于基底的(上和下)表面的中心的通路11的侧向部分形成的区域2a(图1a，ii)。通路11的侧向部分在图1a上被表示为在通路11的两侧上提供的竖直侧壁。
[0057]
本文公开的工艺进一步允许用于沉积具有对于基底10完全保形性的第二涂层2(预先沉积有第一涂层1)。这可以通过调整沉积参数和/或通过选择具有不同表面化学性质的金属化合物来获得。
[0058]
在一些配置中，第二金属化合物作为氧化锶(sro)、锆(二)氧化物(zro
2
)、铌(二)氧化物(nbo
2
)、铪(二)氧化物(hfo
2
)、钽(五)氧化物(ta
2
o
5
)、或其组合提供。
[0059]
在实施方式中，第一涂层和第二涂层是金属氧化物。还在一些情况下，不排除提供通过金属氮化物、金属碳化物、金属氟化物或适合于通过化学沉积方法沉积的另一化合物形成的涂层1、2中的任一种。
[0060]
在一些配置中，用于化学沉积的装置r1可以采用加热的入口，如在转让给芬兰picosun oy的国际申请公开wo/2017/178690中描述的，该入口可以将进入的气体快速加热至高于反应温度的温度。因此，第二前体或惰性载气(诸如n
2
)可以被加热至比反应室更高的温度，因此改进从氧化钇前体中去除配体。为清楚起见，在用于沉积氧化钇的ald沉积循环中，所述第二前体/b是水，而第一前体/a可以是基于环戊二烯基配体的前体，如上文描述的。
[0061]
在一些情况下，在ald中，通过替换反应(所谓的三步骤abc反应)可以改进从氧化钇前体中去除配体，诸如涉及在用氧化钇前体(前体a)脉冲之后(和用水作为前体b脉冲之前)的第三脉冲(例如氯化铝，alcl
3
)的那些。特别地，具有氧化钇的高纵横比表面特征部诸如深沟槽的涂层，在大多数情况下是不完整的或缺失的；然而，通过涉及替换反应的程序，那些表面可以掺杂有铝金属(al)。特别地，在当提供通过氧化铝形成的第一涂层1的情况下，完全缺乏氧化钇涂层，在表面上提供金属铝是的确更优选的。
[0062]
在一些情况下，为了允许前体或留在反应室中持续较长的周期(从而不会立即从反应室中吹扫出反应物)，在沉积循环期间在化学沉积反应器r1中使用变化的压力可以是进一步有利的。这可以通过停流工艺或其修改来调整到排出泵前管线的流量(压力)来实施。
[0063]
在形成第二涂层2之后，将一个或多个基底10从用于化学沉积的装置r1转移到用于等离子体加工的装置r2(步骤iii，图1b)。反应器r2可以作为用于等离子体增强化学气相沉积的装置、用于等离子体辅助物理气相沉积的装置或等离子体蚀刻器提供。
[0064]
在等离子体加工装置r2中，这样安装异形基底10，以致使装置r2完全可操作，而在步骤(iii)之后不需要进一步移出或改变基底10在反应器内的位置。在异形基底10被配置为淋喷头或用于淋喷头的扩散器的情况下，将作为用于在晶片上分配一种或多种气体的淋喷头/扩散器的基底10安装到反应器r2内。因此，在反应器r1中的步骤(iii)期间，基底10不代替样品(晶片)。
[0065]
在(iii)，图1b中继续该方法，其中在用于等离子体加工的反应器r2中，包含卤素物质的等离子体被递送到涂覆有第一涂层和第二涂层的异形基底10上。在等离子体辅助加工期间形成的卤素离子与最顶部涂层碰撞并且植入到所述层内，因此产生卤素掺杂的表面层3、3a，被称为第三涂层。
[0066]
因此，在第二涂层2的顶部上形成涂覆物的第三涂层3由卤素掺杂的第二金属化合物(hl-me2)组成，而在异形区域2a上形成涂覆物的第三涂层3a由卤素掺杂的第一金属化合物(hl-me1)组成。为清楚起见，相应地，在第二涂层2的顶部上形成涂覆物的第三涂层通过附图标记3指定，并且在异形区域2a上形成涂覆物的第三涂层通过附图标记3a指定。
[0067]
在一些配置中，第三涂层3、3a是不均一的层，其具有通过卤素掺杂的第二金属化合物(例如卤素掺杂的氧化钇)形成的部分3和通过卤素掺杂的第一金属化合物(例如卤素掺杂的氧化铝)形成的部分3a。在步骤(ii)期间，图1a，部分3a在凹部、穿孔等内形成，即，第二金属化合物me2不能到达的区域。
[0068]
在一些配置中，当基底不包括异形部分并且第二涂层2对于所述基底是完全保形的时，第三涂层3通过卤素掺杂的第二金属化合物(hl-me2)形成在整个基底上。
[0069]
在该方法中，预涂覆有第一涂层并且至少部分地预涂覆有第二涂层的基底10在
(iii)中可以与包含氟的等离子体接触。对于沉积/掺杂，氟等离子体优选地是通过在气态介质，诸如sf
6
、cf
4
、chf
3
或c
4
f
8
气体中放电产生的冷等离子体。仍然不排除利用热等离子体技术。替代地，用氟离子在最高达350℃的升高的温度下实施氟化物掺杂。
[0070]
在一些配置中，可以利用含氯等离子体。如果合适，可以利用其他卤素物质(包括溴和碘)。
[0071]
固化涂覆有第一涂层并且至少部分地涂覆有第二涂层的基底10导致形成耐腐蚀的固化的表面层(第三涂层3)。特别地，所述第三涂层耐等离子体腐蚀，任选地由含卤素等离子体引起的等离子体腐蚀。
[0072]
在实例中，通过第一涂层1和第二涂层2(al
2
o
3
，y
2
o
3
)预涂覆的基底表面进一步掺杂有氟离子。示例性工艺在pecvd工具中进行，其典型地利用氟用于等离子体工艺。氟化物掺杂(iii，图1b)在300
–
350℃下被实施到最顶部层(其是通过y
2
o
3
形成的第二涂层或在缺乏第二涂层的区域2a中通过al
2
o
3
形成的第一涂层)。相同工艺可以在蚀刻器工具中在低等离子体功率下实施。
[0073]
在一些配置中，卤素掺杂的第一金属化合物(hl-me1)是氟化铝(alf
3
)，而卤素掺杂的第二金属化合物(hl-me2)是具有组成me2
x
of
y
的氟氧化物化合物，其中me2是钇、锶、锆、铌、铪或钽中的任一种。
[0074]
在一个方面，提供了由异形基底10形成的耐腐蚀涂覆物品100(图1b)，所述物品包括具有保护基底不受腐蚀，特别地不受等离子体引起的腐蚀的三重层膜1、2、3的异形基底10。
[0075]
因此，涂覆物品100包括对于基底保形的并且通过第一金属化合物(me1)形成的第一涂层1，沉积在所述第一涂层1的顶部上并且通过第二金属化合物(me2)形成的第二涂层2，以及第三涂层3、3a。第一金属化合物和第二金属化合物优选地是上文描述的金属氧化物。
[0076]
在实施方式中，在第二涂层2的顶部上形成涂覆物的第三涂层3由卤素掺杂的第二金属化合物(hl-me2)组成。
[0077]
在一些实施方式中，涂覆物品100包括在(完全保形的)第一涂层1的顶部上非保形沉积第二涂层2时建立的没有第二涂层2的区域2a。区域2a在基底的高纵横比(异形)部分11，诸如凹部和/或穿孔处形成。因此，所述异形区域2a上的形成涂覆物的第三涂层3a由卤素掺杂的第一金属化合物(hl-me1)组成。
[0078]
在实例中，被配置为异形基底10，诸如用于淋喷头器件的扩散器器件的涂覆物品100在其基本上平坦的平面的部分处包括三重层膜(1，2，3)，该三重层膜包括顶部的第三涂层(y
x
of
y
)、中间的第二涂层(y
2
o
3
)以及底部的第一涂层(al
2
o
3
)。这样的三重层膜足以比现有技术中已知的解决方案更有效地经受等离子体加工中的离子轰击。在扩散器穿孔内，提供第一涂层(例如通过例如氧化铝的完全保形的涂层)，在等离子体固化(阶段iii，图1b)时其变成卤素掺杂的。后者工艺与在结构的顶部上形成作为第三涂层的氟化铝(alf
3
)有关，该第三涂层足以经受攻击性较小的离子轰击。换句话说，在穿孔或深腔内提供双层膜(1，3a)是足够的，因为在等离子体处理时提及的高纵横比特征部不典型地经受最密集的腐蚀。
[0079]
在分开的装置r2中提供第三涂层允许用于通过卤素等离子体在等离子体蚀刻器或pecvd或pvd工具中进一步使涂覆的基底表面改性并且钝化。
[0080]
可以省略方法的最后阶段(iii，图1b)。在当通过1、2涂覆的基底被放入到其中大气中的氧气可以攻击有待涂覆的表面的条件时的情况下，这是特别有利的。例如，通过第一涂层和第二涂层涂覆的基底10可以是适合于构造用于太空的物体，诸如卫星，特别是近地轨道(leo)卫星，的外表面的部件。
[0081]
本领域技术人员应当理解，本公开中阐述的实施方式可以根据需要进行调整和组合。因此，本公开旨在涵盖在所附权利要求的范围内的本领域的普通技术人员可识别的器件和沉积方法的任何可能的修改。

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