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一种半导体工艺设备的制作方法
2021-01-31本发明涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种半导体工艺设备。背景技术：气相外延工艺(vapourphaseepitaxy)是一种常见的外延生长技术，其能够实现在单晶衬底基片上
多片式薄膜垂直液相外延的石墨舟、生长装置及生长方法与流程
2021-01-31本发明涉及红外探测领域，尤其涉及一种多片式薄膜垂直液相外延的石墨舟、生长装置及生长方法。背景技术：由于碲镉汞材料是一种直接带隙半导体材料且具有可调的禁带宽度，可以覆盖整个红外波
分子束外延系统及分子束外延表面的温度控制方法与流程
2021-01-31本发明涉及薄膜材料外延技术领域，尤其涉及一种分子束外延系统及分子束外延表面的温度控制方法。背景技术：在实现分子束外延碲镉汞材料的外延过程中，外延表面温度的变化对晶体质量会产生很
一种降低HVPE外延膜中Si含量的镓舟结构的制作方法
2021-01-30本发明涉及单晶材料生长技术，尤其是涉及一种降低hvpe外延膜中si含量的镓舟结构，是一种水平结构卤化物气相外延（hvpe）炉所用的新型镓舟结构。背景技术：氧化镓（ga2o3）是
气相外延室的制作方法
2021-01-30本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种气相外延室。背景技术：氢化物气相外延技术(hydridevaporphaseepitaxy，hvpe)是目前较常用的制备gan材料的
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