本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，特别是涉及一种pvt法生长碳化硅晶体的生长方法。背景技术：以碳化硅为代表的第三代半导体相比于硅基半导体具有禁带宽、饱和电子迁移率高、击穿电场强

• 石墨坩埚
• 石墨
• 孔隙率
• 晶体生长
• 石墨板

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本发明涉及到碳化硅晶体生长领域，具体涉及一种可调节碳化硅单晶生长体系气氛的生长坩埚和方法。背景技术：智能通讯、智能汽车、航天航空、核能技术、万物互联技术的发展，对赖以依靠的电子

• 石墨
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• 碳化硅石墨坩埚
• 复合板

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本发明涉及外墙保温板芯材领域，具体是一种外墙板用的石墨防火保温芯材及其制备方法。背景技术：当下外墙保温建筑施工领域多采用保温板薄抹灰外墙外保温系统体系，其保温板芯材有的是有机材

• 石墨
• 石墨板
• 搅拌机

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本发明涉及外墙保温板领域，具体是一种双面复合加强保温装饰一体化外墙板。背景技术：当下外墙保温建筑施工领域多采用保温板薄抹灰外墙外保温系统体系，采用粘结和锚固方式组合的，这种体系

• 石墨
• 保温一体板
• 石墨结构
• 石墨板

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