本发明属石墨基新型复合材料技术领域，具体涉及一种石墨基耐氧化型材、制备方法及应用。背景技术：石墨基热压型材，具有较好的导电、导热能力和抗热震性能，不浸润金属材料，可经中频感应发

• 石墨
• 碳化硼
• 金属铝
• 石墨模具
• 石墨结构

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本发明属于结构陶瓷材料技术领域，具体属于一种纳米木质素-氮化硅基陶瓷及其制备方法。背景技术：氮化硅陶瓷，是一种烧结时不收缩的无机材料陶瓷，因具有高硬度高韧性的良好综合力学性能，

• 陶瓷
• 氮化硅
• 木质素
• 石墨
• 纳米陶瓷

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本发明涉及石墨烯晶体薄膜制备技术领域，特别是涉及一种电子束扫描制备石墨烯晶体薄膜的装置。背景技术：石墨烯粉体、石墨烯晶体薄膜是目前得到行业领域公认的两种石墨烯。当前，石墨烯粉体

• 电子枪
• 石墨
• 真空环境
• 电子束
• 接地系统

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本发明属于硅片制备领域，特别是涉及一种单晶生长设备及生长方法。背景技术：：直拉法是现有的一种常用的单晶生长方法，又称为切克劳斯基法，简称cz法。cz法的特点是在一个直筒型的炉体

• 温度梯度
• 石墨结构
• 相对速度
• 石墨

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本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，特别是涉及一种pvt法生长碳化硅晶体的生长方法。背景技术：以碳化硅为代表的第三代半导体相比于硅基半导体具有禁带宽、饱和电子迁移率高、击穿电场强

• 石墨坩埚
• 石墨
• 孔隙率
• 晶体生长
• 石墨板

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本发明涉及石墨坩埚，具体是一种铸锭单晶硅或多晶硅中可重复利用的石墨坩埚及使用方法。背景技术：光伏平价上网时代即将来临，经济性驱动全球光伏装机持续增长。受益于光伏产业链各环节成本

• 石墨坩埚
• 多晶硅
• 石墨
• 石墨结构

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本发明涉及气相沉积领域，尤其涉及一种石墨载盘及具有其的mocvd反应装置。背景技术：mocvd(metal-organicchemicalvapordeposition，金属有

• 石墨
• 石墨结构

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本发明涉及复合材料制备领域，尤其涉及一种石墨烯/活性炭复合材料的制备方法。背景技术：活性炭拥有超高比表面积，但是导电性差，在超电容应用方面存在一定局限。石墨烯不仅具有超高比表面

• 石墨
• 导电性
• 氧化石墨烯
• 活性碳
• 石墨结构

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本发明属于化学品生产技术领域，涉及一种石墨烯，具体涉及一种生物质石墨烯的制备方法。背景技术：石墨烯(graphene)是一种由碳原子以sp2杂化轨道组成六角型呈蜂巢晶格的二维材

• 生物质
• 石墨
• 石墨烯
• 石墨结构
• 电解液

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本发明涉及石墨纸生产装置技术领域，具体一种高导热石墨纸生产工艺及其制造设备。背景技术：随着电子产品的升级换代的加速和迷你、高集成以及高性能电子设备的日益增长的散热管理需求，也推

• 石墨
• 蠕虫
• 石墨结构
• 螺纹加工
• 螺纹规格

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