本发明属于材料安全领域，涉及氟磷灰石固溶体合成方法及其应用。该方法利用氟离子可以替代羟基(-oh)进入羟基磷灰石晶格，形成氟磷灰石固溶体。背景技术：氟(f)，位于元素周期表第二

• 磷灰石
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本发明属于活性炭材料制备技术领域,具体涉及一种氮氧共掺杂分级多孔碳材料的制备方法及其在超级电容器上的应用。背景技术：超级电容器是一种介于传统电容器与电池之间的新型储能元件，架起

• 聚乙烯吡咯烷酮
• 超级电容器
• 气凝胶
• 多孔材料
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本发明属于材料制备技术领域，具体涉及一种制备一维纳米氢氧化锌棒的方法。背景技术：纳米材料具有表面与界面效应、小尺寸效应、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应，纳米材料的可控合成是纳米

• 氢氧化锌
• 纳米
• 科学
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本发明属于功能薄膜材料技术领域，具体是磁性薄膜材料技术领域，涉及一种嵌入多纳米片的碲化铬薄膜、其制备方法及应用。背景技术：随着科学技术的发展和社会的进步，具有高tc的垂直磁各向

• 科学
• 霍尔效应
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本发明属于碳纳米管干胶技术领域：，更具体地，涉及一种具有分级结构的碳纳米管干胶及制备与作为粘接剂的应用。背景技术：：2000年autumn等研究人员通过微机电系统传感器测试，证

• 碳纳米管
• 乙烯
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• 水蒸气
• 等离子体

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本发明涉及一种多层鸡蛋卷状复合超硬相c3n4纳米管及其制备方法，主要应用于纳米材料和复合材料制备领域，对超硬氮化碳及其复合材料的合成与应用具有重要意义。背景技术：氮化碳(c3n

• 纳米管
• 科学

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本发明涉及一种合成高纯度六方柱形二氧化硅纳米多孔材料的方法，属于材料科学研究领域。背景技术：纳米多孔材料作为纳米材料的一员，有着大的比表面积结构和性质，因而在纳米科技领域占有独

• 多孔材料
• 纳米二氧化硅
• 纳米
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本发明属于晶体生长控制技术领域，具体涉及一种适用于晶体生长过程的行波磁场控制方法。背景技术：近年来，晶体生长过程中磁场控制技术的相关研究逐渐受到重视。磁场一般可分为动态磁场和静

• 晶体生长
• 磁场强度
• 电流的磁场
• 晶体
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本发明涉及纳米复合材料技术领域，具体涉及一种花球状硒化钼纳米粒子的制备方法。背景技术：过渡金属硫族化合物因其具有较为特殊的电子结构，相对于氧化物而言，硫族化合物具有更窄的帯隙和

• 纳米粒子
• 纳米
• 科学
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本发明属于电池负极材料技术领域，具体涉及一种以木头为原料制备三维孔道结构的方法。背景技术：自工业革命以来，传统化石燃料的使用，导致全球气候大规模变暖。开发更加清洁的太阳能、风能

• 亚硫酸钠
• 科学

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