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一种直拉法单晶炉及其熔体温度梯度控制方法与流程
2021-01-31本发明涉及单晶硅生产技术领域，具体地说，涉及一种直拉法单晶炉及其熔体温度梯度控制方法。背景技术：近年来硅单晶的生长技术发展迅速，更低成本更高品质的单晶硅推动了晶硅电池走向平价发
制作用于光学元件的基板的方法以及反射光学元件与流程
2021-01-31相关申请的交叉引用本申请要求2018年5月17日提交的德国专利申请102018207759.2的优先权，该申请的全部公开内容被视为本申请的公开内容的一部分并通过引用并入本申请的
一种拉晶生长装置及单晶硅生产设备的制作方法
2021-01-31本实用新型涉及半导体晶体制备领域，特别是涉及一种拉晶生长装置及单晶硅生产设备。背景技术：随着新能源技术的发展，光伏产业的竞争越来越激烈，而降低单晶生产成本、提高生产效率就成了各
一种高效控温单晶硅铸锭炉的制作方法
2021-01-31本发明涉及铸锭炉技术领域，具体为一种高效控温单晶硅铸锭炉。背景技术：半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，硅、锗、砷化镓和硫化镉都是半导体材料，半导体材料的电阻率随着温度升高和
一种单晶炉的制作方法
2021-01-31本实用新型涉及单晶硅技术领域，具体涉及一种单晶炉。背景技术：多晶硅是生产太阳能光伏产品和半导体产品的主要原材料。丘克拉尔斯基(czochralski，简称：cz)法是制备单晶硅
一种大直径单晶硅生产设备的制作方法
2021-01-31本发明涉及单晶硅生产技术领域，具体为一种大直径单晶硅生产设备。背景技术：单晶硅为一种半导体材料，一般用于制造集成电路和其他电子元件，单晶硅生长技术有两种:一种是区熔法，另一种是
单晶硅的氧浓度推断方法及单晶硅的制造方法与流程
2021-01-31本发明涉及一种单晶硅的氧浓度推断方法及单晶硅的制造方法。背景技术：在单晶硅的制造中使用被称为提拉法(以下，也称为cz法)的方法。例如，在减压惰性(ar)气体环境中，使用电阻加热
一种用于铸锭单晶硅的坩埚的制作方法
2021-01-30本发明涉及硅晶体生长技术领域，尤其是一种采用铸锭或铸造方式进行半导体与光伏太阳电池所用的单晶硅生长的坩埚。背景技术：现有的单晶硅晶体生长主要采用ｃｚ法直拉单晶生长方式。一般采用
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