一种MOCVD装置的制作方法

本实用新型涉及半导体设备制造技术领域，尤其涉及一种化学气体沉积设备。

背景技术：

发光二极管(lightemittingdiode，简称led)具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。近年来，led已在日常生活中得到广泛应用，例如照明、信号显示、背光源、车灯和大屏幕显示等领域。氮化镓（gan）晶体是发光二极管中的核心组成部分，工业上通常采用金属有机化合物化学气相沉积(metal-organicchemicalvapordeposition，简称mocvd)设备来生长。

现阶段，利用mocvd设备进行化学反应生长gan晶体时，会产生大量的反应废弃物，这些废弃物会附着在mocvd设备反应腔的内表面、底部及顶盖上，因此在生产一段时间之后需将反应腔内的废弃物清理干净。由于清理废弃物时需将反应腔的顶盖打开，用真空吸尘器将腔体内部空间沉积物吸干净。在反应腔顶盖打开的过程中，空气中的水氧气体容易附着在顶盖和腔体的内表面上。由于清理顶盖时长较短，大部分时间都是在等待清理腔体内部空间反应沉积物和更换机台备件。反应腔的清理时间越长，顶盖暴露在空气中的时间越长，水氧分子附着的浓度会越大，其对后续gan晶体生长带来不利影响就越大。顶盖内部吸附的水氧杂质如不能快速、有效的去除，腔体内部空间环境恢复时间较长，造成产能损失、晶体质量差、亮度低等问题。

技术实现要素：

为了解决以上的问题，本实用新型提出一种mocvd装置，包括反应腔，反应腔上有密封用的顶盖，顶盖包括相对的内侧表面和外侧表面，内侧表面朝向反应腔的腔体内部空间，其特征在于：mocvd还包括一个保护罩，保护罩用于罩住顶盖的内侧表面。

优选地，所述保护罩通过可拆卸的连接方式连接在mocvd装置上。

优选地，所述保护罩通过可拆卸的连接方式连接在mocvd顶盖的边缘。

优选地，所述保护罩的可拆卸的连接方式包括螺丝或者卡扣的方式。

优选地，所述保护罩的表面为非金属材料。

更优选地，所述保护罩的表面为树脂材料。

更优选地，所述保护罩的表面为亚克力材料，pc材料或者abs树脂材料。

优选地，所述顶盖上包括气体管道。

本实用新型提出的mocvd装置包含以下有益效果：

1，在mocvd机台拆炉维护过程中，通过保护罩可避免顶盖长时间接触大气中的水氧；

2，减少顶盖内部残留mo源与水氧反应时长；

3，加快复机速度，提高产能；

4，减少生长过程中水氧释放对产品性能的不良影响，提高产品良率。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。

图1为本实施例1中所提及的保护罩装至顶盖后的结构的剖面示意图。

图2为本实施例1中所提及的mocvd顶盖保护罩的主体示意图。

图3为本实施例1中所提及的mocvd顶盖保护罩的剖面示意图。

图中：1：顶盖；2：保护罩；3：alkyl管道；4：mainhydride管道；5：purge管道；6：n2源；7：螺丝固定孔；8：开孔。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本实用新型中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图示中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

实施例一

本实用新型提供一种mocvd装置，包括反应腔，反应腔上有密封用的顶盖，顶盖还包括相对的内侧表面和外侧表面，内侧表面朝向反应腔的腔体内部空间，其特征在于：mocvd还包括一个保护罩，保护罩用于罩住顶盖的内侧表面。图1为保护罩2装至顶盖后的结构示意图，如图1所示，所示保护罩2位于mocvd顶盖1的下方，通过螺丝或卡扣的方式固定在mocvd顶盖1边缘。本实施例，优选保护罩2通过螺丝固定在mocvd顶盖的边缘。如图2和图3所示，保护罩2可为长方体形状，保护罩2上部的中间区域有个圆柱体的开孔8，保护罩的四侧有四个螺丝固定孔7。所述保护罩2为可拆卸的，拆炉过程中将保护罩2通过螺丝定位孔7装至顶盖1的边缘，拆炉完成后可从顶盖1的下方移除，放置在备件间，以便下次拆炉维护使用。所述保护罩2的表面为非金属材料，更优选的为树脂材料，更优选的为亚克力材料，pc材料或者abs材料。本实施例中，优选保护罩2的材料为亚克力材料。所述mocvd顶盖1上部包含三种管道，分别为alkyl管道3，mainhydride管道4和purge管道5。

在mocvd机台生长一段时间后，会有大量的废弃物附着在mocvd设备反应腔的内部、底部和顶盖上，需打开顶盖进行清理动作。在拆开反应室腔体后，先擦拭顶盖1的反应沉积物，然后将保护罩2用螺丝或者卡扣的方式固定在顶盖1的边缘上，位于顶盖2的下方；将顶盖1上部的alkyl管道3、mainhydride管道4、purge管道5与外部惰性气体（n2）管道相连，所述n2管道的压力范围为0.4-0.6mpa，保持氮气的持续向外吹扫，使顶盖和保护罩内保持正压，其压力范围为0-0.2mpa；然后进行反应室内表面和尾气管道的反应沉积物清理，并对反应室的备件进行更换，此过程需要耗费较长的时间，一般为2~3小时；待反应室备件安装完毕，检查无异常时再快速拆除保护罩，并将反应室关闭进行抽低压测漏。

通过所述mocvd机台顶盖保护装置，可在mocvd机台拆炉维护过程中，避免顶盖长时间接触大气中的水氧；减少顶盖内部残留mo源与水氧反应时长；加快复机速度，提高产能；减少生长过程中水氧释放对产品性能的不良影响，提高产品良率。

需要说明的是，以上实施方式仅用于说明本实用新型，而并非用于限定本实用新型，本领域的技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，可以对本实用新型做出各种修饰和变动，因此所有等同的技术方案也属于本实用新型的范畴，本实用新型的专利保护范围应视权利要求书范围限定。

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