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一种粗银提纯的方法与流程

2021-01-30 20:01:42|342|起点商标网
一种粗银提纯的方法与流程

本发明涉及火法冶金技术领域,尤其涉及一种粗银提纯的方法。



背景技术:

银是较早被人类发现并利用的金属之一。银是导电性、导热性、反射性最好的金属,也拥有良好的化学稳定性和机械性能,因而被广泛应用在感光材料、装饰材料、工艺品、电接触材料、复合材料、合金焊料(如sn-ag、sn-ag-zn系无铅焊料)、银浆、能源工业(银-锌电池、燃料电池、氢能、核能与太阳能的利用)、催化剂(有机合成等)、医学药物、抗菌材料等领域。

目前粗银的提纯方法主要有化学提纯和萃取提纯。

银的化学提纯方法是先将银转化为氯化银等,再选用合适的还原剂将银还原出来,主要有氨浸-水合肼还原提纯、金属粉置换法等方法。

银为亲硫元素,可用含硫萃取剂进行银的萃取提纯。授权公告号为cn106924994b的发明专利提供了一种双水相体系萃取分离银的方法,具体包括待分离含银溶液与双水相体系和络合剂混合萃取,静置分层,银离子分离进入有机相,其中双水相体系包括c2~c3的醇、水和盐析剂,络合剂选自硫氰酸钾和十六烷基三甲基溴化铵中的一种或几种。

上述提纯方法普遍存在步骤冗长,操作复杂的问题,且化学提纯还会产生废酸废液。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种粗银提纯的方法,具有工艺流程短、操作简单、无废水废气产生、绿色高效等优势。

为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:

本发明提供了一种粗银提纯的方法,包括以下步骤:

将盛有粗银原料的坩埚放入真空蒸馏炉,在所述坩埚顶部安装冷凝装置,关闭所述真空蒸馏炉,打开所述真空蒸馏炉的冷却水,打开真空泵将所述真空蒸馏炉抽真空,待炉内压强下降至1~10pa时,开启升温和保温程序,所述保温程序的保温温度为1100~1400℃,保温过程中维持炉内压强为1~10pa;保温后冷却,待炉体冷却后关闭真空泵,打开所述真空蒸馏炉的放气阀,取出冷凝装置,在冷凝装置中得到冷凝的粗银提纯产品;

所述真空蒸馏炉为立式结构;

所述冷凝装置包括底部开口的壳体,所述壳体的底部开口与坩埚的顶部开口连通;所述壳体的顶部为封闭结构;所述壳体内在竖直方向上设置有多层冷凝盘,冷凝盘的层数在3层以上;每层冷凝盘上均开设有蒸汽通道,相邻层冷凝盘上的蒸汽通道错开分布。

优选的,所述保温程序的保温时间为30~180min。

优选的,所述冷凝装置中冷凝盘的层数为3层,由下到上分别为第一层冷凝盘、第二层冷凝盘和第三层冷凝盘。

优选的,所述第一层冷凝盘距坩埚上部的距离为1~4cm,第二层冷凝盘距坩埚上部的距离为4~6cm,第三层冷凝盘距坩埚上部的距离为8~14cm;所述第一层冷凝盘和第二层冷凝盘距坩埚上部的距离不同时为4cm。

优选的,所述冷凝装置的高度为20cm。

优选的,所述蒸汽通道的直径为2~5cm。

优选的,所述粗银的纯度在50%以上,粗银提纯产品的纯度为98%以上。

优选的,所述粗银中的杂质包括se、te、sb、pb、bi、sn、cu、au和fe中的一种或多种。

优选的,所述升温的速率10~15℃/min。

优选的,所述冷却的温度在100℃以下。

本发明提供了一种粗银提纯的方法,包括以下步骤:将盛有粗银原料的坩埚放入真空蒸馏炉,在所述坩埚顶部安装冷凝装置,关闭所述真空蒸馏炉,打开所述真空蒸馏炉的冷却水,打开真空泵将所述真空蒸馏炉抽真空,待炉内压强下降至1~10pa时,开启升温和保温程序,所述保温程序的保温温度为1100~1400℃,保温过程中维持炉内压强为1~10pa;保温后冷却,待炉体冷却后关闭真空泵,打开所述真空蒸馏炉的放气阀,取出冷凝装置,在冷凝装置中得到冷凝的粗银提纯产品;所述真空蒸馏炉为立式结构;所述冷凝装置包括底部开口的壳体,所述壳体的底部开口与坩埚的顶部开口连通;所述壳体的顶部为封闭结构;所述壳体内在竖直方向上设置有多层冷凝盘,冷凝盘的层数在3层以上;每层冷凝盘上均开设有蒸汽通道,相邻层冷凝盘上的蒸汽通道错开分布。

本发明将真空蒸馏炉的温度设置为1100~1400℃,炉内压强抽至1~10pa,在此温度和压强条件下,粗银中的sn、cu、au和fe杂质不挥发,作为残留物残留在坩埚的底部;而杂质元素se、te、sb、pb、bi和主金属ag挥发。本发明利用真空蒸馏炉的立式结构、炉内发热体与水冷炉盖之间的温度梯度、粗银真空挥发物在1~10pa下冷凝温度的差异实现银与易挥发杂质的分区冷凝。具体的,在炉内压强1~10pa范围内,杂质元素se、te、sb、pb、bi的冷凝温度在1000℃以下,而银冷凝的温度在1015~1150℃,银冷凝到冷凝装置中位置靠下的冷凝盘中,杂质元素se、te、sb、pb、bi冷凝到冷凝装置中位置靠上的冷凝盘中形成杂质合金,进而实现了银的提纯。

本发明整个提纯过程在密闭的真空蒸馏炉内进行,工艺流程短、设备操作智能简单、无任何试剂药品添加,无废水废气产生、绿色高效。

附图说明

图1为本发明冷凝装置和坩埚的装配示意图;

图2为本发明提纯方法的原理图。

具体实施方式

本发明提供了一种粗银提纯的方法,包括以下步骤:

将盛有粗银的原料坩埚放入真空蒸馏炉,在所述坩埚顶部安装冷凝装置,关闭所述真空蒸馏炉,打开所述真空蒸馏炉的冷却水,打开真空泵将所述真空蒸馏炉抽真空,待炉内压强下降至1~10pa时,开启升温和保温程序,所述保温程序的保温温度为1100~1400℃,保温过程中维持炉内压强为1~10pa;保温后冷却,待炉体冷却后关闭真空泵,打开所述真空蒸馏炉的放气阀,取出冷凝装置,在冷凝装置中得到冷凝的粗银提纯产品;

所述真空蒸馏炉为立式结构;

所述冷凝装置包括底部开口的壳体,所述壳体的底部开口与坩埚的顶部开口连通;所述壳体的顶部为封闭结构;所述壳体内在竖直方向上设置有多层冷凝盘,冷凝盘的层数在3层以上;每层冷凝盘上均开设有蒸汽通道,相邻层冷凝盘上的蒸汽通道错开分布。

在本发明中,所述粗银的纯度优选在50%以上,粗银中的杂质优选包括se、te、sb、pb、bi、sn、cu、au和fe中的一种或多种。

在本发明中,所述真空蒸馏炉为立式结构。真空蒸馏炉为立式结构,炉盖位于炉体的上方,自带冷却水装置对炉盖和炉体进行冷却,当打开冷却水时,使得真空蒸馏炉在竖直方向形成温度梯度,由下到上温度依次降低。由于加热体位于坩埚的四周,因此整个坩埚都可以达到1100~1400℃;从坩埚上部开始,向上温度依次降低。

本发明在盛有粗银的坩埚顶部安装冷凝装置。如图1所示,所述冷凝装置包括底部开口的壳体,所述壳体的底部开口与坩埚的顶部开口连通;所述壳体的顶部为封闭结构;所述壳体内在竖直方向上设置有多层冷凝盘,所述冷凝盘的层数在3层以上,每层冷凝盘上开设有蒸汽通道,相邻层冷凝盘上的蒸汽通道错开分布。

在本发明中,冷凝盘的层数可以根据实际需求进行控制。具体的,当需要将粗银中的杂质元素se、te、sb、pb、bi逐一分离出来时,可以根据杂质组分数设置更多层冷凝盘,加上ag层的话,需要设置至少6层以上冷凝盘,使每层冷凝盘收集一种杂质元素。本发明对相邻层冷凝盘之间的间距没有特殊要求,优选根据各元素的冷凝温度进行设定,在本发明中,当压强为1.33pa时,ag、se、te、sb、pb和bi的冷凝温度见表1。

表11.33pa下ag、se、te、sb、pb、bi的冷凝温度/℃

在本发明的实施例中,冷凝盘的层数为3层,从下到上依次为第一层冷凝盘、第二层冷凝盘和第三层冷凝盘;所述第一层冷凝盘距坩埚上部的距离优选为1~4cm,更优选为3cm,所述第二层冷凝盘距坩埚上部的距离优选为4~6cm,更优选为5cm,所述第三层冷凝盘距坩埚上部的距离优选为8~14cm,更优选为11cm。在本发明中,所述第一层冷凝盘和第二层冷凝盘距坩埚上部的距离不同时为4cm。

在本发明的实施例中,所述冷凝装置的高度优选为20cm。

在本发明中,所述蒸汽通道的直径优选为2~5cm,更优选为4cm,相邻层冷凝盘上的蒸汽通道错开分布,在本发明的实施例中,每层冷凝盘上蒸汽通道的个数为1个。

本发明对所述冷凝装置的直径没有特殊要求,能够与坩埚相匹配即可。在本发明中,所述冷凝装置的材质优选为石墨或不锈钢。本发明对所述冷凝装置的安装方式没有特殊要求,直接将冷凝装置放置在坩埚上部即可。

待安装完毕后,本发明关闭所述真空蒸馏炉,打开所述真空蒸馏炉的冷却水,然后打开真空泵将所述真空蒸馏炉抽真空,待炉内压强下降至1~10pa时,开启升温和保温程序;保温后冷却,待炉体冷却后关闭真空泵,打开所述真空蒸馏炉的放气阀,取出冷凝装置,在冷凝装置中得到冷凝的粗银提纯产品。

在本发明中,所述升温的速率优选为10~15℃/min,更优选为12~14℃/min。

在本发明中,所述保温程序的保温温度为1100~1400℃,优选为1200~1300℃;所述保温程序的保温时间优选为30~180min,更优选为40~150min,进一步优选为60~120min。保温过程中,本发明维持炉内压强为1~10pa。本发明可通过通入惰性气体维持压强为1~10pa。本发明对所述惰性气体的种类没有特殊要求,采用本领域熟知的惰性气体即可。

在本发明中,所述冷却的温度优选在100℃以下。

本发明所述保温过程中,由于冷却水的作用,在真空蒸馏炉的竖直方向形成温度梯度,只有真空蒸馏炉的底部加热温度可以达到1100~1400℃(由于加热体位于坩埚的四周,因此整个坩埚都可以达到1100~1400℃),在此温度和炉内压强1~10pa条件下,粗银中的杂质sn、cu、au和fe不挥发,作为残留物残留在坩埚的底部;而杂质元素se、te、sb、pb、bi和主金属ag在此条件下挥发。本发明利用粗银真空挥发物在1~10pa下冷凝温度的差异实现银与易挥发杂质的分区冷凝。具体的,在炉内压强1~10pa范围内,杂质元素se、te、sb、pb、bi的冷凝温度在1000℃以下,而银冷凝的温度在1015~1150℃,本发明利用真空蒸馏炉内竖直方向的温度梯度,使得杂质元素和ag实现在竖直方向的分区冷凝,银冷凝到冷凝装置中位置靠下的冷凝盘中,杂质元素se、te、sb、pb、bi冷凝到冷凝装置中位置靠上的冷凝盘中形成杂质合金,进而实现了银的提纯,具体的原理示意图如图2所示。

在本发明的实施例中,当冷凝盘的层数为3层,且第一层冷凝盘距坩埚上部的距离为3cm,第二层冷凝盘距坩埚上部的距离为5cm,第三层冷凝盘距坩埚上部的距离为11cm,纯银冷凝于第一层冷凝盘和第二层冷凝盘,杂质元素se、te、sb、pb、bi冷凝到第三层冷凝盘。

下面结合实施例对本发明提供的粗银提纯的方法进行详细的说明,但是不能把它们理解为对本发明保护范围的限定。

实施例1

冷凝装置内设置三层冷凝盘,冷凝装置的高度为20cm;第一层冷凝盘距坩埚上部的距离为3cm,第二层冷凝盘距坩埚上部的距离为5cm,第三层冷凝盘距坩埚上部的距离为11cm,蒸汽通道的直径为4cm。

取粗银原料(ag97.89%)100g装入石墨坩埚中,在石墨坩埚上部安置配套冷凝装置,关闭真空炉,打开冷却水,打开真空泵抽取真空,当炉内压强下降至10pa时运行升温和保温程序(升温速率为10℃/min,保温温度为1100℃,保温时间为180min),保温期间炉内压强为1pa,待炉内温度下降至100℃时关闭真空泵,打开放气阀,取出冷凝装置,在坩埚内得到粗银真空挥发残余物(sn、cu、au、fe、ag),在冷凝装置得到分区冷凝的粗银提纯产品(ag99.96%)及杂质合金(se、te、sb、pb、bi、ag),其中,粗银提纯产品冷凝于第一层冷凝盘和第二层冷凝盘,杂质冷凝于第三层冷凝盘。

实施例2

冷凝装置内设置三层冷凝盘,冷凝装置的高度为20cm;第一层冷凝盘距坩埚上部的距离为3cm,第二层冷凝盘距坩埚上部的距离为5cm,第三层冷凝盘距坩埚上部的距离为11cm,蒸汽通道的直径为4cm。

取粗银原料(ag88.26%)100g装入石墨坩埚中,在石墨坩埚上部安置配套冷凝装置,关闭真空炉,打开冷却水,打开真空泵抽取真空,当炉内压强下降至10pa时运行升温和保温程序(升温速率为13℃/min,保温温度为1400℃,保温时间为60min),保温期间炉内压强为10pa,待炉内温度下降至100℃时关闭真空泵,打开放气阀,取出冷凝装置,在坩埚内得到粗银真空挥发残余物(sn、cu、au、fe、ag),在冷凝装置得到分区冷凝的粗银提纯产品(ag99.17%)及杂质合金(se、te、sb、pb、bi、ag),其中,粗银提纯产品冷凝于第一层冷凝盘和第二层冷凝盘,杂质冷凝于第三层冷凝盘。

实施例3

冷凝装置内设置三层冷凝盘,冷凝装置的高度为20cm;第一层冷凝盘距坩埚上部的距离为3cm,第二层冷凝盘距坩埚上部的距离为5cm,第三层冷凝盘距坩埚上部的距离为11cm,蒸汽通道的直径为4cm。

取粗银原料(ag72.49%)100g装入石墨坩埚中,在石墨坩埚上部安置配套冷凝装置,关闭真空炉,打开冷却水,打开真空泵抽取真空,当炉内压强下降至10pa时运行升温和保温程序(升温速率为15℃/min,保温温度为1300℃,保温时间为120min),保温期间炉内压强为5pa,待炉内温度下降至100℃时关闭真空泵,打开放气阀,取出冷凝装置,在坩埚内得到粗银真空挥发残余物(sn、cu、au、fe、ag),在冷凝装置得到分区冷凝的粗银提纯产品(ag99.52%)及杂质合金(se、te、sb、pb、bi、ag),其中,粗银提纯产品冷凝于第一层冷凝盘和第二层冷凝盘,杂质冷凝于第三层冷凝盘。

实施例4

冷凝装置内设置三层冷凝盘,冷凝装置的高度为20cm;第一层冷凝盘距坩埚上部的距离为3cm,第二层冷凝盘距坩埚上部的距离为5cm,第三层冷凝盘距坩埚上部的距离为11cm,蒸汽通道的直径为4cm。

取粗银原料(ag55.37%)100g装入石墨坩埚中,在石墨坩埚上部安置配套冷凝装置,关闭真空炉,打开冷却水,打开真空泵抽取真空,当炉内压强下降至10pa时运行升温和保温程序(升温速率为13℃/min,保温温度为1200℃,保温时间为120min),保温期间炉内压强为1pa,,待炉内温度下降至100℃以下时关闭真空泵,打开放气阀,取出冷凝装置,在坩埚内得到粗银真空挥发残余物(sn、cu、au、fe、ag),在冷凝装置得到分区冷凝的粗银提纯产品(ag99.23%)及杂质合金(se、te、sb、pb、bi、ag),其中,粗银提纯产品冷凝于第一层冷凝盘和第二层冷凝盘,杂质冷凝于第三层冷凝盘。

以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

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