一种ZMAT系微波陶瓷材料及其制备方法与应用与流程

一种zmat系微波陶瓷材料及其制备方法与应用
技术领域
[0001]
本发明涉及信息功能材料领域，且特别涉及一种zmat系微波陶瓷材料及其制备方法与应用。


背景技术：

[0002]
随着卫星通信和军用雷达等微波通信技术的高频化发展，具有高品质因数低介电常数与近零的谐振频率温度系数的微波介质陶瓷材料备受重视。在微波毫米波通信领域中作为滤波器、谐振器、天线片等微波元件，低介电常数陶瓷能够有效的降低信号的交互耦合作用，并大大提高信号传输速度与响应速度。兼具高品质因数、低介电常数与近零的谐振频率温度系数的微波介质陶瓷材料，在市场上较为稀缺。


技术实现要素：

[0003]
本发明的目的在于提供一种微波陶瓷材料及其制备方法，以满足市场对高品质因数、低介电常数与近零的谐振频率温度系数的微波介质陶瓷材料的需求。本发明采用了以下技术方案来实现目的。
[0004]
一种zmat系微波陶瓷材料，包括主晶相和改性添加物，所述主晶相包括主材和辅材。所述主晶相的化学通式为mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
·
azr
1-3y
la
4y
tio
4
，其中0.05<x<0.1，0.1<y<0.3，0.01<a<0.05；其中mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
为所述主材的化学通式，zr
1-3y
la
4y
tio
4
为所述辅材的化学通式；所述主晶相在所述陶瓷材料中的质量分数为98～99.5wt％；所述改性添加物在所述陶瓷材料中的质量分数为0.5～2wt％。其中，zmat系表示锆(zr)镁(mg)铝(al)钛(ti)系。
[0005]
进一步地，该zmat系微波陶瓷材料的主晶相中，0.06≤x≤0.09，0.15≤y≤0.25，0.015≤a≤0.045。
[0006]
进一步地，所述改性添加物选自srco
3
、baco
3
、tio
2
、nb
2
o
5
、sb
2
o
3
和mnco
3
中的一种或一种以上混合物。
[0007]
进一步地，各个所述改性添加物在所述陶瓷材料中所占的质量分数范围分别是：srco
3
为0～1％，baco
3
为0～1％，tio
2
为0～1.1％，nb
2
o
5
为0～0.5％，sb
2
o
3
为0～0.3％，mnco
3
为0～0.6％。
[0008]
本发明的zmat系微波陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：
[0009]
s1，固相法合成主材mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
：将氢氧化镁、氧化锡、二氧化硅及氧化铝按配比混合，并磨成均匀粉粒，然后在空气气氛中1220℃～1320℃的温度范围煅烧2～4小时，得到mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
；
[0010]
s2，固相法合成辅材zr
1-3y
la
4y
tio
4
：将二氧化锆、氧化镧及二氧化钛按配比混合，并磨成均匀粉粒，再在空气气氛中1250℃～1350℃的温度范围煅烧1～3小时，得到zr
1-3y
la
4y
tio
4
；
[0011]
s3，将步骤s1获得的mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
、步骤s2获得的zr
1-3y
la
4y
tio
4
以及所述改
性添加物按配方要求混合，并磨成均匀粉粒，获得粉末态的所述zmat系微波陶瓷材料。
[0012]
进一步地，步骤s1、s2和s3中，所述磨成均匀粉粒，具体为将固体物料置入球磨机中，加水进行湿法球磨，通过控制球磨强度和球磨时间来控制球磨后的粉粒的d50粒径为0.9-2.0um，球磨后进行干燥处理。
[0013]
进一步地，上述的zmat系微波陶瓷材料的制备方法，还包括以下步骤：
[0014]
s4，在步骤s3得到的粉末态的所述zmat系微波陶瓷材料中加入粘合剂、增塑剂和分散剂，球磨1～2小时，获得浆料，再干燥后获得颗粒物；
[0015]
s5，将步骤s4得到的颗粒物压制成生坯；
[0016]
s6，排胶：将生坯加热至500℃～650℃，保温16～32小时，得到坯体；
[0017]
s7，烧结：排胶后的坯体，在空气气氛中，1350～1450℃内保温3～5小时；
[0018]
s8，退火：烧结后，在900℃～1000℃范围内，保温2～3小时，得到成型的zmat系微波陶瓷材料。
[0019]
进一步地，步骤s4中，所述粘合剂为聚乙烯醇，所述增塑剂为聚乙二醇，所述分散剂为羧酸铵盐。
[0020]
进一步地，步骤s6的排胶过程，控制升温速度小于10℃/小时；步骤s7的烧结过程，控制升温速度为150℃～200℃/小时。
[0021]
根据上述制备方法得到成型的zmat系微波陶瓷材料，其室温介电常数介于5～8，温度系数τf(-40～85℃)：
±
10ppm/℃，qf值≥60000ghz。
[0022]
本发明的zmat系微波陶瓷材料，可应用于制作微波器件，所述微波器件包括叠层天线、介质天线、滤波器、谐振器、微波集成电路基片和微波衰减器等。
[0023]
在本发明之前，发明人合成并研究了mg
2
si
5
al
4
o
18
陶瓷材料，其在微波频段内具有优异的微波性能，但其温度系数τf较大，在
±
30ppm/℃，经常需要与其他正温系数的进行复合，影响了它在高频段的应用。故本发明采用一次前添加sn掺杂改性mg
2
si
5
al
4
o
18
，得到本发明的主材mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
，与具有正温度系数τf的zr
1-3y
la
4y
tio
4
进行复合，可得到温度系数在-40℃至85℃范围内变化率
±
10ppm/℃以内的微波陶瓷材料，提高了后端应用的可靠性与稳定性，同时减少了材料制作过程的多次合成的不必要性。
[0024]
本发明的有益效果是：本发明的陶瓷材料是一种无铅环保型材料，其是采用固相法分别合成主材mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
以及辅材zr
1-3y
la
4y
tio
4
，制备出均匀的粉末态陶瓷材料，粉材烧结后得到具有低介电常数、高qf值、温度系数近零的微波陶瓷材料。本发明的陶瓷材料可以通过调整原材料的配比形成较高的室温介电常数介于5～8之间，qf值≥60000ghz，温度系数τf(-40～85℃)：
±
10ppm/℃的微波陶瓷材料，满足微波器件的相关微波性能要求。
具体实施方式
[0025]
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0026]
一种zmat系微波陶瓷材料，包括主晶相和改性添加物，所述主晶相包括主材和辅
材。所述主晶相的化学通式为mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
·
azr
1-3y
la
4y
tio
4
，其中0.05<x<0.1，0.1<y<0.3，0.01<a<0.05；其中mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
为所述主材的化学通式，zr
1-3y
la
4y
tio
4
为所述辅材的化学通式；所述主晶相在所述陶瓷材料中的质量分数为98～99.5wt％；所述改性添加物在所述陶瓷材料中的质量分数为0.5～2wt％。其中，zmat系表示锆(zr)镁(mg)铝(al)钛(ti)系。
[0027]
优选方案中，该zmat系微波陶瓷材料的主晶相中，0.06≤x≤0.09，0.15≤y≤0.25，0.015≤a≤0.045。本材料配比区间，烧结后的陶瓷材料能形成较高的室温介电常数介于5.2～7.8之间，qf值60000～80000ghz，温度系数τf(-40～85℃)：
±
10ppm/℃的微波陶瓷材料，满足微波器件的相关微波性能要求。
[0028]
优选地，所述改性添加物选自srco
3
、baco
3
、tio
2
、nb
2
o
5
、sb
2
o
3
和mnco
3
中的一种或一种以上混合物。改性添加物能调节陶瓷材料在烧结时晶粒的生长，以形成均匀的细晶，保证陶瓷材料各部分微波性能的均一性。
[0029]
优选地，各个所述改性添加物在所述陶瓷材料中所占的质量分数范围分别是：srco
3
为0～1％，baco
3
为0～1％，tio
2
为0～1.1％，nb
2
o
5
为0～0.5％，sb
2
o
3
为0～0.3％，mnco
3
为0～0.6％。
[0030]
本发明的zmat系微波陶瓷材料的制备方法包括以下步骤：
[0031]
①
固相法合成主材mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
：按主材中各金属元素以及硅元素的比例，称量相应质量的高纯氢氧化镁、氧化锡、二氧化硅和氧化铝，置于球磨机中，按质量比为固体物料：水＝1：(1.0～2.0)的比例加入水进行湿法球磨。球磨成均匀的粉粒，粒度d50可以是0.9-2.0um；接着用喷雾干燥塔或其他方法进行干燥；然后在空气炉中1220℃～1320℃的温度范围煅烧2～4小时；最终得到主材mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
粉末。
[0032]
②
固相法合成辅材zr
1-3y
la
4y
tio
4
：按辅材中各金属元素的摩尔比，称取相应质量的二氧化锆、氧化镧及二氧化钛，置于球磨机中，按质量比为固体物料：水＝1：(1.0～2.0)的比例加入水进行球磨成粉粒，粒度d50可以是0.9-2.0um，接着用喷雾干燥塔或其他方法进行干燥，再在空气炉中1250℃～1350℃的温度范围煅烧1～2小时，得到zr
1-3y
la
4y
tio
4
粉末。
[0033]
s3，将步骤s1获得的mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
、步骤s2获得的zr
1-3y
la
4y
tio
4
以及所述改性添加物按配方要求混合，并磨成均匀粉粒，获得粉末态的所述zmat系微波陶瓷材料。
③
制备配方粉末：将步骤
①
获得的mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
、步骤
②
获得的zr
1-3y
la
4y
tio
4
以及所述改性添加物srco
3
、baco
3
、tio
2
、nb
2
o
5
、sb
2
o
3
和mnco
3
中的一种或一种以上混合物，按陶瓷材料的主晶相和改性添加物的质量占比混合，置于球磨机中，按质量比为固体总物料：水＝1：(0.6～1.0)的比例加入水进行湿法球磨或砂磨，使球磨或砂磨后的粉体用激光粒度仪测试粒度d50在0.9-2.0um。球磨或砂磨完毕后用喷雾干燥塔或其他方法进行干燥，得到本发明粉末态的zmat系微波陶瓷材料。
[0034]
以上球磨或砂磨过程添加的水优选用去离子水，防止水中其他金属离子混入材料，影响材料的微波性能。
[0035]
进一步地，本发明的zmat系微波陶瓷材料的制备方法还包括以下进一步将粉末态的zmat系微波陶瓷材料制作成型器件的步骤：
[0036]
④
在在步骤
③
得到的粉末态的zmat系微波陶瓷材料中，加入适当的粘合剂、增塑
剂、分散剂等，用氧化锆球为磨介在球磨罐中球磨1～2小时，获得浆料，再进行离心喷雾干燥，获得流动性良好的球形颗粒粉料。所述粘合剂可选用聚乙烯醇，所述增塑剂可选用聚乙二醇，所述分散剂可选用羧酸铵盐。
[0037]
⑤
将球形颗粒粉料，压制成生坯器件。
[0038]
⑥
排胶：将生坯器件置于500℃～650℃的温度范围内，保温16～32小时，以排除生坯片中的有机物，得到坯体，整个排胶过程的升温速度优选小于10℃/小时。
[0039]
⑦
烧结：将排胶好的坯体，在空气炉中进行烧结，以150℃～200℃/小时的升温速度升温到1350～1450℃，保温时间为3～5小时。烧结能使陶瓷坯体中的粉粒晶界移动，气孔逐步排除，坯体收缩成为具有一定强度的致密陶瓷体。
[0040]
⑧
退火处理：高温烧结后，炉温降低至900℃～1000℃，保温2～3小时，得到成型的zmat系微波陶瓷材料。退火可以减小坯体内部应力，细化晶粒，弥合微裂纹，改善材料的组织结构，提高陶瓷的力学性能。
[0041]
⑨
器件测试：采用安捷伦网分，在频率10-11ghz下进行微波性能测试。
[0042]
根据测试结果：上述得到成型的zmat系微波陶瓷材料，其室温介电常数介于5～8，温度系数τf(-40～85℃)：
±
10ppm/℃，qf值≥60000ghz，获得了低介电常数、高qf值、温度系数近零的微波陶瓷材料。
[0043]
本发明的zmat系微波陶瓷材料，可应用于制作微波器件，所述微波器件包括叠层天线、介质天线、滤波器、谐振器、微波集成电路基片和微波衰减器等。
[0044]
实施例
[0045]
本实施例提供一种zmat系微波陶瓷材料及其制备方法，本发明的方案不局限于本实施例。该陶瓷材料包括主晶相和改性添加物。主晶相的化学通式为mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
·
azr
1-3y
la
4y
tio
4
，其中0.05<x<0.1，0.1<y<0.3，0.01<a<0.05。主晶相在所述陶瓷材料中的质量分数为98～99.5wt％。改性添加物在所述陶瓷材料中的质量分数为0.5～2wt％。
[0046]
(1)按照主材mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
的组成，其中0.05<x<0.1。按表1的配方分别取x＝0.090、0.075、0.060，称取三组相应质量的氢氧化镁、氧化锡、二氧化硅及氧化铝，依次置于球磨机中，按质量比为每组固体物料：去离子水＝1：1.5的比例加入去离子水进行湿法球磨，球磨后用喷雾干燥塔进行干燥，最后在空气炉中1270℃煅烧3小时，得到主材mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
粉末。
[0047]
表1主材mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
实施例配方
[0048][0049]
(2)按照辅材zr
1-3y
la
4y
tio
4
的组成，其中0.1<y<0.3：将二氧化锆、氧化镧及二氧化钛按表2的摩尔配比混合，置于球磨机中，按质量比为固体物料：去离子水＝1：1.5的比例加入去离子水进行湿法球磨，球磨均匀后用喷雾干燥塔进行干燥，然后在空气炉中1300℃的温度煅烧2.5小时。
[0050]
表2辅材zr
1-3y
la
4y
tio
4
实施例配方
[0051][0052][0053]
(3)根据主晶相化学式mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
·
azr
1-3y
la
4y
tio
4
，其中0.05<x<0.1，0.1<y<0.3，0.01<a<0.05，具体按表3的试样化学组成，称取步骤(1)得到的主材mg
2
sn
x
si
5+2x
al
4-4x
o
18
、步骤(2)得到的辅材zr
1-3y
la
4y
tio
4
。
[0054]
表3主晶相试样化学组成
[0055][0056]
按下表4的配方，在每一种配比的主晶相中加入各种改性添加物，分组置于球磨机中，每组试样按质量比为固体总物料：去离子水＝1：0.8的比例加入去离子水进行湿法砂磨，要求物料混合均匀，使砂磨后的粉体用激光粒度仪测试粒度d50在0.9-2.0um。砂磨完毕后，加入分别占总质量0.5～3％的聚乙烯醇粘合剂、聚乙二醇增塑剂、羧酸铵盐分散剂，球磨1.5小时，获得浆料。浆料用喷雾干燥塔进行干燥，干燥后粉体压制成圆柱型生坯圆片。然后设定温度曲线，先置于580℃中保温24小时以进行排胶，整个排胶过程的升温速度为5℃/小时；再以180℃/小时的升温速度升温至1350～1450℃保温3小时进行烧结；高温烧结后，在950℃中保温2.5小时，得到成型的zmat系微波陶瓷材料圆片。
[0057]
表4zmat系微波陶瓷材料试样化学组成
[0058][0059]
采用安捷伦网分，在频率10ghz下对成型的zmat系微波陶瓷材料进行微波性能测试，测试结果列于表5中。表5的1～15号试样取自表4中的1～15号试样，且相同编号一一对应。
[0060]
表5 zmat系微波陶瓷材料试样烧结制成圆片各项电性能测试结果
[0061]
[0062][0063]
从表5可以看出，经过上述过程制成的陶瓷材料，可以在1350℃～1450℃的温度范围内烧结成瓷。通过调整材料合成的配比可形成室温介电常数介于5～8，温度系数τf(-40～85℃)：
±
10ppm/℃，qf值≥60000ghz，微波性能参数连续可调的系统陶瓷材料，可满足高频微波器件对于低介电常数和高qf值的应用需求。
[0064]
以上所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明要求保护的范围。

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