一种防止转炉梨形炉衬的控制方法与流程

本发明涉及钢铁冶金技术领域，尤其涉及一种防止转炉梨形炉衬的控制方法。

背景技术：

转炉炉役期间炉型的变化是不规则的，由于铁水成分不稳定，硅含量，磷含量波动大，冶炼过程操作困难等因素的影响，炉底、环缝等局部位置侵蚀过快，导致熔池形状不规则，特别是在转炉生产的炉役中后期，侵蚀严重，总是出现“梨形炉衬”状况，见图1，最低点达到400mm以下，对生产带来极大的安全隐患。同时，“梨形炉衬”影响冶炼过程熔池脱碳、脱磷反应，从而影响终点一次拉成率、成分温度命中率等经济指标。

本发明即是一种防止转炉梨形炉衬的控制方法，能够有效的防止“梨形炉衬”产生，解决由于“梨形炉衬”带来的一系列问题。

通过检索查询，没有与本专利相同或相似的文献和发明专利。

技术实现要素：

为了解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种防止转炉梨形炉衬的控制方法，可有效防止“梨形炉衬”产生，防止事故发生，同时提高转炉炉龄以及各项经济技术指标，解决了背景技术中的一系列问题。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种防止转炉梨形炉衬的控制方法，包括：

1)增加熔池炉衬厚度

熔池炉衬厚度增加100mm-150mm；

2)内移外环底吹透气砖位置

对外环底吹透气砖位置内移一定距离，使底吹透气砖位置与熔池内径之比小于0.60d；

3)减小氧枪喷头夹角

将夹角为15.5°的原氧枪喷头通过计算论证优化为夹角为14.5°的氧枪喷头。

进一步的，所述步骤1)中，熔池炉衬厚度由950mm-1000mm增加至1100mm。

进一步的，所述步骤2)中，底吹透气砖位置与熔池内径之比为0.56d。

更进一步的，优化后外环底吹透气砖位置直径为φ3257mm，增加熔池厚度后熔池直径为φ5780mm。

与现有技术相比，本发明的有益技术效果：

通过增加熔池炉衬厚度、内移外环底吹透气砖位置和减小氧枪喷头夹角三种优化控制，降低了钢水对熔池镁碳砖的直接侵蚀，消除了“梨形炉衬”的形成因素，有效的防止了“梨形炉衬”的形成，使整个炉役期间维持正常炉型，保证了炉体的安全运行，提高了转炉经济技术指标，为炼钢的生产稳定运行提供了有力保障。

附图说明

下面结合附图说明对本发明作进一步说明。

图1为炉役6650炉“梨形炉衬”测厚图

图2为增加熔池炉衬厚度的炉体图

图3为内移外环底吹透气砖位置的炉体图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的上述方面、特征和优点，下面结合具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。

一种防止转炉梨形炉衬的控制方法，包括：

1、增加熔池炉衬厚度

对炉衬熔池部位砌筑的砖型进行优化设计，熔池炉衬厚度增加100mm-150mm。如图2所示，图中红线部位为原熔池炉衬厚度，黑线为优化后的熔池炉衬厚度。优化设计后的熔池炉衬砖长度增加100mm-150mm，使得炉役后期熔池炉衬维持在合适安全的厚度，保证炉役后期的冶金效果；同时，加厚了渣线部位的炉砖厚度，缓解渣线侵蚀造成的炉形不正的情况，有效的缓解了“梨形炉衬”的产生，使得底吹在冶炼过程中形成良好的搅拌效果。

2、内移外环底吹透气砖位置

转炉冶炼过程中，底吹气体通过透气砖进入钢液时，温度由常温25℃左右直接升温至1300℃-1650℃，体积急剧增大，搅动接触钢液，对周围熔池镁碳砖产生冲击，冲击部位镁碳砖较其它部位镁碳砖的溶蚀速度增大较多。底吹透气砖位置直径与熔池直径之比小于0.60d会减轻冲击部位镁碳砖的溶蚀速度。原底吹透气砖位置直径与熔池直径之比为0.64d，研究发现这是导致“梨形炉衬”的主要原因之一。

因此，对外环底吹透气砖位置进行内移。原外环底吹透气砖位置直径为φ3809，熔池直径为φ5980mm，底吹透气砖位置与熔池内径之比为0.64d；通过对外环底吹透气砖位置内移2块透气砖的距离，如图3所示，优化后外环底吹透气砖位置直径为φ3257mm，增加熔池厚度后熔池直径为φ5780mm，底吹透气砖位置与熔池内径之比为0.56d，小于0.60d，有效的缓解了底吹气体对对周围熔池镁碳砖冲击减小，溶蚀速度降低，对“梨形炉衬”的形成起到了极大的缓解作用。

3、减小氧枪喷头夹角

转炉生产过程中，氧枪夹角大对熔池钢液的冲击面积大，高枪位时直接冲击熔池渣线对应部位的钢液，搅动的钢液对渣线部位镁碳砖的侵蚀速率增大，研究发现是导致“梨形炉衬”的重要原因之一。

因此，对氧枪喷头夹角进行优化减小。原氧枪喷头夹角为15.5°，通过计算论证优化为夹角为14.5°的氧枪喷头，通过实际实验使用，对转炉冶炼过程脱碳速度略有提高，对脱磷影响不大，符合现场生产冶炼要求。优化氧枪喷头夹角同时控制高枪位比率后，有效的缓解了“梨形炉衬”的形成。

以上所述的实施例仅是对本发明的优选方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本发明的技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。

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