硅片载板、载板电极装置和镀膜设备的制作方法

本申请涉及硅片镀膜工艺设备技术领域，具体而言，涉及一种硅片载板、一种载板电极装置和一种镀膜设备。

背景技术：

pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等离子体增强化学的气相沉积法)是太阳能电池生产中常用的镀膜方法之一，通常采用相应的pecvd镀膜设备对硅片进行镀膜。现有的pecvd镀膜设备在镀膜工艺过程中，存在连接高频的电极板与放置硅片的载板之间的电场不均匀的问题，影响对硅片的镀膜效果

技术实现要素：

根据本发明的实施例，旨在至少改善现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

为此，根据本发明的实施例的一个目的在于提供一种硅片载板。

根据本发明的实施例的另一个目的在于提供一种载板电极装置。

根据本发明的实施例的又一个目的在于提供一种镀膜设备。

为了实现上述目的，根据本发明的第一方面的一个实施例提供了一种硅片载板，包括：载板框架；多个第一电极组件，设于载板框架的内侧，并沿载板框架的周向方向间隔设置；托盘，设于多个第一电极组件的顶部，托盘用于放置硅片；其中，每个第一电极组件延伸至载板框架的底部，用于接触镀膜工艺腔体，置于托盘上的硅片能够通过托盘和第一电极组件与镀膜工艺腔体导通。

根据本发明第一方面的实施例，硅片载板包括载板框架、多个第一电极组件和托盘。多个第一电极组件沿载板框架的周向方向间隔设置于载板框架的内侧，通过在多个第一电极组件的顶部设置托盘，用于放置硅片，以实现硅片载板负载硅片，以便于进入镀膜工艺腔体内进行镀膜工艺处理。其中，通过设置第一电极组件延伸至载板框架的底部，以在硅片载板整体进入镀膜工艺腔体内时，第一电极组件的底部可与镀膜工艺腔体接触，从而使托盘上的硅片通过托盘、第一电极组件与镀膜工艺腔体导通，进而利用镀膜工艺腔体实现接地，以满足pecvd镀膜工艺的要求。其中，托盘为电导体。本方案中的硅片载板，通过合理布置第一电极组件，可增强连接高频的电极板与硅片载板之间的电场的均匀性，使工艺气体能够均匀地附着于硅片表面，有利于改善镀膜效果，提高硅片产品的质量。

另外，根据本发明的实施例提供的上述技术方案中的硅片载板还可以具有如下附加技术特征：

在上述技术方案中，第一电极组件包括：固定块，连接于载板框架的内侧；第一电极片，连接于固定块远离载板框架的一端，第一电极片的顶部向固定块的上方伸出，第一电极片的底部向固定块的下方伸出并延伸至载板框架的底部，第一电极片的顶部和底部均向靠近载板框架的方向弯折，并能够在压力作用下发生弹性形变；其中，载板框架靠近外侧的部分由顶部凸出。

在该技术方案中，第一电极组件包括固定块和第一电极片。固定块连接于载板框架的内侧，用于对第一电极片进行固定；第一电极片于固定块远离载板框架的一端连接，通过设置第一电极片的顶部向固定块的上方伸出，以通过第一电极片的顶部支撑托盘；通过设置第一电极片的底部向固定块的下方伸出，以在硅片载板进入镀膜工艺腔体内时，通过第一电极片的底部与镀膜工艺腔体的支撑结构接触，以使置于托盘上的硅片与镀膜工艺腔体导通。其中，第一电极片的顶部和底部均向靠近载板框架的方向弯折，且能够在压力作用下发生弹性形变，以在第一电极片与托盘或镀膜工艺腔体的支撑结构接触时，使第一电极片的顶部和底部在压力作用下发生弹性形变，以使多个第一电极片充分接触，有利于增强电场的均匀性。通过设置载板框架靠近外侧的部分由顶部凸出，即载板框架的外侧部分高于内侧部分，以在托盘置于第一电极片的顶部时，通过载板框架的外侧部分对托盘进行限位，防止托盘发生滑动，有利于提高硅片载板的稳定性。

在上述技术方案中，硅片载板还包括：至少一个支撑杆，设于载板框架内，支撑杆的两端与载板框架相连接，以使载板框架与支撑杆围成多个框形结构；多个第二电极片，设于支撑杆上，并沿支撑杆的长度方向间隔设置；其中，每个框形结构中对应设有一个托盘，托盘置于框形结构内的第一电极片和第二电极片上。

在该技术方案中，通过在载板框架内设置至少一个支撑杆，且支撑杆的两端与载板框架相连接，使得载板框架与支撑杆围成多个框形结构，整体形成网格状的结构，以在每个框形结构中对应设置一个托盘。其中，在支撑杆上沿长度方向间隔设置有多个第二电极片，以通过每个框形结构中的第一电极片和第二电极片共同支撑托盘，使得每个框形结构内的托盘的周向方向均有电极片环绕，进一步增强了硅片载板与电极板之间的电场的均匀性，有利于进一步提高硅片镀膜效果。

需要说明的是，支撑杆的数量可以是一个或多个，具体可根据载板框架以及托盘的形状和尺寸设定。其中，在支撑杆的数量为多个时，多个支撑杆可以在同一方向上依次设置，也可以交叉设置。

在上述技术方案中，支撑杆包括：杆体；凸起结构，设于杆体的顶部，凸起结构的宽度小于杆体的宽度，凸起结构上设有多个沿杆体的长度方向间隔设置的第一通孔；其中，每个第二电极片穿过一个第一通孔，且第二电极片的两端向靠近杆体的方向弯折，以与杆体卡接。

在该技术方案中，支撑杆具体包括杆体和凸起结构。杆体作为支撑主体，杆体的顶部形成凸起结构，且凸起结构的宽度小于杆体的宽度，以使杆体位于凸起结构两侧的部分能够对托盘提供支撑。其中，凸起结构上沿杆体的长度方向间隔设置有多个第一通孔，用于安装第二电极片；每个第二电极片穿过一个第一通孔，且第二电极片的两端向靠近杆体的方向弯折，并与杆体形成卡接，使得托盘与第二电极片的顶部接触，使得相邻的两个框形结构中的托盘通过第二电极片导通，进而使多个托盘依次导通，可使得硅片载板与电极板之间的电场形成整体，电场整体更加均匀。

在上述技术方案中，多个第一电极片沿载板框架的周向方向均匀设置；多个第二电极片沿支撑杆的长度方向均匀设置。

在该技术方案中，多个第一电极片沿载板框架的周向方向均匀设置，多个第二电极片沿支撑杆的长度方向均匀设置，可防止局部区域电场强弱差异较大，以进一步增强电场的均匀性，有利于进一步改善镀膜效果。

根据本发明第二方面的实施例中提供了一种载板电极装置，包括：镀膜工艺腔体，镀膜工艺腔体相对的两个侧壁上设有门阀，镀膜工艺腔体内的顶部位置设有电极板，镀膜工艺腔体内的底壁上设有升降机构，升降机构与镀膜工艺腔体的底壁导通，并能够相对于底壁进行升降运动；上述第一方面的实施例中任一项的硅片载板，硅片载板能够通过门阀进出镀膜工艺腔体，并能够置于升降机构上；其中，镀膜工艺腔体接地，置于硅片载板上的硅片能够通过硅片载板和升降机构与镀膜工艺腔体导通。

根据本发明的第二方面的实施例，载板电极装置包括镀膜工艺腔体和上述第一方面的实施例中任一项的硅片载板。镀膜工艺腔体内设有电极板和升降机构，电极板位于镀膜工艺腔体内的顶部位置，升降机构位于镀膜工艺腔体的底壁上。镀膜工艺腔体接地，使得电极板与镀膜工艺腔体之间形成电压差。升降机构与镀膜工艺腔体的底壁导通，并能够相对于底壁进行升降运动。镀膜工艺腔体相对的两个侧壁上设有门阀，硅片载板能够通过门阀进出镀膜工艺腔体，并能够置于升降机构上。具体地，当负载有硅片的硅片载板进入镀膜工艺腔体后，升降机构上升以对硅片载板的底部进行顶升，使得硅片载板上升至预设高度(镀膜工艺所要求的高度)时，硅片通过硅片载板和升降机构与镀膜工艺腔体导通，实现硅片接地，从而使电极板与硅片之间产生电场，以便于利用pecvd镀膜工艺对硅片进行镀膜工艺处理。其中，镀膜工艺腔体和升降机构均为电导体。

此外，本方案中的载板电极装置还具有上述第一方面实施例中任一项的硅片载板的全部有益效果，在此不再赘述。

在上述技术方案中，载板电极装置还包括：多个第三电极片，每个第三电极片的一端与升降机构连接，另一端与镀膜工艺腔体的底壁连接。

在该技术方案中，通过设置第三电极片，用于导通升降机构与镀膜工艺腔体的底壁。第三电极片的数量为多个，且每个第三电极片的两端分别与升降机构和镀膜工艺腔体的底壁连接，以使升降机构与镀膜工艺腔体的底壁之间导通，以在硅片载板置于升降机构上时能够实现接地。

在上述技术方案中，升降机构包括：升降杆，与镀膜工艺腔体的底壁活动连接；顶板，连接于升降杆的顶部，顶板能够随升降杆进行升降运动，以与硅片载板接触或分离；其中，多个第三电极片沿顶板的周向方向间隔设置，且每个第三电极片的一端与顶板的底部连接，另一端与镀膜工艺腔体的底壁连接，第三电极片能够在顶板的压力作用下产生弹性形变，在升降杆上升至预设高度时第三电极片处于伸直状态，且硅片载板置于顶板上，硅片通过硅片载板、顶板和第三电极片与镀膜工艺腔体导通。

在该技术方案中，升降机构具体包括升降杆和顶板。升降杆与镀膜工艺腔体的底壁活动连接，顶板连接于升降杆的顶部，通过升降杆带动顶板进行升降运动，以使顶板与进入镀膜工艺腔体的硅片载板接触或分离。顶板下方沿周向方向间隔设置有多个第三电极片，每个第三电极片的两端分别与顶板和镀膜工艺腔体的底壁连接，以使顶板与底壁导通。其中，第三电极片能够在压力作用下产生弹性形变，当顶板下降时，对第三电极片产生压力，使第三电极片发生弹性形变，同时与顶板以及底壁保持连接；当顶板上升时，第三电极片逐渐恢复原状，且当顶板上升至预设高度(即镀膜工艺所要求的高度)时，第三电极片处于伸直状态，此时硅片可通过硅片载板、顶板和第三电极片与镀膜工艺腔体导通，实现硅片接地，以便于后续进行镀膜工艺处理。

在上述技术方案中，多个第三电极片沿顶板的周向方向均匀设置；和/或载板电极装置还包括滚轮机构，滚轮机构设于镀膜工艺腔体内与门阀相邻的两个侧壁上。

在该技术方案中，通过设置多个第三电极片沿顶板的周向方向均匀设置，以在硅片载板上的硅片通过第三电极片与镀膜工艺腔体导通时，进一步增强作用于硅片上的电场的均匀性，镀膜效果更佳。通过在镀膜工艺腔体内设置滚轮机构，且滚轮机构分别位于镀膜工艺腔体内与门阀相邻的两个侧壁上，以对由门阀进入镀膜工艺腔体内的硅片载板提供支撑，并能够使硅片载板在两个门阀之间运动，便于硅片载板进出镀膜工艺腔体。

根据本发明第三方面的实施例中提供了一种镀膜设备，包括：加料腔体；至少一个上述第二方面的实施例中任一项的载板电极装置，的载板电极装置的镀膜工艺腔体的一端与加料腔体相连接；出料腔体，与镀膜工艺腔体远离加料腔体的一端相连接；传送机构，用于传送载板电极装置的硅片载板，以使硅片载板在加料腔体、镀膜工艺腔体以及出料腔体之间运动；其中，硅片在加料腔体内加载于硅片载板上，并随硅片载板进入镀膜工艺腔体进行镀膜工艺，完成镀膜工艺处理的硅片随硅片载板进入出料腔体内，并由硅片载板上卸载。

根据本发明的第三方面的实施例，镀膜设备包括加料腔体、至少一个上述第二方面的实施例中任一项的载板电极装置、出料腔体和传送机构。加料腔体、载板电极装置的镀膜工艺腔体和出料腔体依次设置且连通。传送机构用于传送载板电极装置的硅片载板，使硅片载板在加料腔体、镀膜工艺腔体和出料腔体之间运动。在生产过程中，硅片载板在加料腔体中负载硅片，实现加料；之后负载有硅片的硅片载板在传送机构的作用下进入镀膜工艺腔体，硅片通过硅片载板和升降机构与镀膜工艺腔体导通，进而实现硅片接地，以进行pecvd镀膜工艺处理，使工艺气体附着于硅片表面，形成薄膜；在完成镀膜工艺处理后，硅片随硅片载板进入出料腔体，硅片由硅片载板上卸载，完成出料。

进一步地，加料腔体包括装载腔和加热腔，装载腔与加热腔相连接，并能够通过真空阀导通。装载腔用于从外界装载硅片进入腔室，并将其传输至加热腔，加热腔用于对硅片进行加热。在初始状态下，真空阀关闭，加热腔内为真空环境，装载腔内为大气环境；当负载有硅片的硅片载板进入装载腔后，对装载腔进行抽真空操作，使装载腔内形成真空环境，然后打开真空阀，使装载腔与加热腔导通，进而硅片载板移动至加热腔内，真空阀关闭，硅片载板上的硅片在加热腔内的真空环境下进行加热操作；加热后的硅片即完成加料过程，移至镀膜工艺腔体内，进行pecvd镀膜工艺处理。

此外，本方案中的镀膜设备还具有上述第二方面实施例中任一项的载板电极装置的全部有益效果，在此不再赘述。

本发明的实施例中附加方面和优点将在下面的描述部分中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的实施例中上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1示出了根据本发明的一个实施例的硅片载板的部分示意图；

图2示出了根据本发明的一个实施例的硅片载板的局部剖视图；

图3示出了根据本发明的一个实施例的硅片载板的局部示意图；

图4示出了图1中a部分的放大图；

图5示出了根据本发明的一个实施例的硅片载板的部分示意图；

图6示出了根据本发明的一个实施例的硅片载板的局部剖视图；

图7示出了图5中b部分的放大图；

图8示出了根据本发明的一个实施例的支撑杆的端面示意图；

图9示出了根据本发明的一个实施例的载板电极装置的局部剖视图；

图10示出了根据本发明的一个实施例的载板电极装置的局部剖视图；

图11示出了根据本发明的一个实施例的镀膜设备的示意框图；

图12示出了根据本发明的一个实施例的镀膜设备的示意图。

其中，图1至图12中附图标记与部件名称之间的对应关系如下：

1硅片载板，11载板框架，12第一电极组件，121固定块，122第一电极片，13托盘，14支撑杆，141杆体，142凸起结构，143第一通孔，15第二电极片，2载板电极装置，21镀膜工艺腔体，211侧壁，212底壁，213门阀，214第二通孔，22电极板，23升降机构，231升降杆，232顶板，233第三电极片，24滚轮机构，3镀膜设备，31加料腔体，311装载腔，3111传输阀，3112真空阀，312加热腔，33出料腔体，34传送机构。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解根据本发明的实施例中上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对根据本发明的实施例进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解根据本发明的实施例，但是，根据本发明的实施例还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本申请的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。

下面参照图1至图12描述根据本发明一些实施例的硅片载板、载板电极装置和镀膜设备。

实施例一

本实施例中提供了一种硅片载板1。如图1和图2所示，硅片载板1包括载板框架11、多个第一电极组件12和托盘13。

载板框架11作为第一电极组件12和托盘13的安装基体。多个第一电极组件12沿载板框架11的周向方向间隔设置于载板框架11的内侧，托盘13设于多个第一电极组件12的顶部，通过托盘13承载硅片，以实现硅片随硅片载板1移动，以便于进入镀膜工艺腔体21内进行镀膜工艺处理。其中，第一电极组件12延伸至载板框架11的底部，以在硅片载板1整体进入镀膜工艺腔体21内时，第一电极组件12的底部可与镀膜工艺腔体21的支撑结构接触；托盘13为电导体，硅片通过托盘13、第一电极组件12与镀膜工艺腔体21导通，进而利用镀膜工艺腔体21实现接地，以满足pecvd镀膜工艺的要求，以备进行后续的镀膜工艺。

本实施例中的硅片载板1，通过在载板框架11上对第一电极组件12进行合理地布置和排列，可增强连接高频的电极板与硅片载板1之间的电场的均匀性，可在镀膜过程中使工艺气体能够均匀地附着于硅片表面，有利于改善镀膜效果，提高硅片产品的质量。

实施例二

本实施例中提供了一种硅片载板1，在实施例一的基础上做了进一步改进。

如图2至图4所示，第一电极组件12包括固定块121和第一电极片122。固定块121连接于载板框架11的内侧，第一电极片122与固定块121远离载板框架11的一端连接，以实现第一电极片122的安装固定。第一电极片122的顶部向固定块121的上方伸出，以通过第一电极片122的顶部支撑托盘13；第一电极片122的底部向固定块121的下方伸出，以对硅片载板1进行支撑，在硅片载板1进入镀膜工艺腔体21内时，通过第一电极片122的底部与镀膜工艺腔体21的支撑结构接触，可使置于托盘13上的硅片通过托盘13和第一电极片122与镀膜工艺腔体21导通。其中，载板框架11靠近外侧的部分由顶部凸出，即载板框架11的外侧部分高于内侧部分，以在托盘13置于第一电极片122的顶部时，载板框架11的外侧部分与托盘13的端面相对，以对托盘13进行限位，防止托盘13发生滑动，有利于提高硅片载板1的稳定性。

第一电极片122为弹性材质制成，第一电极片122的顶部和底部均向靠近载板框架11的方向弯折一定角度，并能够在压力作用下发生弹性形变。当托盘13置于第一电极片122的顶部时，第一电极片122在托盘13的压力作用下向下方发生一定的弹性形变，如图3所示的状态(图中虚线部分表示第一电极片122在不受压力作用时的初始状态)，以使多个第一电极片122与托盘13充分接触；类似地，当第一电极片122的底部与镀膜工艺腔体21的支撑结构接触时，第一电极片122的底部在压力作用下向上发生一定的弹性形变，可使支撑结构与多个第一电极片122充分接触。

进一步地，多个第一电极片122沿载板框架11的周向方向均匀设置。

实施例三

本实施例中提供了一种硅片载板1，在实施例二的基础上做了进一步改进。

如图5和图6所示，载板框架11还包括至少一个支撑杆14和多个第二电极片15。支撑杆14设于载板框架11内，且支撑杆14的两端与载板框架11相连接，使得载板框架11与支撑杆14围成多个框形结构，整体形成网格状的结构，以在每个框形结构中对应设置一个托盘13。其中，支撑杆14的数量具体可根据载板框架11以及托盘13的形状和尺寸设定。在支撑杆14的数量为多个时，多个支撑杆14可以在同一方向上依次设置，也可以交叉设置。

多个第二电极片15设于支撑杆14上，并沿支撑杆14的长度方向间隔设置，使得每个框形结构沿周向方向上均有电极片环绕。托盘13的数量为多个，且托盘13的形状与框形结构的形状相适配；每个框形结构对应设置一个托盘13，并通过框形结构中的第一电极片122和第二电极片15共同支撑托盘13，进一步增强了硅片载板1与电极板之间的电场的均匀性，有利于进一步提高硅片镀膜效果。

进一步地，多个第二电极片15沿支撑杆14的长度方向均匀设置。

更进一步地，支撑杆14的数量具体为两个，且两个支撑杆14交叉布置，即由两个支撑杆14相互垂直设置并形成十字形结构。通过支撑杆14与载板框架11围成类似“田”字形的硅片载板1，将硅片载板1整体分割为四个大小接近的框形结构，相应地，每个框形结构内设置一个托盘13，以在硅片载板1进入镀膜工艺腔体21内时，所产生的电场分布较为均匀。

实施例四

本实施例中提供了一种硅片载板1，在实施例三的基础上做了进一步改进。

如图5至图8所示，支撑杆14具体包括杆体141和凸起结构142。杆体141作为支撑主体，杆体141的顶部形成凸起结构142，凸起结构142的宽度小于杆体141的宽度，使支撑杆14的截面形成类型“凸”字形结构，以利用杆体141位于凸起结构142两侧的部分为托盘13提供支撑。其中，凸起结构142上沿杆体141的长度方向间隔设置有多个第一通孔143，且第一通孔143的形状与第二电极片15相适配；每个第二电极片15穿过一个第一通孔143，且第二电极片15的两端向靠近杆体141的方向弯折，使得第二电极片15与杆体141形成卡接。在托盘13置于框形结构中时，托盘13与第二电极片15的顶部接触，使得相邻的两个框形结构中的两个托盘13与共同的第二电极片15接触，并通过第二电极片15导通，进而使多个托盘13依次导通，可使得硅片载板1与电极板之间的电场形成整体，且整体电场更加均匀。

进一步地，第二电极片15沿支撑杆14的长度方向均匀设置，可防止局部区域电场强弱差异较大，以进一步增强电场的均匀性，有利于进一步改善硅片的镀膜效果。

实施例五

本实施例中提供了一种硅片载板1，如图3至图8所示，硅片载板1包括载板框架11、多个第一电极组件12、支撑杆14、多个第二电极片15和多个托盘13。

载板框架11作为第一电极组件12、支撑杆14和托盘13的安装基体。支撑杆14设于载板框架11内，且支撑杆14的两端与载板框架11相连接。支撑杆14的数量具体为两个，且两个支撑杆14交叉布置，即由两个支撑杆14相互垂直设置并形成十字形结构；通过支撑杆14与载板框架11围成类似“田”字形网格状的硅片载板1，将硅片载板1整体分割为四个大小接近的框形结构，相应地，每个框形结构内设置一个托盘13。

多个第一电极组件12设于载板框架11的内侧，并沿载板框架11的周向方向均匀设置。第一电极组件12具体包括固定块121和第一电极片122。固定块121连接于载板框架11的内侧，第一电极片122与固定块121远离载板框架11的一端连接，以实现第一电极片122的安装固定。第一电极片122的顶部向固定块121的上方伸出，以通过第一电极片122的顶部支撑托盘13；第一电极片122的底部向固定块121的下方伸出，以对硅片载板1进行支撑，在硅片载板1进入镀膜工艺腔体21内时，通过第一电极片122的底部与镀膜工艺腔体21的支撑结构接触，可使置于托盘13上的硅片通过托盘13和第一电极片122与镀膜工艺腔体21导通。其中，载板框架11靠近外侧的部分由顶部凸出，即载板框架11的外侧部分高于内侧部分，以在托盘13置于第一电极片122的顶部时，载板框架11的外侧部分与托盘13的端面相对，以对托盘13进行限位，防止托盘13发生滑动，有利于提高硅片载板1的稳定性。

第一电极片122为弹性材质制成，第一电极片122的顶部和底部均向靠近载板框架11的方向弯折一定角度，并能够在压力作用下发生弹性形变。当托盘13置于第一电极片122的顶部时，第一电极片122在托盘13的压力作用下向下方发生一定的弹性形变，如图3所示的状态(图中虚线部分表示第一电极片122在不受压力作用时的初始状态)，以使多个第一电极片122与托盘13充分接触；类似地，当第一电极片122的底部与镀膜工艺腔体21的支撑结构接触时，第一电极片122的底部在压力作用下向上发生一定的弹性形变，可使支撑结构与多个第一电极片122充分接触。

支撑杆14具体包括杆体141和凸起结构142。杆体141的顶部形成凸起结构142，凸起结构142的宽度小于杆体141的宽度，使支撑杆14的截面形成类型“凸”字形结构，以利用杆体141位于凸起结构142两侧的部分为托盘13提供支撑。其中，凸起结构142上沿杆体141的长度方向间隔设置有多个第一通孔143，且第一通孔143的形状与第二电极片15相适配；多个第二电极片15沿支撑杆14的长度方向均匀设置，每个第二电极片15穿过一个第一通孔143，且第二电极片15的两端向杆体141一侧弯折，使得第二电极片15与杆体141形成卡接。在托盘13置于框形结构中时，通过第一电极片122和第二电极片15共同支撑托盘13；相邻的两个框形结构中的两个托盘13与共同的第二电极片15接触，并通过第二电极片15导通，进而使多个托盘13依次导通，可使得硅片载板1与电极板之间的电场形成整体，可防止局部区域电场强弱差异较大，整体电场更加均匀。

通过托盘13承载硅片，以实现硅片随硅片载板1移动，以便于进入镀膜工艺腔体21内进行镀膜工艺处理。其中，第一电极组件12的底部可与镀膜工艺腔体21的支撑结构接触；托盘13为电导体，硅片通过托盘13、第一电极组件12与镀膜工艺腔体21导通，进而利用镀膜工艺腔体21实现接地，以满足pecvd镀膜工艺的要求，以备进行后续的镀膜工艺。

需要说明的是，支撑杆14的数量具体可根据载板框架11以及托盘13的形状和尺寸设定。在支撑杆14的数量为多个时，多个支撑杆14的布置形式不限于本实施例中的交叉设置，也可以在同一方向上依次设置。

本实施例中的硅片载板1，通过在对第一电极片122和第二电极片15进行合理地布置和排列，可增强连接高频的电极板与硅片载板1之间的电场的均匀性，可在镀膜过程中使工艺气体能够均匀地附着于硅片表面，有利于改善镀膜效果，提高硅片产品的质量。

实施例六

本实施例中提供了一种载板电极装置2，如图9和图10所示，载板电极装置2包括镀膜工艺腔体21和上述任一实施例中的硅片载板1。

镀膜工艺腔体21内设有电极板22和升降机构23，电极板22对应设于镀膜工艺腔体21内的顶部位置，升降机构23设于镀膜工艺腔体21的底壁212上，并与底壁212导通，且升降机构23能够相对于底壁212进行升降运动。其中，镀膜工艺腔体21接地，使得电极板22与镀膜工艺腔体21之间形成电压差。镀膜工艺腔体21相对的两个侧壁211上设有门阀213，硅片载板1能够通过门阀213进出镀膜工艺腔体21，并能够置于升降机构23上。其中，镀膜工艺腔体21和升降机构23均为电导体。

当负载有硅片的硅片载板1进入镀膜工艺腔体21后，升降机构23上升以对硅片载板1的底部进行顶升，使得硅片载板1上升至预设高度(镀膜工艺所要求的高度)，此时，硅片通过硅片载板1和升降机构23与镀膜工艺腔体21导通，实现硅片接地，从而使电极板22与硅片之间产生电场，以便于对硅片进行pecvd镀膜工艺处理。

本实施例中的载板电极装置2，通过硅片载板1与镀膜工艺腔体21之间的配合，可有效增强连接高频的电极板22与硅片载板1之间的电场的均匀性，可在镀膜过程中使工艺气体能够均匀地附着于硅片表面，有利于改善镀膜效果，提高硅片产品的质量。

此外，本实施例中的载板电极装置2还具有上述任一实施例中的硅片载板1的全部有益效果，在此不再赘述。

实施例七

本实施例中提供了一种载板电极装置2，在实施例六的基础上做了进一步改进。

如图9和图10所示，载板电极装置2还包括多个第三电极片233，每个第三电极片233的两端分别与升降机构232和镀膜工艺腔体1的底壁212连接，以使升降机构23与镀膜工艺腔体21导通，并使电场分布较为均匀。

进一步地，升降机构23具体包括升降杆231和顶板232。镀膜工艺腔体21的底壁212设有第二通孔214，升降杆231穿过第二通孔214，并与镀膜工艺腔体21的底壁212活动连接，顶板232连接于升降杆231的顶部，通过升降杆231带动顶板232进行升降运动。在硅片载板1进入镀膜工艺腔体21内时，升降杆231带动顶板232上升，以使顶板232与硅片载板1接触并将硅片载板1顶升至预设高度(即镀膜工艺所要求的高度)，以便于进行镀膜工艺处理；在完成镀膜工艺处理后，升降杆231带动顶板232下降，使顶板232与硅片载板1分离。

具体地，多个第三电极片233设于顶板232下方，并沿周向方向间隔设置，每个第三电极片233的两端分别与顶板232和镀膜工艺腔体21的底壁212连接，以使顶板232与镀膜工艺腔体21导通。其中，第三电极片233能够在压力作用下产生弹性形变，当顶板232下降时，对第三电极片233产生压力，使第三电极片233发生弹性形变，同时与顶板232以及底壁212保持连接；当顶板232上升时，第三电极片233逐渐恢复原状，且当顶板232上升至预设高度(即镀膜工艺所要求的高度)时，第三电极片233处于伸直状态，此时硅片通过硅片载板1、顶板232和第三电极片233与镀膜工艺腔体21导通，实现硅片接地。

进一步地，多个第三电极片233沿顶板232的周向方向均匀设置，以在硅片载板1上的硅片通过第三电极片233与镀膜工艺腔体21导通时，进一步增强作用于硅片上的电场的均匀性，镀膜效果更佳。

进一步地，镀膜工艺腔体21内与门阀213相邻的两个侧壁211上设置有滚轮机构24，以在硅片载板1由门阀213进入镀膜工艺腔体21内后，通过滚轮机构24对硅片载板1提供支撑，并能够使硅片载板1在两个门阀213之间运动，便于硅片载板1进出镀膜工艺腔体21。其中，升降机构23的初始高度低于滚轮机构24的设置高度，升降机构23上升过程中从滚轮机构24上承接硅片载板1，当升降机构23上升至预设高度(即镀膜工艺所要求的高度)时，将硅片载板1顶升至滚轮机构24上方，达到镀膜工艺所要求的高度，以对硅片载板1上的硅片进行pecvd镀膜工艺处理。

实施例八

本实施例提供了一种镀膜设备3，如图9至图11所示，镀膜设备3包括加料腔体31、至少一个上述任一实施例中的载板电极装置2、出料腔体33和传送机构34。

加料腔体31、载板电极装置2的镀膜工艺腔体21和出料腔体33依次连通；镀膜工艺腔体21用于对硅片进行pecvd镀膜工艺处理。传送机构34用于传送硅片载板1，使硅片载板1在加料腔体31、镀膜工艺腔体21和出料腔体33之间运动。其中，根据工艺需要的不同，镀膜工艺腔体21的数量可以是一个或多个。

在生产过程中，硅片载板1在加料腔体31中负载硅片，实现加料；之后，负载有硅片的硅片载板1在传送机构34的作用下进入镀膜工艺腔体21，并置于升降机构23上，硅片通过硅片载板1和升降机构23与镀膜工艺腔体21导通，进而实现硅片接地，镀膜工艺腔体21对硅片进行pecvd镀膜工艺处理，使工艺气体附着于硅片表面，形成薄膜；在完成镀膜工艺处理后，硅片随硅片载板1进入出料腔体33，硅片由硅片载板1上卸载，完成出料。

进一步地，如图12所示，加料腔体31包括装载腔311和加热腔312，装载腔311与加热腔312相连接，并能够通过真空阀3112导通。装载腔311用于从外界装载硅片进入腔室，并将其传输至加热腔，加热腔312用于对硅片进行加热。在初始状态下，真空阀3112关闭，加热腔312内为真空环境，装载腔311内为大气环境；当负载有硅片的硅片载板1通过传输阀3111进入装载腔311后，传输阀3111关闭；对装载腔311进行抽真空操作，使装载腔311内形成真空环境；然后打开真空阀3112，使装载腔311与加热腔312导通，进而硅片载板1移动至加热腔312内，真空阀3112关闭，并对硅片载板1上的硅片在加热腔312内的真空环境下进行加热操作；加热后的硅片即完成加料过程，并移至镀膜工艺腔体21内进行pecvd镀膜工艺处理。

此外，本实施例中的镀膜设备3还具有上述任一实施例中的载板电极装置2的全部有益效果，在此不再赘述。

以上结合附图详细说明了根据本发明的一些实施例的技术方案，通过硅片载板与镀膜工艺腔体之间的配合，使硅片能够均匀、良好地接地，可有效增强连接高频的电极板与硅片载板之间的电场的均匀性，可在镀膜过程中使工艺气体能够均匀地附着于硅片表面，有利于改善镀膜效果，提高硅片产品的质量。

在根据本发明的实施例中，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；术语“多个”则指两个或两个以上，除非另有明确的限定。术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在根据本发明的实施例中的具体含义。

根据本发明的实施例的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述根据本发明的实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或单元必须具有特定的方向、以特定的方位构造和操作，因此，不能理解为对本申请的技术方案的限制。

在本说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“具体实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或特点包含于根据本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或实例。而且，描述的具体特征、结构、材料或特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上仅为根据本发明的优选实施例而已，并不用于限制本申请的技术方案，对于本领域的技术人员来说，本申请的技术方案可以有各种更改和变化。凡在本申请的技术方案的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

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