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熔喷布驻极机的制作方法

2021-01-13 12:01:20|282|起点商标网
熔喷布驻极机的制作方法

本实用新型涉及熔喷布加工设备技术领域,尤其涉及熔喷布驻极机。



背景技术:

当前口罩实现细菌、pm2.5颗粒等隔离主要通过两种方式:机械阻挡和静电吸附。其中,机械阻挡主要是利用口罩纤维过滤材料自身小的孔隙来阻隔细菌及病毒的侵入,但这种机械阻挡作用对粒径小于1μm以下的粒子过滤效果很差,不能起到净化作用。而如果在原有的机械阻挡作用外,在空气过滤的过程中增加静电吸附,依靠库仑力直接吸引气相中的带电微粒并将其捕获,或诱导中性微粒产生极性再将其捕获,就可以更有效地过滤气体载体相中的亚微粒子,大大增强过滤效率,而空气阻力却不会增加。这就是所谓的高效低阻过滤材料。

因此,要提升口罩熔喷滤材过滤效率,可以通过增加口罩静电吸附能力来实现。而增加口罩静电吸附能力,则需要对口罩核心材料——熔喷无纺布过滤材料进行驻极处理。



技术实现要素:

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺陷,而提出的一种熔喷布驻极机,它将熔喷布驻极处理,使熔喷布的纤维表面带上大量静电电荷,利用静电吸附作用捕获微细颗粒物,可增强过滤效率,且不增加呼吸阻力,从而达到口罩具备静电吸附的能力,增强过滤效果,更好的抵挡病毒和细菌对人体的侵害,维护身体健康安全。

为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:

熔喷布驻极机,包括工作台,其特征在于:工作台上设置旋转主轴和从动轴,位于旋转主轴与从动轴上均设有限位底盘,位于旋转主轴与从动轴之间设有若干个过渡轴,旋转主轴的转动带动熔喷布于从动轴上、绕过过渡轴,最后绕于旋转主轴上,位于两个过渡轴之间设有静电发生器,静电发生器为两个以上,分别位于过渡轴间熔喷布的两侧,并能紧贴熔喷布的两侧设置。

根据上述技术方案,优选的,限位底盘采用绝缘材料制成。

根据上述技术方案,优选的,位于旋转主轴及从动轴上端设有定位压紧座。

根据上述技术方案,优选的,所述的过渡轴采用绝缘材料制成。

根据上述技术方案,优选的,旋转主轴由电机驱动旋转。

根据上述技术方案,优选的,过渡轴的数量为3个,呈“v”形分布设置。

与现有技术相比,本实用新型提供了一种熔喷布驻极机,具备以下有益效果:

1、本实用新型是熔喷布驻极机,它将熔喷布驻极处理,使熔喷布的纤维表面带上大量静电电荷,利用静电吸附作用捕获微细颗粒物,可增强过滤效率,且不增加呼吸阻力,从而达到口罩具备静电吸附的能力,增强过滤效果,更好的抵挡病毒和细菌对人体的侵害,维护身体健康安全。

2、本实用新型是熔喷布驻极机,它对熔喷布双面均进行了附着电荷,提高了熔喷布吸附过滤的效果。

3、本实用新型是熔喷布驻极机,它结构简单,设计合理,对熔喷布的处理效率高。

该装置中未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。

附图说明

图1为本实用新型提出的结构立体示意图;

图2为本实用新型提出的结构俯视图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。

在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。

参照图1-2,熔喷布驻极机,包括工作台1,工作台1上设置旋转主轴2和从动轴3,位于旋转主轴2与从动轴3上均设有限位底盘4,位于旋转主轴2与从动轴3之间设有若干个过渡轴5,旋转主轴2的转动带动熔喷布6于从动轴3上、绕过过渡轴5,最后绕于旋转主轴2上,位于两个过渡轴5之间设有静电发生器7,静电发生器7为两个以上,分别位于过渡轴5间熔喷布6的两侧,并能紧贴熔喷布6的两侧设置。

限位底盘4采用绝缘材料制成。

位于旋转主轴2及从动轴3上端设有定位压紧座8。

所述的过渡轴5采用绝缘材料制成。

旋转主轴2由电机驱动旋转。

过渡轴5的数量为3个,呈“v”形分布设置。

本实用新型的工作原理是:由于旋转主轴2、从动轴3、底盘4和过渡轴5都绝缘材料,融喷布接触的材料都是绝缘材料,减少静电流失,融喷布的正反两面同时加装静电发生器7,更高效的为融喷布附加静电并防止静电流失;使得处理好的熔喷布极大提高材料的过滤效率效果。提升合格率。

旋转主轴2旋转,带动过渡轴5和从动轴3旋转,在三个过渡轴5之间两个静电发生器7工作为融喷布正反两面附加静电。

以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

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