一种光子晶体的目标激发频率查找方法、装置及可读介质与流程

本发明涉及计算机技术领域，尤其涉及一种光子晶体的目标激发频率查找方法、装置及可读介质。

背景技术：

零折射率材料由于其本构参数近零，从而波在零折射率材料中传播没有相位变化，并且这样特殊的一种材料具有很多有趣的波操纵特性。零折射率材料分为单零折射率材料和双零折射率材料。单零折射率材料又分为介电常数近零材料和磁导率近零材料。但是由于单零折射率材料只有一个本构参数近零，导致与背景场的阻抗失调，这并不适合实际应用。双零折射率材料，即两个本构参数都近零的材料与背景场之间具有一个有限的有效阻抗，这个可以克服单零折射率介质不实用的缺点。

在现有技术中，这些材料可以使用由金属谐振器或手性夹杂组成的人造复合材料来实现，但金属成分具有损害高频功能的损耗。而人造复合材料的方法，例如可以是：利用能带的偶然简并，设计和制作在布里渊区中心以有限频率显示类狄拉克锥色散的光子晶体，并且这种具有合理介电常数的光子晶体操纵波，在类狄拉克点频率处具有近零的折射率。

理论上，光子晶体中布里渊区中心类狄拉克点频率(对应三重简并点)激发光子晶体时对应了等效零折射率材料，分界面辐射波应为等相位辐射。但是，分界面辐射波在实际情况中并不是等相位出射，因此需要在近零折射率范围内寻找合适的光子晶体激发频率，即目标激发频率。

鉴于此，针对以上不足，需要提供一种光子晶体的目标激发频率查找方法、装置及可读介质来解决上述不足。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题在于如何查找到一个能够较好地消除电流源传播过程中的传播相位的目标激发频率，针对现有技术中的缺陷，提供一种光子晶体的目标激发频率查找方法、装置及可读介质。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种光子晶体的目标激发频率查找方法，包括：

获取预先构建的光子晶体的三重简并点频率；

根据所述三重简并点频率的数值精度，确定多个第一待检测激发频率，其中，每一个所述第一待检测激发频率均大于所述三重简并点频率；

针对每一个所述第一待检测激发频率，向所述光子晶体发射在该第一待检测激发频率且在不同入射角度下的电磁波，获得入射角度变化信息；

根据各所述入射角度变化信息，确定目标激发频率，其中，具有所述目标激发频率的电磁波在设定角度下不能入射到所述光子晶体。

在一种可能的实现方式中，所述根据所述三重简并点频率的数值精度，确定多个第一待检测激发频率，包括：

根据所述三重简并点频率的数值精度，确定多个第二待检测激发频率，其中，所述第二待检测激发频率包括所述第一待检测激发频率；

针对每一个所述第二待检测激发频率，从所述光子晶体中出射具有该第二待检测激发频率的电磁波，获得出射相位涨落信息；

根据各所述出射相位涨落信息，在多个所述第二待检测激发频率中确定多个所述第一待检测激发频率。

在一种可能的实现方式中，所述根据各所述出射相位涨落信息，在多个所述第二待检测激发频率中确定多个所述第一待检测激发频率，包括：

从各出射相位涨落信息中确定出数值最小的出射相位涨落信息，并将与该出射相位涨落信息相对应的第二待检测激发频率确定为第三待检测激发频率；

将位于所述三重简并点频率和所述第三待检测激发频率之间的第二待检测激发频率、所述第三待检测激发频率、以及超过所述第三待检测激发频率且与所述第三待检测激发频率相邻的至多两个第二待检测激发频率确定为第一待检测激发频率。

在一种可能的实现方式中，所述根据各所述入射角度变化信息，确定目标激发频率，包括：

针对每一个所述入射角度变化信息，将与预设的入射角度变化信息的相似度大于预设的相似度阈值的当前入射角度变化信息确定为目标入射角度变化信息；

将与所述目标入射角度变化信息相对应的第一待检测激发频率确定为目标激发频率。

本发明还提供了一种光子晶体的目标激发频率查找装置，包括：

获取模块，用于获取预先构建的光子晶体的三重简并点频率；

第一确定模块，用于根据所述三重简并点频率的数值精度，确定多个第一待检测激发频率，其中，每一个所述第一待检测激发频率均大于所述三重简并点频率；

获得模块，用于针对每一个所述第一待检测激发频率，向所述光子晶体发射在该第一待检测激发频率且在不同入射角度下的电磁波，获得入射角度变化信息；

第二确定模块，用于根据各所述入射角度变化信息，确定目标激发频率，其中，具有所述目标激发频率的电磁波在设定角度下不能入射到所述光子晶体。

在一种可能的实现方式中，所述第一确定模块，用于执行如下操作：

根据所述三重简并点频率的数值精度，确定多个第二待检测激发频率，其中，所述第二待检测激发频率包括所述第一待检测激发频率；

针对每一个所述第二待检测激发频率，从所述光子晶体中出射具有该第二待检测激发频率的电磁波，获得出射相位涨落信息；

根据各所述出射相位涨落信息，在多个所述第二待检测激发频率中确定多个所述第一待检测激发频率。

在一种可能的实现方式中，所述第一确定模块在执行所述根据各所述出射相位涨落信息，在多个所述第二待检测激发频率中确定多个所述第一待检测激发频率时，用于执行如下操作：

从各出射相位涨落信息中确定出数值最小的出射相位涨落信息，并将与该出射相位涨落信息相对应的第二待检测激发频率确定为第三待检测激发频率；

将位于所述三重简并点频率和所述第三待检测激发频率之间的第二待检测激发频率、所述第三待检测激发频率、以及超过所述第三待检测激发频率且与所述第三待检测激发频率相邻的至多两个第二待检测激发频率确定为第一待检测激发频率。

在一种可能的实现方式中，所述第二确定模块，用于执行如下操作：

针对每一个所述入射角度变化信息，将与预设的入射角度变化信息的相似度大于预设的相似度阈值的当前入射角度变化信息确定为目标入射角度变化信息；

将与所述目标入射角度变化信息相对应的第一待检测激发频率确定为目标激发频率。

本发明还提供了一种光子晶体的目标激发频率查找装置，包括：至少一个存储器和至少一个处理器；

所述至少一个存储器，用于存储机器可读程序；

所述至少一个处理器，用于调用所述机器可读程序，执行如上述所述的方法。

本发明还提供了一种计算机可读介质，所述计算机可读介质上存储有计算机指令，所述计算机指令在被处理器执行时，使所述处理器执行如上述所述的方法。

实施本发明的一种光子晶体的目标激发频率查找方法、装置及可读介质，具有以下有益效果：

首先获取预先构建的光子晶体的三重简并点频率，然后根据该三重简并点频率的数值精度确定多个第一待检测激发频率，其中，每一个第一待检测激发频率均大于三重简并点频率；再针对每一个第一待检测激发频率，向光子晶体发射在该第一待检测激发频率且在不同入射角度下的电磁波，获得入射角度变化信息；最后根据各入射角度变化信息，确定目标激发频率，其中，具有目标激发频率的电磁波在设定角度下不能入射到光子晶体。如此设置，可以在保证该光子晶体仍然为等效的近零折射率材料的基础上，通过确定的多个均大于三重简并点频率的第一待检测激发频率，并根据与每一个第一待检测激发频率相对应的电磁波的入射角度变化信息，来查找到一个能够较好地消除电流源传播过程中的传播相位的目标激发频率；当在该光子晶体中嵌入多个电流源时，能够在光子晶体的出射面实现较好的电场增强的效果，从而可以在光子晶体的出射面实现更好的功率合成的效果。

附图说明

图1是本发明一个实施例提供的一种光子晶体的目标激发频率查找方法的流程图；

图2是本发明一个实施例提供的一种光子晶体的目标激发频率查找装置所在设备的示意图；

图3是本发明一个实施例提供的一种光子晶体的目标激发频率查找装置的示意图；

图4是本发明一个实施例提供的光子晶体的结构示意图；

图5是本发明一个实施例提供的在理想近零折射率材料中嵌入电流源后的辐射电场分布示意图；

图6是本发明一个实施例提供的在图4所示光子晶体中嵌入为三重简并点频率的电流源后的辐射电场分布示意图；

图7是本发明一个实施例提供的从图4所示光子晶体中出射第二待检测激发频率的电磁波的出射相位涨落的分布示意图；

图8是本发明一个实施例提供的用来计算透射率随电磁波入射角度变化分布的模型示意图；

图9是本发明一个实施例提供的理想近零折射率材料的透射率随电磁波入射角度的变化分布示意图；

图10是本发明一个实施例提供的利用为三重简并点频率的电磁波激发光子晶体时透射率随电磁波入射角度的变化分布示意图；

图11是本发明一个实施例提供的利用第二待检测激发频率为0.542的电磁波激发光子晶体时透射率随电磁波入射角度的变化分布示意图；

图12是本发明一个实施例提供的利用第二待检测激发频率为0.543的电磁波激发光子晶体时透射率随电磁波入射角度的变化分布示意图；

图13是本发明一个实施例提供的利用第二待检测激发频率为0.544的电磁波激发光子晶体时透射率随电磁波入射角度的变化分布示意图；

图14是本发明一个实施例提供的利用第二待检测激发频率为0.545的电磁波激发光子晶体时透射率随电磁波入射角度的变化分布示意图；

图15是本发明一个实施例提供的利用第二待检测激发频率为0.546的电磁波激发光子晶体时透射率随电磁波入射角度的变化分布示意图；

图16是本发明一个实施例提供的利用第二待检测激发频率为0.547的电磁波激发光子晶体时透射率随电磁波入射角度的变化分布示意图；

图17是本发明一个实施例提供的在图4所示光子晶体中的功率合成的模型示意图；

图18是本发明一个实施例提供的在图4所示光子晶体中嵌入一个为目标激发频率的电流源时的辐射电场分布示意图；

图19是本发明一个实施例提供的在图4所示光子晶体中嵌入两个为目标激发频率的电流源时的辐射电场分布示意图；

图20是本发明一个实施例提供的在图4所示光子晶体中嵌入三个为目标激发频率的电流源时的辐射电场分布示意图；

图21是本发明一个实施例提供的图18、图19和图20所示的辐射电场值的分布示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明实施例提供的一种光子晶体的目标激发频率查找方法，包括：

步骤101、获取预先构建的光子晶体的三重简并点频率；

步骤102、根据所述三重简并点频率的数值精度，确定多个第一待检测激发频率，其中，每一个所述第一待检测激发频率均大于所述三重简并点频率；

步骤103、针对每一个所述第一待检测激发频率，向所述光子晶体发射在该第一待检测激发频率且在不同入射角度下的电磁波，获得入射角度变化信息；

步骤104、根据各所述入射角度变化信息，确定目标激发频率，其中，具有所述目标激发频率的电磁波在设定角度下不能入射到所述光子晶体。

在本实施例中，首先获取预先构建的光子晶体的三重简并点频率，然后根据该三重简并点频率的数值精度确定多个第一待检测激发频率，其中，每一个第一待检测激发频率均大于三重简并点频率；再针对每一个第一待检测激发频率，向光子晶体发射在该第一待检测激发频率且在不同入射角度下的电磁波，获得入射角度变化信息；最后根据各入射角度变化信息，确定目标激发频率，其中，具有目标激发频率的电磁波在设定角度下不能入射到光子晶体。如此设置，可以在保证该光子晶体仍然为等效的近零折射率材料的基础上，通过确定的多个均大于三重简并点频率的第一待检测激发频率，并根据与每一个第一待检测激发频率相对应的电磁波的入射角度变化信息，来查找到一个能够较好地消除电流源传播过程中的传播相位的目标激发频率；当在该光子晶体中嵌入多个电流源时，能够在光子晶体的出射面实现较好的电场增强的效果，从而可以在光子晶体的出射面实现更好的功率合成的效果。

可以理解的是，根据能带理论可以知道：当待检测激发频率小于三重简并点频率时，电流源传播过程中的传播相位更不易消除，因此此时更不可能实现功率合成。所以说，需要使待检测激发频率大于三重简并点频率，这样才能找到一个能够较好地消除电流源传播过程中的传播相位的目标激发频率。

下面结合实际实验数据对本发明的发明构思进行解释说明。

如图4所示，预先构建的光子晶体的参数如下：晶格常数为a，介质圆柱的半径为r，其中r＝0.2a，介质圆柱的介电常数为ε＝12.5，有效磁导率μ＝1，介质圆柱嵌在空气中。利用该光子晶体在布里渊区γ点处实现三重简并点的构造，通过有效介质理论得到，该三重简并点频率对应光子晶体的有效介电常数和有效磁导率同时为零的激发频率，经过计算可以得到该三重简并点频率的无量纲数值为0.541。

如图5所示，图5为在理想近零折射率材料(即相对介电常数为ε＝10^-6，相对磁导率为μ＝10^-6)的中心嵌入一个电流源(例如1a)的辐射电场分布示意图。

如图6所示，基于图4所示的光子晶体，图6中的光子晶体的尺寸为20a*20a(即具有400个介质圆柱，而图4中的光子晶体具有4个介质圆柱)，并在图6中的光子晶体的中心嵌入一个电流源(例如1a)，图6为利用三重简并点频率为0.541的电磁波激发光子晶体时的辐射电场分布示意图。与理想近零折射率材料做比较，可以发现由三重简并点频率为0.541的电磁波激发的等效近零折射率材料的光子晶体的分界面上并不是平面波类型辐射，且与理想情况相差很大。

基于以上内容的分析，可以看出需要查找一个目标激发频率，以能够较好地消除电流源传播过程中的传播相位，即由该目标激发频率激发的等效近零折射率材料的光子晶体的分界面上是平面波类型辐射，且与理想情况相差较小。

在本发明一个实施例中，在图1所示光子晶体的目标激发频率查找方法的基础上，所述根据所述三重简并点频率的数值精度，确定多个第一待检测激发频率，包括：

根据所述三重简并点频率的数值精度，确定多个第二待检测激发频率，其中，所述第二待检测激发频率包括所述第一待检测激发频率；

针对每一个所述第二待检测激发频率，从所述光子晶体中出射具有该第二待检测激发频率的电磁波，获得出射相位涨落信息；

根据各所述出射相位涨落信息，在多个所述第二待检测激发频率中确定多个所述第一待检测激发频率。

在本发明实施例中，通过根据各第二待检测激发频率的电磁波的出射相位涨落信息，可以有利于在多个第二待检测激发频率中确定多个第一待检测激发频率，以节省计算资源，提高计算速度，从而有利于更快速地查找到目标激发频率。

接前述举例，三重简并点频率为0.541的数值精度为10^-3，因此可以根据该数值精度确定多个第二待检测激发频率，例如可以是0.541-0.550，还可以是0.541-0.560，当然还可以是位于其它范围内的第二待检测激发频率。如图7所示，本发明实施例提供的第二待检测激发频率选择的范围为0.542-0.572，即第二待检测激发频率可以为0.542、0.543、0.544……0.572。

在本发明一个实施例中，在图1所示光子晶体的目标激发频率查找方法的基础上，所述根据各所述出射相位涨落信息，在多个所述第二待检测激发频率中确定多个所述第一待检测激发频率，包括：

从各出射相位涨落信息中确定出数值最小的出射相位涨落信息，并将与该出射相位涨落信息相对应的第二待检测激发频率确定为第三待检测激发频率；

将位于所述三重简并点频率和所述第三待检测激发频率之间的第二待检测激发频率、所述第三待检测激发频率、以及超过所述第三待检测激发频率且与所述第三待检测激发频率相邻的至多两个第二待检测激发频率确定为第一待检测激发频率。

在本发明实施例中，通过根据数值最小的出射相位涨落信息，可以快速确定出第一待检测激发频率，以进一步节省计算资源，提高计算速度，从而有利于更快速地查找到目标激发频率。

根据图7的出射相位涨落的分布示意图，可以大致确定第一待检测激发频率位于的频率范围在0.542-0.550，其中，第三待检测激发频率为0.546，因此可以确定第一待检测激发频率为0.542-0.547。

图8为用来计算透射率随电磁波入射角度变化分布的模型示意图，其中，图8中的中间方形区域为图6所示的光子晶体，左右两侧的方形区域为空气。电磁波从左侧入射，通过该模型可以计算透射率随电磁波(电磁波的第一待检测激发频率为0.542-0.547)入射角度的变化分布。图9为透射率随理想近零折射率材料的透射率随电磁波入射角度的变化分布示意图，图10为利用为三重简并点频率的电磁波激发光子晶体时透射率随电磁波入射角度的变化分布示意图，图11至图16示出了利用第一待检测激发频率为0.542-0.547的电磁波激发光子晶体时透射率随电磁波入射角度的变化分布示意图。需要说明的是，电磁波入射角度变化范围为0～90度，由菲涅尔定律可以得知，只有当电磁波垂直入射到零折射率材料才有电磁波透过零折射率材料，否则都会被零折射率材料反射。

在本发明一个实施例中，在图1所示光子晶体的目标激发频率查找方法的基础上，所述根据各所述入射角度变化信息，确定目标激发频率，包括：

针对每一个所述入射角度变化信息，将与预设的入射角度变化信息的相似度大于预设的相似度阈值的当前入射角度变化信息确定为目标入射角度变化信息；

将与所述目标入射角度变化信息相对应的第一待检测激发频率确定为目标激发频率。

在本发明实施例中，通过与预设的入射角度变化信息的相似度大于预设的相似度阈值，可以快速地确定出目标激发频率。

接前述举例，根据图9至图16可以看出，利用为三重简并点频率的电磁波激发光子晶体时，发现其对应的入射角度的变化分布与理想近零折射率材料差别很大(即图9和图10中的曲线差距较大)，即透射率随电磁波入射角度的振荡剧烈；而在利用第一待检测激发频率为0.542-0.546的电磁波激发光子晶体时，透射率随电磁波入射角度的振荡仍然存在，不过振荡的程度逐渐减弱；在利用第一待检测激发频率为0.547的电磁波激发光子晶体时，可以发现其对应的入射角度的变化分布与理想近零折射率材料差距很小，因此可以将激发频率为0.547的第一待检测激发频率确定为目标激发频率。

下面对在上述光子晶体中嵌入一个或多个为目标激发频率的电流源时的功率合成效果进行介绍。

如图17所示，在上述光子晶体中嵌入三个电流源(分别为电流源1、2和3)的功率合成的模型示意图。如图18至图21所示，图18为在上述光子晶体中嵌入一个为目标激发频率的电流源(例如电流源1)时的辐射电场分布示意图，图19为在上述光子晶体中嵌入两个为目标激发频率的电流源(例如电流源1和2)时的辐射电场分布示意图，图20为在上述光子晶体中嵌入一个为目标激发频率的电流源(例如电流源1、2和3)时的辐射电场分布示意图，图21为图18、图19和图20所示的辐射电场值的分布示意图。由图18至图21可以看出，当电流源的个数增加时，光子晶体的四个辐射方向的电场值均在增加，如此实现了辐射电场的功率合成效果。

如图2和图3所示，本发明实施例提供了一种光子晶体的目标激发频率查找装置所在的设备和光子晶体的目标激发频率查找装置。装置实施例可以通过软件实现，也可以通过硬件或者软硬件结合的方式实现。从硬件层面而言，如图2所示，为本发明实施例提供的光子晶体的目标激发频率查找装置所在设备的一种硬件结构图，除了图2所示的处理器、内存、网络接口、以及非易失性存储器之外，实施例中装置所在的设备通常还可以包括其他硬件，如负责处理报文的转发芯片等等。以软件实现为例，如图3所示，作为一个逻辑意义上的装置，是通过其所在设备的cpu将非易失性存储器中对应的计算机程序指令读取到内存中运行形成的。

如图3所示，本实施例提供的光子晶体的目标激发频率查找装置，包括：

获取模块301，用于获取预先构建的光子晶体的三重简并点频率；

第一确定模块302，用于根据所述三重简并点频率的数值精度，确定多个第一待检测激发频率，其中，每一个所述第一待检测激发频率均大于所述三重简并点频率；

获得模块303，用于针对每一个所述第一待检测激发频率，向所述光子晶体发射在该第一待检测激发频率且在不同入射角度下的电磁波，获得入射角度变化信息；

第二确定模块304，用于根据各所述入射角度变化信息，确定目标激发频率，其中，具有所述目标激发频率的电磁波在设定角度下不能入射到所述光子晶体。

在本发明实施例中，获取模块301可用于执行上述方法实施例中的步骤101，第一确定模块302可用于执行上述方法实施例中的步骤102；获得模块303可用于执行上述方法实施例中的步骤103；第二确定模块304可用于执行上述方法实施例中的步骤104。

在本发明的一个实施例中，所述第一确定模块302，用于执行如下操作：

根据所述三重简并点频率的数值精度，确定多个第二待检测激发频率，其中，所述第二待检测激发频率包括所述第一待检测激发频率；

针对每一个所述第二待检测激发频率，从所述光子晶体中出射具有该第二待检测激发频率的电磁波，获得出射相位涨落信息；

根据各所述出射相位涨落信息，在多个所述第二待检测激发频率中确定多个所述第一待检测激发频率。

在本发明的一个实施例中，所述第一确定模块302在执行所述根据各所述出射相位涨落信息，在多个所述第二待检测激发频率中确定多个所述第一待检测激发频率时，用于执行如下操作：

从各出射相位涨落信息中确定出数值最小的出射相位涨落信息，并将与该出射相位涨落信息相对应的第二待检测激发频率确定为第三待检测激发频率；

将位于所述三重简并点频率和所述第三待检测激发频率之间的第二待检测激发频率、所述第三待检测激发频率、以及超过所述第三待检测激发频率且与所述第三待检测激发频率相邻的至多两个第二待检测激发频率确定为第一待检测激发频率。

在本发明的一个实施例中，所述第二确定模块304，用于执行如下操作：

针对每一个所述入射角度变化信息，将与预设的入射角度变化信息的相似度大于预设的相似度阈值的当前入射角度变化信息确定为目标入射角度变化信息；

将与所述目标入射角度变化信息相对应的第一待检测激发频率确定为目标激发频率。

可以理解的是，本发明实施例示意的结构并不构成对光子晶体的目标激发频率查找装置的具体限定。在本发明的另一些实施例中，光子晶体的目标激发频率查找装置可以包括比图示更多或者更少的部件，或者组合某些部件，或者拆分某些部件，或者不同的部件布置。图示的部件可以以硬件、软件或者软件和硬件的组合来实现。

上述装置内的各模块之间的信息交互、执行过程等内容，由于与本发明方法实施例基于同一构思，具体内容可参见本发明方法实施例中的叙述，此处不再赘述。

本发明实施例还提供了一种光子晶体的目标激发频率查找装置，包括：至少一个存储器和至少一个处理器；

所述至少一个存储器，用于存储机器可读程序；

所述至少一个处理器，用于调用所述机器可读程序，执行本发明任一实施例中的一种光子晶体的目标激发频率查找方法。

本发明实施例还提供了一种计算机可读介质，所述计算机可读介质上存储有计算机指令，所述计算机指令在被处理器执行时，使所述处理器执行本发明任一实施例中的一种光子晶体的目标激发频率查找方法。

具体地，可以提供配有存储介质的系统或者装置，在该存储介质上存储着实现上述实施例中任一实施例的功能的软件程序代码，且使该系统或者装置的计算机(或cpu或mpu)读出并执行存储在存储介质中的程序代码。

在这种情况下，从存储介质读取的程序代码本身可实现上述实施例中任何一项实施例的功能，因此程序代码和存储程序代码的存储介质构成了本发明的一部分。

用于提供程序代码的存储介质实施例包括软盘、硬盘、磁光盘、光盘(如cd-rom、cd-r、cd-rw、dvd-rom、dvd-ram、dvd-rw、dvd+rw)、磁带、非易失性存储卡和rom。可选择地，可以由通信网络从服务器计算机上下载程序代码。

此外，应该清楚的是，不仅可以通过执行计算机所读出的程序代码，而且可以通过基于程序代码的指令使计算机上操作的操作系统等来完成部分或者全部的实际操作，从而实现上述实施例中任意一项实施例的功能。

此外，可以理解的是，将由存储介质读出的程序代码写到插入计算机内的扩展板中所设置的存储器中或者写到与计算机相连接的扩展模块中设置的存储器中，随后基于程序代码的指令使安装在扩展板或者扩展模块上的cpu等来执行部分和全部实际操作，从而实现上述实施例中任一实施例的功能。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

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