一种新型风冷器的制作方法
2021-03-09 18:03:55|157|起点商标网
[0001]
本实用新型涉及风冷散热器技术领域,具体涉及一种新型风冷器。
背景技术:
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风冷器是利用风机在风冷机腔体中产生负压,使机外空气流过腔体内,将腔体内湿润的空气带出风机,以用于进行对外界进行降温和增加湿度。现有的风冷机结构包括冷风起箱体、风机、水箱以及设置在水箱中的超声波雾化装置,超声波雾化装置将水槽中的水进行雾化,并由风机吹出腔体外,其往往存在以下不足:1、由于超声波雾化装置是将水箱中的水进行雾化成较小的水滴,因此,当风机将雾化的水汽从出气孔吹出时,水汽容易在吹气孔凝结,形成水渍;2、由于需要使用超声波进行雾化,增加了功耗和设备的体积。
技术实现要素:
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鉴于现有技术所存在的上述问题,本实用新型提出了一种新型风冷器,有效地避免了在出风口处形成水渍及并实现节能降耗的效果。
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本实用新型的技术解决方案如下:
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一种新型风冷器,包括风冷器箱体和设置在所述风冷器箱体内的风机,所述风冷器箱体上设有相对设置的进气口和出气口,所述风机设置在所述进气口和出气口之间,还包括水箱和多孔质吸水基板,所述多孔质吸水基板置于所述风机和出气口之间且其下端浸入存储在所述水箱中的冷却水中。
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具体的,所述多孔质吸水基板的材质为沸石、纳米碳或吸水性织物。
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进一步地,所述多孔质吸水基板的上部朝向所述风机的一侧为向所述风机一侧凸出的曲面。
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进一步地,所述风冷器箱体内还设有挡板,所述挡板将所述风冷器箱体分隔成位于上部的空气流动空间和位于下部的水箱容纳空间。
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进一步地,所述水箱中还设有超声波雾化装置。
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进一步地,所述进气口和所述出气口上还设有过滤网。
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进一步地,还包括消音结构,所述消音结构设置在所述多孔质吸水基板与所述出气口之间。
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与现有技术比较,本实用新型所述的新型风冷器具有以下优点:
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由于在风冷器箱体内设置有水箱和多孔质吸水基板,多孔质吸水基板置于风机和出气口之间且其下端浸入存储在水箱中的冷却水中,多孔质吸水基板可以吸附冷却水,并将冷却水从水箱中输送至空气流动空间中,进而实现快速的降温,且不需要消耗外部能量;而由于多空质吸水基板输送的为水分子,因而不会在出风口处形成水渍。
附图说明
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图1 为本实用新型公开的新型风冷器的一实施例的结构示意图;
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图2 为本实用新型公开的新型风冷器的另一实施例的结构示意图。
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图中:1、风冷器箱体,10、进气口,11、出气口,12、挡板。13、空气流动空间,14、水箱容纳空间,15、过滤网,2、风机,3、水箱,4、多孔质吸水基板,40、曲面,5、超声波雾化装置,60、消音片,61、消音片固定架。
具体实施方式
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实施例1
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一种新型风冷器,如图1所示,包括风冷器箱体1和设置在所述风冷器箱体1内的风机2,所述风冷器箱体1上设有相对设置的进气口10和出气口11,所述风机2设置在所述进气口10和出气口11之间,还包括水箱3和多孔质吸水基板4,所述多孔质吸水基板4置于所述风机2和出气口11之间且其下端浸入存储在所述水箱2中的冷却水中。具体地,所述多孔质吸水基板4的材质为沸石、纳米碳或吸水性织物,沸石、碳纳米或吸水性织物由于其为多孔结构,优选地,多孔质吸水基板的孔径与水分子的孔径相同,水分子可以被该多孔结构立即吸附,因此,当将其下端置于水箱中时,水分子可以被吸附在整个基板上,当风机将空气吹向多孔质吸水基板上端侧时,水蒸气从多孔质吸水基板的上端侧吹出,此时,汽化热被带走,冷空气从出气口排出,该装置具有结构简单,散热效果好,且不需要额外消耗能量等优点。
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实施例2
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在实施例1的基础上,如图2所示,所述多孔质吸水基板4的上部朝向所述风机2的一侧为向所述风机一侧凸出的曲面40,优选地,曲面为球冠面或圆弧曲面,朝向风机一侧为凸出的曲面,增加了风机与多孔质吸水基板的作用面积,有利于提高散热效果,同时,曲面结构可以减小风阻,降低了空气流动产生的噪音。
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所述风冷器箱体1内还设有挡板12,所述挡板12将所述风冷器箱体1分隔成位于上部的空气流动空间13和位于下部的水箱容纳空间14,设置有挡板用于将风冷器箱体空气流动空间和水箱容纳空间,避免了风机与水箱直接作用而产生较大的噪声。
[0022]
所述水箱3中还设有超声波雾化装置5,超声雾化装置可以对水箱中的水进行雾化,以便于多孔质吸水基板快速吸附,提高了散热效果。
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所述进气口10和所述出气口11上还设有过滤网15,设置过滤网结构,可以避免灰尘进入风冷器箱体内造成多孔质吸水基板被堵塞,提高了使用寿命。
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所述风冷器还包括消音结构,所述消音结构设置在所述多孔质吸水基板与所述出气口之间,在本实施例中,所述消音结构包括消音片61和消音片固定架60,所述消音片通过所述消音片固定架安装在所述多孔质吸水基板与所述出气口之间的空气流动空间内,用于进一步降低噪音。
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以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
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