一种光照减粘保护膜的制作方法

本实用新型涉及保护膜技术领域，尤其涉及一种光照减粘保护膜。

背景技术：

在半导体等其他电子元件在加工时需要用到光照减粘保护膜，使用其高粘特性使得在加工过程中不易损伤元器件，加工完毕后再将其剥离、撕去即可。然而现有的保护膜使用过程中受静电作用容易吸附灰尘、使产品间吸附等问题，且在剥离过程中粘胶容易残留到工件上。

技术实现要素：

为解决背景技术中存在的技术问题，本实用新型提出一种光照减粘保护膜。

本实用新型提出的一种光照减粘保护膜，包括：基材层、位于基材层一侧减粘层和位于减粘层远离基材层一侧的离型层，其中：

基材层远离离型层的一侧设有抗静电层，基材层包括底膜层和结合层，所述结合层经线与纬线纵横交错形成，且结合层厚度的一半位于底膜层内，其厚度的另一部位于减粘层内。

优选地，经线内部设有轴向延伸的中心孔。

优选地，纬线内部设有轴向延伸的中心孔。

优选地，抗静电层的厚度为3-5微米。

优选地，基材层的厚度为12-200微米。

优选地，减粘层的厚度为5-75微米。

本实用新型中，通过在基材层远离减粘层的一侧设置抗静电层，可有效避免该保护膜制程异物污染、产品间吸附等问题。且通过将基材层设置层底膜层和结合层，并对二者与减粘层之间的关系进行设置，可有效增减粘层与基材层的结构强度，避免撕去过程中减粘层脱落残留在半导体等其他电子元件上，同时结合层的设置还可有效强该保护膜的抗拉强度。

附图说明

图1为实用新型提出的一种光照减粘保护膜的结构示意图。

具体实施方式

下面，通过具体实施例对本实用新型的技术方案进行详细说明。

如图1所示，图1为实用新型提出的一种光照减粘保护膜的结构示意图。

参照图1，本实用新型提出的一种光照减粘保护膜，包括：基材层1、位于基材层1一侧减粘层2和位于减粘层2远离基材层1一侧的离型层3，其中：

基材层1远离离型层3的一侧设有抗静电层4，基材层1包括底膜层11和结合层12，所述结合层12经线与纬线纵横交错形成，且结合层12厚度的一半位于底膜层11内，其厚度的另一部位于减粘层2内，从而可有效增强基材层1与减粘层2的结合强度，以及抗拉强度。

由上可知，本实用新型通过在基材层1远离减粘层2的一侧设置抗静电层4，可有效避免该保护膜制程异物污染、产品间吸附等问题。且通过将基材层1设置层底膜层11和结合层12，并对二者与减粘层2之间的关系进行设置，可有效增减粘层2与基材层1的结构强度，避免撕去过程中减粘层2脱落残留在半导体等其他电子元件上，同时结合层12的设置还可有效强该保护膜的抗拉强度。

此外，本实施例中，经线和纬线的内部分别设有轴向延伸的中心孔，以使该保护膜在厚度方向上具有移动的变形空间，以增强对工件的防护效果。

本实施例中，抗静电层4的厚度为3-5微米。基材层1的厚度为12-200微米。减粘层2的厚度为5-75微米。

本实施例中，减粘层2为丙烯酸型减粘树脂。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

起点商标作为专业知识产权交易平台，可以帮助大家解决很多问题，如果大家想要了解更多知产交易信息请点击 【在线咨询】或添加微信 【19522093243】与客服一对一沟通，为大家解决相关问题。

此文章来源于网络,如有侵权,请联系删除