电子部件用胶带及电子部件的加工方法与流程

本发明涉及电子部件用胶带及电子部件的加工方法。更详细地，涉及主要可适用于半导体晶片的薄膜磨削工序的电子部件用胶带，与使用了此电子部件用胶带的电子部件的加工方法。
背景技术：
：在半导体晶片的制造工序中，对于图案形成后的半导体晶片而言，通常为了薄化其厚度，而于半导体晶片背面施以背面磨削加工、蚀刻等处理。此时，以保护半导体晶片表面的图案的目的，于该图案面贴附半导体晶片表面保护用胶带。关于半导体晶片表面保护用胶带，一般而言，于基材膜层叠粘合剂层而成，并于半导体晶片的背面贴附粘合剂层而使用(例如，参照专利文献1)。近年，伴随着移动电话或个人计算机等的小型化、高功能化，开发有与作为以往的半导体芯片的连接方法的丝焊相比，可省空间地安装的倒装芯片式安装。关于倒装芯片式安装，在电连接半导体芯片表面与基板时，经由形成于半导体晶片表面的球状或圆柱状的凸块而连接。关于如此的凸块，以往，高度(厚度)为100μm以下的构成为主流，但对于半导体芯片的更小型化的要求，为了确保接合可靠性而提案有：将高度(厚度)超过200μm的凸块进行再布线的wlcsp(waferlevelchipsizepackage)等。使用以往的半导体晶片表面保护用胶带而进行如上所述的晶片的背面磨削时，因凸块存在高度而使半导体晶片表面保护用胶带无法充分密合保持于晶片表面。如此，自半导体晶片表面保护用胶带与晶片的间隙，侵入有在磨削时所喷射的切削水与硅的磨削屑，而发生污染晶片表面的称为渗漏(日文原文：シーページ)的现象。因此，为了使半导体晶片表面保护用胶带追随半导体晶片表面的凹凸，而提案有：设置储能模量为1×104～1×106pa的中间层于基材膜与粘合剂层之间的半导体晶片表面保护用胶带(例如，参照专利文献2)。另外，亦提案有：于基材膜与粘合剂层之间设置了jis-a硬度为10～55、厚度为25～400μm的热塑性树脂中间层的半导体晶片表面保护用胶带(例如，参照专利文献3、4)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2000-8010号公报专利文献2：日本特开2014-17336号公报专利文献3：日本专利第4054113号公报专利文献4：日本专利第3773358号公报技术实现要素：发明欲解决的课题但是，在记载于所述专利文献的半导体晶片表面保护用胶带中，呈使半导体晶片表面保护用胶带追随半导体晶片表面的凹凸的情况下，在将半导体晶片表面保护用胶带贴合于半导体晶片时，必须加热半导体晶片表面保护用胶带而柔软化之故，而存在对于贴合需要时间的问题。为了解决课题之手段因此，本发明的目的在于提供：即使对于具有高度大的凸块的半导体晶片而言，也可以在短时间充分进行追随的电子部件用胶带及电子部件的加工方法。为了解决所述课题，基于本发明的电子部件用胶带的特征为，具有至少一层树脂层，关于所述树脂层，使用纳米压痕机，在依照iso14577而测定的60℃～80℃的任意温度条件下的所述纳米压痕机的压头的压入深度为10000nm～50000nm，所述树脂层的厚度为50μm～300μm，总厚度为450μm以下。另外，关于所述电子部件用胶带，所述树脂层的在60～80℃的导热率为至少0.30w/m·k以上为优选。关于所述电子部件用胶带，贴合于设置有10μm以上的高低差的半导体晶片的电路形成面为优选。关于所述电子部件用胶带，所述树脂层的厚度为所述高低差的1倍以上且2倍以下为优选。另外，为了解决所述课题，基于本发明的电子部件的加工方法的特征为，具有：贴合工序，在50℃～100℃的温度将所述电子部件用胶带贴合于设置有10μm以上的高低差的半导体晶片的电路形成面；以及磨削工序，在所述贴合工序之后，对所述半导体晶片的与电路形成面相反一侧的面进行磨削。关于所述电子部件的加工方法，在所述贴合工序中的贴合速度为3mm/s以上为优选。发明效果根据基于本发明的电子部件用胶带，即使对于具有高度大的凸块的半导体晶片而言，亦可由短时间进行充分追随。附图说明图1为示意性地示出本发明的实施方式的电子部件用胶带的结构的剖面图。图2为用于示意性地说明本发明的实施方式的电子部件用胶带的使用例的说明图。具体实施方式以下，依据附图而详细说明本发明的实施方式。图1为示意性地示出本发明的实施方式的电子部件用胶带1的结构的剖面图。如图1所示，本实施方式的电子部件用胶带1具有基材膜2，于基材膜2的至少一面侧设置有树脂层3。在树脂层3的上表面设置有粘合剂层4，于粘合剂层4的上表面，表面经脱模处理的剥离膜5的脱模处理面以与粘合剂层4侧接触的方式进行层叠。需要说明的是，在本实施方式中设置有剥离膜，但并非必须设置剥离膜5。以下，对于本实施方式的电子部件用胶带1的各构成要素，详细进行说明。(基材膜2)作为本发明的电子部件用胶带1的基材膜2，可使用公知的塑料、橡胶等。关于基材膜2，特别对于粘合剂层4使用辐射线固化性的组合物的情况，选择其组合物产生固化的波长的辐射线的透射性佳的构成为优选。然而，在此，辐射线是指：例如，总称如紫外线的光线、或者激光、或如电子束的电离性辐射线的构成，以下，将它们总称为辐射线。作为如此的基材膜2而可选择的树脂的例子，可使用高密度聚乙烯(hdpe)、低密度聚乙烯(ldpe)、聚丙烯(pp)、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(eva)、丙烯酸乙烯酯共聚物、甲基丙烯酸乙烯酯共聚物与它们的金属交联体(离聚物)等聚烯烃类、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)等聚酯类、或使丙烯酸类树脂交联而制成膜状的构成者。各个树脂可以单独作为单层基材而使用，或组合树脂进行混合，或作为不同的树脂的多层构成亦可。另外，可以配合用于辨识、识别半导体晶片表面保护粘合带1的着色用颜料等，在不对物性造成影响的范围加入添加物。关于基材膜2，为了作为电子部件用胶带1的处理性、半导体晶片6的薄膜磨削时的翘曲抑制，在25℃的拉伸弹性模量为0.01～10gpa为优选，0.1～5gpa为更优选。进而，基材膜2为最外表面时，要求可耐受电子部件用胶带1的加热贴合、半导体晶片6的研磨等所致的加工热，并且用于在电子部件用胶带1的剥离时于胶带背面加热压接热封膜并进行剥离的工序时，熔点为70～170℃为优选，90～140℃为更优选。基材膜2的厚度无特别限定，适宜设定即可，为10～300μm，进而25～100μm为优选。所述基材膜2的制造方法无特别限定。可使用压延法、t型模头挤出法、吹塑法等以往的方法。另外，亦可以粘接剂等贴合独立制膜的膜与其他的膜而作为基材膜。对于基材膜2的设置树脂层3的一侧的表面，为了使与树脂层3的密合性提升，可以适宜实施电晕处理、设置底漆层等处理。然而，将基材膜2的不设置树脂层3的一侧的表面，进行粗糙化加工(日文原文：シボ加工)或润滑剂涂布亦优选，由此，可得到本发明的电子部件用胶带1保管时的防粘连等效果。用于在电子部件用胶带1的剥离时于胶带背面加热压接热封膜并进行剥离的工序时，于基材膜2的不设置树脂层3的一侧的表面设置具有热封与粘接性的涂层或树脂层亦优选。这些热封层的熔点为70～170℃为优选，90～140℃为更优选。特别是作为基材膜2，在使用pet等高熔点材料时，热封层为有效。(树脂层3)作为构成树脂层3的树脂，若为树脂层3的使用纳米压痕机在依照iso14577所测定的60℃～80℃的任意温度条件下的所述纳米压痕机的压头的压入深度为10000nm～50000nm的构成，则无特别限定而可使用公知的树脂。作为树脂层3可选择的树脂的例子，可举出：聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物或共聚物。各个树脂可以单独作为单层而使用，也可以组合这些树脂进行混合，或者作为不同的树脂的多层构成。关于树脂层3，使用纳米压痕机，在依照iso14577所测定的60℃～80℃的任意温度条件下的纳米压痕机的压头的压入深度为10000nm～50000nm。当纳米压痕机的压头的压入深度在60℃～80℃的任意温度小于10000nm时，对于使电子部件用胶带1充分追随于半导体晶片6表面的凹凸61需要时间。纳米压痕机的压头的压入深度在60℃～80℃的任意温度超过50000nm时，经由加热贴合而过度变形之故，而电子部件用胶带1的厚度精度变差，树脂层3外露于半导体晶片6的侧面，由此在沿着半导体晶片6侧面而切割电子部件用胶带1时成为毛边(日文原文：バリ)、团块(日文原文：ダマ)，污染半导体晶片6。当于树脂层3的切割部分产生毛边等时，在磨削或研磨半导体晶片6的背面时，毛边等卷入至加工面，在半导体晶片6产生侧缘裂缝，或产生裂纹。另外，在半导体晶片6的干式抛光等研磨时，由于加工所致的摩擦热亦有超过60℃的情况，认为有成为半导体晶片6的破损、厚度精度不良的情况。进而，在电子部件用胶带1的运送、保管中，高温时亦有超过60℃的状况，在电子部件用胶带1的端部产生软化，将电子部件用胶带1作为卷状物而进行运送、保管的情况下，亦认为有在端部的误着、产生软化的树脂所致的周边污染。纳米压痕机的压头的压入深度为依照iso14577-1：2002，使用纳米压痕机，施加负载于该纳米压痕机的金刚石所成的三角锥(berkovich)压头，施加10mn的力于试样面的深度作为零，从此加入50mn的力为止而压入该压头时的压头到达深度。树脂层3的60～80℃的纳米压痕机的压头的压入深度例如，能够通过树脂的密度进行调整、在共聚单体共聚物的情况下能够通过共聚单体含有比率进行调整。在乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸丁酯的情况下，共聚单体含有率10～50质量％为优选，而25～45％为更优选。α-烯烃的情况下，密度为0.87～0.93为优选，而0.88～0.90为更优选。另外，可由树脂的分子量而进行调整，重均分子量为10000～200000为优选，而40000～80000为更优选。树脂层3的60～80℃时的导热率为至少0.30w/m·k以上，更优选在70℃时为0.4w/m·k以上。导热率为依照jisa1412所测定。为了使树脂层3的60～80℃时的导热率为0.30w/m·k以上，除了使用具有如此特性的树脂以外，含有导热性填充材料亦可。作为导热性填充材料优选为选自无机氮化物、无机氧化物、金属的一种或二种以上的构成，作为具体例可举出：氮化铝、氮化硼等无机氮化物，氧化铝、氧化硅、氧化镁等无机氧化物，金、银、镍、铝等金属，滑石、碳酸钙、二氧化硅等抗粘连剂。其中，表现绝缘性与高热传导的氮化铝为优选。更优选地，为了耐水性提升，可举出经表面处理的氮化铝。这些可使用1种或混合使用2种以上。关于树脂层3中的填料的含有比例，相对于树脂层3的总质量而言，3～60质量％为优选，而20～50质量％为更优选。对于树脂层3，可以根据需要而含有稳定剂、润滑剂、抗氧化剂、颜料、增塑剂等。但根据添加剂的种类、含量，亦有污染粘合剂层、半导体晶片的情况，因此此时可以于树脂层3与粘合剂层之间设置阻隔层。树脂层3的厚度为50～300μm，而150～270μm为优选。当树脂层3的厚度小于50μm时，使电子部件用胶带1充分追随于半导体晶片6的表面的凹凸61则变为困难。当树脂层3的厚度超过300μm时，在使电子部件用胶带1加热贴合于半导体晶片6表面时，导热性变差而对于树脂层3发生柔软化将花上时间之故，对于使电子部件用胶带1充分追随于半导体晶片6的表面的凹凸61需花上时间。另外，树脂层3的厚度为半导体晶片6表面的高低差的1倍以上且2倍以下为优选。当树脂层3的厚度小于半导体晶片6表面的高低差的1倍时，存在无法使电子部件用胶带1充分追随于半导体晶片6表面的凹凸61可能性。当树脂层3的厚度超过半导体晶片6表面的高低差的2倍时，在加热贴合电子部件用胶带1于半导体晶片6表面时，导热性变差而对于树脂层3发生柔软化将花上时间之故，对于使电子部件用胶带1充分追随于半导体晶片6表面的凹凸61需花上时间。树脂层3的层叠方法无特别限制，但例如，可举出：由t型模头挤出机挤出成形为膜状的同时，与预先准备的基材膜2进行层压的方法；将基材膜2与基材膜3各自进行制膜而进行干式层压、热层压的方法；经由共挤出而同时对基材膜2与树脂层3进行制膜的方法等。关于共挤出的方法，除了t型模头挤出法之外，还可举出吹塑法等。(粘合剂层4)构成粘合剂层4的粘合剂组合物无特别限制，而可使用以往的构成，但可举出：将(甲基)丙烯酸酯作为构成成分的均聚物、作为构成成分而具有(甲基)丙烯酸酯的共聚物。作为构成含有丙烯酸酯作为构成成分的聚合物的单体成分，例如可举出：具有甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、及十二烷基等碳数30以下、优选碳数4～18的直链或支链的烷基的丙烯酸烷基酯或甲基丙烯酸烷基酯。这些(甲基)丙烯酸烷基酯可单独使用，或并用2种以上。作为上述内容以外的丙烯酸类树脂中的构成成分，可含有以下的单体。例如，可举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、及巴豆酸等含有羧基的单体，马来酸酐、或衣康酸酐等酸酐单体，(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基已酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基十二烷基酯、及(甲基)丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲基酯等含有羟基的单体，苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、及(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含有磺酸基的单体，丙烯酰基磷酸2-羟基乙酯等含有磷酸基的单体，(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸n-羟甲基酰胺、(甲基)丙烯酸烷基氨基烷基酯(例如、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、甲基丙烯酸叔丁基氨基乙酯等)、n-乙烯基吡咯烷酮、丙烯酰基吗啉、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈等。这些单体成分可单独使用，或并用2种以上。另外，作为丙烯酸类树脂，作为构成成分，可含有以下的多官能性单体。作为其例，可举出：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二聚季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、及氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体可单独使用，或并用2种以上。作为丙烯酸酯可举出：丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸缩水甘油酯、丙烯酸2-羟基乙酯等。另外，可使用利用将所述的丙烯酸酯例如代替为甲基丙烯酸酯的构成等的丙烯酸系聚合物与固化剂而成的构成。作为固化剂，可使用记载于日本特开2007-146104号公报的固化剂。例如，可举出：1,3-双(n,n-二缩水甘油基氨甲基)环己烷、1,3-双(n,n-二缩水甘油基氨甲基)甲苯、1,3-双(n,n-二缩水甘油基氨甲基)苯、n,n,n,n'-四缩水甘油基间苯二甲胺等在分子中具有2个以上的环氧基的环氧化合物，2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯、1,4-二甲苯二异氰酸酯、二苯甲烷-4,4'-二异氰酸酯等在分子中具有2个以上的异氰酸酯基的异氰酸酯系化合物，四羟甲基－三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷-三-β-(2-甲基氮丙啶)丙酸酯等在分子中具有2个以上的氮丙啶基的氮丙啶系化合物等。固化剂的含量根据所期望的粘合力、储能模量而做调整即可，而相对于所述聚合物100质量份而言，0.01～10质量份为优选，更优选为0.1～5质量份。使光聚合性化合物及光聚合引发剂含于如上所述的粘合剂层4中，由此经由照射紫外线而进行固化，能够使粘合剂层4的粘合力降低。作为如此的光聚合性化合物，可广泛使用如公开于日本特开昭60-196956号公报及日本特开昭60-223139号公报的、可经由光照射而三维网状化的于分子内具有至少2个以上的光聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。具体而言，可使用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的低聚酯丙烯酸酯等。作为光聚合引发剂，可使用记载于日本特开2007-146104或日本特开2004-186429号公报的光聚合引发剂。可并用苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨酮、联苯酰甲基缩酮、α-羟环己基苯基酮、2-羟甲基苯基丙烷等。作为粘合剂层4，可使用光聚合性粘合剂，所述光聚合性粘合剂使用含有于聚合物中具有光聚合性碳-碳双键的聚合物、光聚合引发剂、及固化剂的树脂组合物而成。作为于聚合物中具有碳-碳双键的聚合物，优选如下的(甲基)丙烯酸系聚合物：以任意方法将于侧链具有碳原子数为4～12、更优选为碳原子数8的烷基的(甲基)丙烯酸酯等单体、共聚性改性单体的1种或2种以上均聚或共聚合而成的(甲基)丙烯酸系聚合物。另外，于构成粘合剂层4的粘合剂组合物中，可根据需要配合增粘剂、粘合调整剂、表面活性剂等，或者可以配合其他改性剂等。另外，适宜添加无机化合物填料亦可。粘合剂层4例如，可由涂布粘合剂组合物于剥离膜5上，使其干燥后转印于树脂层3而形成。本发明中粘合剂层4的厚度优选为1～130μm、更优选为1～40μm、进一步优选为1～20μm。本发明中的粘合剂层4的作用主要为确保向半导体晶片6表面的粘合性及剥离性。当粘合剂层4厚时，有因其储能模量而妨碍向半导体晶片6的追随性、成为向半导体晶片6的残糊的要因的可能性。粘合剂层4与树脂层3的合计厚度为半导体晶片6表面的凹凸高度以上为优选。树脂层3单独的厚度为半导体晶片6表面的凹凸高度的1.0～2.0倍为更优选。(剥离膜5)另外，表面保护用粘合带1中，设置剥离膜5于粘合剂层4上亦可。剥离膜5亦称为间隔件、剥离层、剥离衬垫，是为了保护粘合剂层4的目的、另外为了使粘合剂平滑的目的所设置。作为剥离膜5的构成材料，可举出：聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等合成树脂膜、纸等。在剥离膜5的表面，为了提高自粘合剂层4的剥离性，可根据需要而施以硅酮处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。另外，也可以根据需要而优选施以防紫外线处理，以使粘合剂层4不因环境紫外线等不希望的紫外线的暴露而产生反应。剥离膜5的厚度通常为10～100μm、优选为25～50μm左右。关于本发明的电子部件用胶带1，总厚度为450μm以下。在本发明中，总厚度是指：在作为电子部件用胶带所使用的状态的厚度，而对于设置有剥离膜5的情况，是指剥离剥离膜5之后的电子部件用胶带1的厚度。当电子部件用胶带1的总厚度超过450μm时，在使电子部件用胶带1加热贴合于半导体晶片6表面时，导热性变差而对于树脂层3发生柔软化将花上时间之故，对于使电子部件用胶带1充分追随于半导体晶片6表面的凹凸61需花上时间。<使用方法>接着，对于本发明的电子部件用胶带1的使用方法，即半导体晶片6的加工方法进行说明。具体而言，首先，如图2(a)所示，自粘合剂层4剥离电子部件用胶带1的剥离膜5，如图2(b)所示，于半导体晶片6的电路图案面(表面)，以使粘合剂层4成为贴合面的方式，实施贴合电子部件用胶带1的贴合工序。此时，以50～100℃的温度进行加热而贴合为优选，而以60～80℃的温度进行加热而贴合为更优选。此时，因树脂层3的使用纳米压痕机依照iso14577而测定的60℃～80℃的任意温度中纳米压痕机的压头的压入深度为10000nm以上之故，电子部件用胶带1以短时间而充分追随于半导体晶片6表面的凹凸61。贴合速度为3mm/s以上为优选。贴合时的加热经由保持半导体晶片6的夹盘或贴合辊的加温而实施。贴合工序之后，在保持于夹盘的状态，经由附属于贴合机的切割刀，沿着半导体晶片6的侧面，实施切割电子部件用胶带1的切割工序。为了提升切割性，亦有将切割刀加热成70～150℃左右的情况。半导体晶片表面保护带1适合用于形成在电路形成面的凸块等凹凸61面的高低差、即电路形成面的高低差为10μm以上的构成，更适合用于高低差为100μm以上的构成，特别适合用于高低差为180μm以上的构成。之后，如图2(c)所示，对于半导体晶片6的背面、即无电路图案的面侧实施磨削工序，即，经由磨削机7而进行磨削直至半导体晶片6的厚度成为规定的厚度、例如10～200μm为止。之后，对于精加工而实施干式抛光等研磨工序亦可。此时，电子部件用胶带1充分追随于半导体晶片6表面的凹凸61之故，而可抑制渗漏。另外，电子部件用胶带1的表面的凹凸被抑制之故，向半导体晶片6的背面均匀施予自磨削机7的力，厚度精度好地磨削/研磨半导体晶片6，凹痕(日文原文：ディンプル)亦被抑制。之后，电子部件用胶带1为光聚合性时，照射能量射线而使粘合剂层4的粘合力下降，自半导体晶片6剥离电子部件用胶带1。然而，在照射能量射线之后、剥离电子部件用胶带1之前，于半导体晶片6的无电路图案的磨削/研磨面侧，贴合切割/芯片接合膜(未图示)亦可。然而，在本实施方式中，设置粘合剂层4于树脂层的上表面，但若无必要设置粘合剂层4而亦可不设置。此时，直接贴合半导体晶片6于树脂层而磨削/研磨半导体晶片6的背面，在磨削/研磨结束之后，自半导体晶片6剥离电子部件用胶带1。然而，在本实施方式中，对于将电子部件用胶带1用于半导体晶片6的磨削/研磨的例子已做过说明，但并不限定于此，而可用于具有凹凸于表面的电子部件的切割、运送用等表面保护的用途。作为电子部件，除了半导体晶片6以外，例如，还可举出具有高低差为200μm左右的凸凹于表面的玻璃、具有高度200μm左右的凸块的封装等。＜实施例＞以下，依据实施例而更详细说明本发明，但本发明不限定于这些实施例。[粘合剂层组合物的制备][粘合剂层组合物a]相对于丙烯酸2-乙基己酯80质量份、丙烯酸2-羟基酯15质量份、甲基丙烯酸5质量份所成的共聚物100质量份，加入coronate-l(商品名、nipponpolyurethaneindustry股份有限公司制)1.0质量份进行混合而得到粘合剂组合物a。[构成树脂层的树脂的准备][树脂b1]作为树脂b1，准备丙烯酸丁酯含有率为30％、重均分子量为100000的乙烯-丙烯酸丁酯共聚物(eba)。树脂b1的70℃的储能模量为9.0×104pa、mfr为30g/10min、分子量分布为5.8。[树脂b2]作为树脂b2，准备密度为0.88、重均分子量为40000的α烯烃树脂。树脂b2的70℃的储能模量为1.4×105pa、mfr为40g/10min、分子量分布为2.4。[树脂b3]作为树脂b3，准备乙酸乙烯酯丙烯酸酯含有率为30％、重均分子量为50000的乙烯-乙酸乙烯酯丙烯酸酯共聚物(eva)。树脂b3的70℃的储能模量为6.8×104pa、mfr为60g/10min、分子量分布为6.3。[树脂b4]作为树脂b4，准备密度为0.90、重均分子量为50000的α烯烃树脂。树脂b4的70℃的储能模量为2.5×105pa、mfr为20g/10min、分子量分布为2.4。[树脂b5]作为树脂b5，准备乙酸乙烯酯丙烯酸酯含有率为40％、重均分子量为40000的乙烯-乙酸乙烯酯丙烯酸酯共聚物(eva)。树脂b5的70℃的储能模量为3.6×104pa、mfr为70g/10min、分子量分布为6.3。[电子部件用胶带的制作][实施例1]于作为基材膜的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜上，以厚度300μm而挤出树脂b1，形成树脂层，对于树脂层侧施以电晕处理。接着，于厚度40μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的间隔件上，以使干燥后的膜厚为10μm的方式涂布粘合剂组合物a，使其干燥而得到粘合剂层。之后，将粘合剂层与所述树脂层面贴合而进行转印，得到厚度360μm的实施例1的电子部件用胶带。[实施例2]于作为基材膜的厚度130μm的高密度聚乙烯(hd)膜上，以厚度300μm而挤出树脂b1，形成树脂层，对于树脂层侧施以电晕处理。接着，于厚度40μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的间隔件上，以使干燥后的膜厚为10μm的方式涂布粘合剂组合物a，使其干燥而得到粘合剂层。之后，将粘合剂层与所述树脂层面贴合而进行转印，得到厚度440μm的实施例2的电子部件用胶带。[实施例3]对于树脂b1，相对于100质量份，加入氧化铝填料20质量份进行混合，得到树脂组合物。于作为基材膜的厚度130μm的高密度聚乙烯(hd)膜上，以厚度300μm而挤出所述树脂组合物，形成树脂层，对于树脂层侧施以电晕处理。接着，于厚度40μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的间隔件上，以使干燥后的膜厚为10μm的方式涂布粘合剂组合物a，使其干燥而得到粘合剂层。之后，将粘合剂层与所述树脂层面贴合而进行转印，得到厚度440μm的实施例3的电子部件用胶带。[实施例4]于作为基材膜的厚度60μm的高密度聚乙烯(hd)膜上，以厚度300μm而挤出树脂b1，形成树脂层，对于树脂层侧施以电晕处理。接着，于厚度40μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的间隔件上，以使干燥后的膜厚为10μm的方式涂布粘合剂组合物a，使其干燥而得到粘合剂层。之后，将粘合剂层与所述树脂层面贴合而进行转印，得到厚度310μm的实施例4的电子部件用胶带。[实施例5]于作为基材膜的厚度60μm的高密度聚乙烯(hd)膜上，以厚度300μm而挤出树脂b2，形成树脂层，对于树脂层侧施以电晕处理。接着，于厚度40μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的间隔件上，以使干燥后的膜厚为10μm的方式涂布粘合剂组合物a，使其干燥而得到粘合剂层。之后，将粘合剂层与所述树脂层面贴合而进行转印，得到厚度310μm的实施例5的电子部件用胶带。[实施例6]于作为基材膜的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜上，以厚度300μm而挤出树脂b3，形成树脂层，对于树脂层侧施以电晕处理。接着，于厚度40μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的间隔件上，以使干燥后的膜厚为10μm的方式涂布粘合剂组合物a，使其干燥而得到粘合剂层。之后，将粘合剂层与所述树脂层面贴合而进行转印，得到厚度360μm的实施例6的电子部件用胶带。[比较例1]于作为基材膜的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜上，以厚度390μm而挤出树脂b1，形成树脂层，对于树脂层侧施以电晕处理。接着，于厚度40μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的间隔件上，以使干燥后的膜厚为10μm的方式涂布粘合剂组合物a，使其干燥而得到粘合剂层。之后，将粘合剂层与所述树脂层面贴合而进行转印，得到厚度450μm的比较例1的电子部件用胶带。[比较例2]于作为基材膜的厚度190μm的高密度聚乙烯(hd)膜上，以厚度300μm而挤出树脂b1，形成树脂层，对于树脂层侧施以电晕处理。接着，于厚度40μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的间隔件上，以使干燥后的膜厚为10μm的方式涂布粘合剂组合物a，使其干燥而得到粘合剂层。之后，将粘合剂层与所述树脂层面贴合而进行转印，得到厚度500μm的比较例2的电子部件用胶带。[比较例3]于作为基材膜的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜上，以厚度300μm而挤出树脂b4，形成树脂层，对于树脂层侧施以电晕处理。接着，于厚度40μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的间隔件上，以使干燥后的膜厚为10μm的方式涂布粘合剂组合物a，使其干燥而得到粘合剂层。之后，将粘合剂层与所述树脂层面贴合而进行转印，得到厚度360μm的比较例3的电子部件用胶带。[比较例4]于作为基材膜的厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)膜上，以厚度300μm而挤出树脂b5，形成树脂层，对于树脂层侧施以电晕处理。接着，于厚度40μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)的间隔件上，以使干燥后的膜厚为10μm的方式涂布粘合剂组合物a，使其干燥而得到粘合剂层。之后，将粘合剂层与所述树脂层面贴合而进行转印，得到厚度360μm的比较例4的电子部件用胶带。[特性测定及评价试验]对于所述实施例及比较例的电子部件用胶带，如以下进行特性测定及评价试验。将其结果示于表1。(1)纳米压痕机的压头的压入深度的测定对于实施例及比较例的树脂层，依照iso14577-1：2002而制作试样片。试样片的泊松比为0.25。使用klacorporation制的nanoindenterg200(商品名)，测定各试样片在70℃的纳米压痕机的压头的压入深度。压头使用直径1mm的平坦圆柱(flatpunch)压头，在最大负载50mn、直至最大负载施加为止的时间1秒、最大负载保持时间0.5秒的条件进行测定。将其结果示于表1及表2。(2)基材膜的导热率的测定对于实施例及比较例的基材膜，依照jis-r1611而使用linsesis公司制的xfa500(商品名)，对于在70℃的导热率，以充电电压350v、脉冲长度5ms的条件进行测定。将其结果示于表1及表2。(3)树脂层的导热率的测定对于实施例及比较例的树脂层，依照jis-r1611而使用linsesis公司制的xfa500(商品名)，测定在70℃的导热率。将其结果示于表1及表2。(4)贴合速度的评价作为贴附机而使用lintec股份有限公司制的rad3510f/8(商品名)，以贴合温度70℃而贴合实施例及比较例的电子部件用胶带于半导体晶片。作为半导体晶片，使用：于表面具有高度200μm、间距400μm的凸块，以宽度100μm的划线(scribe)，芯片尺寸为5mm见方的8英寸直径的半导体晶片。以线速2m/min、3m/min、及5m/min进行贴合，由以下的方法而确认追随性良好与否。在电子部件用胶带贴合后的状态，使用测微计，自电子部件用胶带侧测定厚度。将半导体晶片中心部的厚度作为αμm、将无凸块的半导体晶片端部的厚度作为βμm时，将α-β≤60μm判定为追随性良好。将在所有的线速为追随性良好的构成作为良品而评价为○，而将在线速5m/min时虽并非追随性良好，但在线速3m/min及2m/min时为追随性良好的构成，作为容许品而评价为△，将仅在线速2m/min时为追随性良好的构成，作为不良品而评价为×，将即使在线速2m/min时也不是追随性良好的构成，作为不良品而评价为××。(5)环境稳定性的评价将卷成卷筒状的实施例及比较例的电子部件用胶带，在60℃或70℃的环境下放置24小时之后，经由目视，确认树脂有无向卷筒端面露出。将在70℃未确认到露出树脂的构成作为最佳品而评价为◎，将在60℃未确认到露出树脂的构成作为良品而评价为○，将能够确认到露出树脂的构成作为不良品而评价为×。将其结果示于表1及表2。[表1]实施例1实施例2实施例3实施例4实施例5实施例6基材膜的种类pethdhdhdhdpet基材膜的厚度(μm)50130130606050树脂层的种类ebaebaeba+填料ebaα烯烃eva树脂层的厚度(μm)300300300240240300粘合剂层的厚度(μm)101010101010总厚度(μm)360440440310310360在70℃的压入深度(nm)250002500015000250003000050000基材膜的导热率(w/m·k)0.30.450.450.450.450.3树脂层的导热率(w/m·k)0.250.250.70.250.40.25贴合速度的评价△△○○○○环境稳定性的评价◎◎◎◎◎○[表2]比较例1比较例2比较例3比较例4基材膜的种类pethdpetpet基材膜的厚度(μm)501905050树脂层的种类ebaebaα烯烃eva树脂层的厚度(μm)390300300300粘合剂层的厚度(μm)10101010总厚度(μm)450500360360在70℃的压入深度（nm)2500025000700060000基材膜的导热率(w/m·k)0.30.450.30.3树脂层的导热率(w/m·k)0.250.250.40.25贴合速度的评价××××○环境稳定性的评价◎◎◎×如表1所示，关于实施例1～6，使用纳米压痕机，依照iso14577而测定的在70℃的压头的压入深度为15000nm～50000nm，树脂层的厚度为240μm～300μm，总厚度440μm以下之故，在贴合速度及环境稳定性的评价中成为良好的结果。特别是关于实施例3，树脂层的在70℃的导热率为0.7w/m·k，较其他的实施例为高之故，而在贴合速度的评价中成为优良的结果。另外，关于实施例4、5，电子部件用胶带的总厚度为310μm，较其他的实施例为薄之故，而在贴合速度的评价中成为优良的结果。关于实施例6，在环境稳定性中，虽比实施例1～5差，但在使用纳米压痕机所测定的在70℃的压入深度大，为50000nm之故，而在贴合速度的评价中成为优良的结果。另一方面，如表2所示，关于比较例1，树脂层的厚度超过300μm，而关于比较例2，总厚度超过450μm之故，在贴合速度的评价中成为不佳的结果。关于比较例3，使用纳米压痕机，在依据iso14577所测定的在70℃的压头的压入深度小于10000nm之故，在贴合速度的评价中成为不佳的结果。关于比较例4，使用纳米压痕机，在依据iso14577所测定的在70℃的压头的压入深度超过50000nm之故，在环境稳定性的评价中成为不佳的结果。符号说明1：电子部件用胶带2：基材膜3：树脂层4：粘合剂层5：剥离膜6：半导体晶片61：凹凸7：磨削机当前第1页1 2 3 

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