一种电子保护膜的制作方法

本实用新型涉及保护膜技术领域，特别是涉及一种电子保护膜。

背景技术：

电子保护膜是专为电子通讯产品开发的一种保护膜，随着电子通讯产品的发展，对电子保护膜提出了更高的要求，既要求电子保护膜有抗静电功能，又要求电子保护膜具有耐磨性，防止产品刮花。电子保护膜制造过程中，无论在基膜层背面先涂抗静电层还是耐磨层，其中一层都会覆盖另一层，无法同时兼具抗静电和耐磨功能。因此，急需开发一种同时具有抗静电和耐磨性电子保护膜。

技术实现要素：

基于此，有必要针对上述问题，提供一种电子保护膜，同时具有抗静电和耐磨性能。

一种电子保护膜，包括依次层叠设置的耐磨层、pe薄膜层和粘性层；所述耐磨层上设有若干耐磨凸起，所述耐磨凸起之间的空隙为容置腔，所述容置腔内容纳有抗静电液，所述抗静电液在所述容置腔内形成抗静电液层；所述抗静电液层的高度小于所述耐磨凸起的高度，所述抗静电液层的高度为3～5μm，所述耐磨凸起的高度为5～10μm。

上述电子保护膜，耐磨层上的耐磨凸起具有耐磨的作用，耐磨凸起之间的容置腔内可用于容纳抗静电液，使保护膜具有抗静电的功能，即电子保护膜兼具耐磨性能和抗静电性能；抗静电液层的高度应小于耐磨凸起的高度，否则抗静电液会覆盖住耐磨层，降低保护膜的耐磨性。

在其中一个实施例中，所述容置腔为网状。抗静电液在网状的容置腔内分布，有利于提高保护膜的抗静电性能。

在其中一个实施例中，所述耐磨层为聚丙烯酸酯树脂层。耐磨凸起材质为聚丙烯酸酯树脂，耐磨性能好。

在其中一个实施例中，所述耐磨凸起为方形柱，所述方形柱的截面尺寸为(250～500)μm×(250～500)μm。

在其中一个实施例中，所述耐磨凸起均匀分布于所述耐磨层上，所述耐磨凸起的密度为5～9个/cm²耐磨层。

在其中一个实施例中，所述粘性层为聚丙烯酸酯压敏胶层。

在其中一个实施例中，所述pe薄膜层的厚度为15～30μm。

在其中一个实施例中，所述粘性层的厚度为3～10μm。粘性层厚度超过10μm，粘力太高，不易剥离。

与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型的电子保护膜，耐磨层上的耐磨凸起具有耐磨的作用，耐磨凸起之间的容置腔内可用于容纳抗静电液，使保护膜具有抗静电的功能，即电子保护膜兼具耐磨性能和抗静电性能。

附图说明

图1为实施例中电子保护膜的截面图；

图2为实施例中耐磨层结构图。

图中，1、耐磨层，2、pe薄膜层，3、粘性层，101、耐磨凸起，102、容置腔。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。

实施例1

一种电子保护膜，如图1-2所示，包括依次层叠设置的耐磨层1、pe薄膜层2和粘性层3。耐磨层1包括若干均匀分布的耐磨凸起101，耐磨凸起101之间的空隙形成网状的容置腔102，容置腔102内容纳有抗静电液，抗静电液在容置腔内形成抗静电液层。

pe薄膜层2的厚度为20μm。粘性层3的厚度为5μm。耐磨层1上耐磨凸起的高度为10μm，耐磨凸起为正方形柱，正方形柱的平均截面尺寸为500μm×500μm，耐磨凸起的平均密度为5个/cm²耐磨层。抗静电液层的高度为5μm，抗静电液可选用现有的抗静电液，本实施例中选用十八烷基二甲基羟乙基季铵硝酸盐。抗静电液层的高度小于耐磨凸起101的高度，否则抗静电液会覆盖住耐磨层1，降低保护膜的耐磨性。

耐磨层1、pe薄膜层2和粘性层3的材质均为现有材料。在本实施例中，耐磨层1的材质为聚丙烯酸酯树脂，pe薄膜层2的材质为聚乙烯，粘性层3的材质为聚丙烯酸酯压敏胶。

为方便理解，以下对本实施例的电子保护膜的制备方法进行简要说明：

在耐磨层1上耐磨凸起101的间隙涂布抗静电液，在耐磨层1远离耐磨凸起101的一侧复合pe薄膜层2，对pe薄膜层2的表面进行电晕处理，再复合粘性层3，烘干后即得电子保护膜。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。

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