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一种电子芯片封装专用热熔胶带的制备方法与流程

2021-02-02 15:02:03|531|起点商标网

本发明涉及芯片封装技术领域,具体为一种电子芯片封装专用热熔胶带的制备方法。



背景技术:

随着电子行业和无线通讯业的发展,电子芯片应用领域大大增加,热熔胶带作为胶粘剂中的一个重要品种,是电子芯片封装过程中必不可少的。

例如申请号为cn201910038068.1公布的一种热熔胶带及其制备方法,本发明公开了一种热熔胶带及其制备方法,通过对热熔胶层配方以及工艺步骤的进行改进,对比现有技术中的普通热熔胶带性能,本发明的热熔胶带性能更加优越,粘贴容易,保持性好,韧性好,抗拉效果好,抗拉强度高,不会有断裂现象。而且本发明的热熔胶带整卷胶带更长,能够大大提高生产效率和降低生产成。

但是,该一种热熔胶带及其制备方法也存在很多的问题,例如,目前的热熔胶带熔解温度范围高,封装花费的时间长,隔热系数小,高温容易烫伤芯片,而且原料多为绝缘材料,不导电,只能添加其他材料进行导电,为此提出一种电子芯片封装专用热熔胶带的制备方法,来解决此问题。



技术实现要素:

本发明的目的在于提供一种电子芯片封装专用热熔胶带的制备方法,解决了目前的热熔胶带熔解温度范围高,封装花费的时间长,隔热系数小,高温容易烫伤芯片,而且原料多为绝缘材料,不导电,只能添加其他材料进行导电的问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种电子芯片封装专用热熔胶带的制备方法,包括以下步骤:

步骤1:原料配比组成:由共聚酰胺、橡胶、萜烯树脂、聚氨酯、滑石粉、发泡剂、马来酸酐接枝聚乙烯蜡、石墨烯组成,热熔胶带各原料的质量比分别为:共聚酰胺40-60%、橡胶10-15%、萜烯树脂10-15%、聚氨酯5-10%、滑石粉5-10%、发泡剂4-5%、马来酸酐接枝聚乙烯蜡1-5%、石墨烯1-5%;

步骤2:制得半成品:将称好的共聚酰胺、橡胶、萜烯树脂、聚氨酯、马来酸酐接枝聚乙烯蜡加入反应釜中,控制反应釜将内部的温度升至70~140℃,然后开始搅拌混合,当反应釜内部的温度达到200℃以上时开始进行缩聚反应,反应期间的温度保持在200~300℃范围内,反应期间的压力保持在1.7~2.7mpa范围内,缩聚反应开始1.0~2.0小时后反应釜开始放压,并在1~2小时范围内将反应釜的压力降至常压状态,然后继续反应1~2小时,制得第一热熔胶半成品;

步骤3:添加滑石粉:向第一热熔胶半成品的内部添加事先称取好的滑石粉,控制反应釜将内部的温度升至70-150℃,然后开始搅拌反应,反应釜保持反应0.5-1小时,从而制得第二热熔胶半成品;

步骤4:添加石墨烯:向制得第二热熔胶半成品的反应釜中添加事先称取好的石墨烯,然后反应釜开始搅拌反应1~2小时便得到第三热熔胶半成品;

步骤5:添加发泡剂:将反应釜内部第三热熔胶半成品的反应温度升温至150-160℃,然后向反应釜内的第三热熔胶半成品中添加发泡剂,接着第三热熔胶半成品和发泡剂搅拌混合均均,最后反应釜搅拌反应1~2小时得到热熔胶层;

步骤6:制成成品:对制得的热溶胶层进行降温处理,在气压控制在-0.1mpa,负压条件下进行脱泡,然后将热熔胶层均匀的涂布在基层上制成电子芯片封装专用热熔胶带。

优选的,所述在步骤1中,滑石粉的质量比为共聚酰胺、橡胶、萜烯树脂、聚氨酯、马来酸酐接枝聚乙烯蜡总体重量比的5-10%,石墨烯的质量比为聚酰胺、橡胶、萜烯树脂、聚氨酯、滑石粉、马来酸酐接枝聚乙烯蜡整体重量比的1-10%。

优选的,所述在步骤1中,事先按照原料配比称取共聚酰胺、橡胶、萜烯树脂、聚氨酯、滑石粉、发泡剂、马来酸酐接枝聚乙烯蜡、石墨烯备用,称取过程中需要抽样检查原料是否符合要求。

优选的,所述在步骤2中,共聚酰胺作为主体原料,橡胶作为增韧剂,萜烯树脂作为增粘剂,聚氨酯作为增粘剂,马来酸酐接枝聚乙烯蜡作为流动剂。

优选的,所述在步骤3中,滑石粉作为表面降粘剂起着增加粘接力的均匀性,增加固化速度,降低表面初粘性。

优选的,所述在步骤4中,石墨烯作为导电剂,添加量决定着热熔胶带表面的电阻值。

优选的,所述在步骤5中,发泡剂是吸热剂,发泡剂是微发泡高分子的发泡剂。

优选的,所述在步骤6中,热溶胶层的温度最高为150℃,热溶胶层的温度最低为70℃。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:电子芯片封装专用热熔胶带的制备方法,加入了微发泡高分子材料,在受热后产生气体发泡使得胶带层变厚,并利用微孔结构吸收热量,降低了封装温度,利用导电石墨烯粒子的导通性让热熔胶自身便拥有导电能力,避免使用线圈和模块的焊接方式,减少加工工序。

具体实施方式

下面将通过实施例的方式对本发明作更详细的描述,这些实施例仅是举例说明性的而没有任何对本发明范围的限制。

本发明提供一种技术方案:一种电子芯片封装专用热熔胶带的制备方法,包括以下步骤:

步骤1:原料配比组成:由共聚酰胺、橡胶、萜烯树脂、聚氨酯、滑石粉、发泡剂、马来酸酐接枝聚乙烯蜡、石墨烯组成,热熔胶带各原料的质量比分别为:共聚酰胺40-60%、橡胶10-15%、萜烯树脂10-15%、聚氨酯5-10%、滑石粉5-10%、发泡剂4-5%、马来酸酐接枝聚乙烯蜡1-5%、石墨烯1-5%;

步骤2:制得半成品:将称好的共聚酰胺、橡胶、萜烯树脂、聚氨酯、马来酸酐接枝聚乙烯蜡加入反应釜中,控制反应釜将内部的温度升至70~140℃,然后开始搅拌混合,当反应釜内部的温度达到200℃以上时开始进行缩聚反应,反应期间的温度保持在200~300℃范围内,反应期间的压力保持在1.7~2.7mpa范围内,缩聚反应开始1.0~2.0小时后反应釜开始放压,并在1~2小时范围内将反应釜的压力降至常压状态,然后继续反应1~2小时,制得第一热熔胶半成品;

步骤3:添加滑石粉:向第一热熔胶半成品的内部添加事先称取好的滑石粉,控制反应釜将内部的温度升至70-150℃,然后开始搅拌反应,反应釜保持反应0.5-1小时,从而制得第二热熔胶半成品;

步骤4:添加石墨烯:向制得第二热熔胶半成品的反应釜中添加事先称取好的石墨烯,然后反应釜开始搅拌反应1~2小时便得到第三热熔胶半成品;

步骤5:添加发泡剂:将反应釜内部第三热熔胶半成品的反应温度升温至150-160℃,然后向反应釜内的第三热熔胶半成品中添加发泡剂,接着第三热熔胶半成品和发泡剂搅拌混合均均,最后反应釜搅拌反应1~2小时得到热熔胶层;

步骤6:制成成品:对制得的热溶胶层进行降温处理,在气压控制在-0.1mpa,负压条件下进行脱泡,然后将热熔胶层均匀的涂布在基层上制成电子芯片封装专用热熔胶带。

实施例一:

一种电子芯片封装专用热熔胶带的制备方法,包括以下步骤:

步骤1:原料配比组成:由共聚酰胺、橡胶、萜烯树脂、聚氨酯、滑石粉、发泡剂、马来酸酐接枝聚乙烯蜡、石墨烯组成,热熔胶带各原料的质量比分别为:共聚酰胺50%、橡胶15%、萜烯树脂10%、聚氨酯10%、滑石粉5%、发泡剂4%、马来酸酐接枝聚乙烯蜡4%、石墨烯2%;

步骤2:制得半成品:将称好的共聚酰胺、橡胶、萜烯树脂、聚氨酯、马来酸酐接枝聚乙烯蜡加入反应釜中,控制反应釜将内部的温度升至70~140℃,然后开始搅拌混合,当反应釜内部的温度达到200℃以上时开始进行缩聚反应,反应期间的温度保持在200~300℃范围内,反应期间的压力保持在1.7~2.7mpa范围内,缩聚反应开始1.0~2.0小时后反应釜开始放压,并在1~2小时范围内将反应釜的压力降至常压状态,然后继续反应1~2小时,制得第一热熔胶半成品;

步骤3:添加滑石粉:向第一热熔胶半成品的内部添加事先称取好的滑石粉,控制反应釜将内部的温度升至70-150℃,然后开始搅拌反应,反应釜保持反应0.5-1小时,从而制得第二热熔胶半成品;

步骤4:添加石墨烯:向制得第二热熔胶半成品的反应釜中添加事先称取好的石墨烯,然后反应釜开始搅拌反应1~2小时便得到第三热熔胶半成品;

步骤5:添加发泡剂:将反应釜内部第三热熔胶半成品的反应温度升温至150-160℃,然后向反应釜内的第三热熔胶半成品中添加发泡剂,接着第三热熔胶半成品和发泡剂搅拌混合均均,最后反应釜搅拌反应1~2小时得到热熔胶层;

步骤6:制成成品:对制得的热溶胶层进行降温处理,在气压控制在-0.1mpa,负压条件下进行脱泡,然后将热熔胶层均匀的涂布在基层上制成电子芯片封装专用热熔胶带。

电子芯片封装专用热熔胶带的封装温度为170-200℃,电子芯片封装专用热熔胶带的热封装时间为1.0-1.5秒,电子芯片封装专用热熔胶带表面的电阻为11欧姆,电子芯片封装专用热熔胶带具有良好的导电性能。

实施例二:

一种电子芯片封装专用热熔胶带的制备方法,包括以下步骤:

步骤1:原料配比组成:由共聚酰胺、橡胶、萜烯树脂、聚氨酯、滑石粉、发泡剂、马来酸酐接枝聚乙烯蜡、石墨烯组成,热熔胶带各原料的质量比分别为:共聚酰胺50%、橡胶10%、萜烯树脂12%、聚氨酯10%、滑石粉7%、发泡剂3%、马来酸酐接枝聚乙烯蜡3%、石墨烯5%;

步骤2:制得半成品:将称好的共聚酰胺、橡胶、萜烯树脂、聚氨酯、马来酸酐接枝聚乙烯蜡加入反应釜中,控制反应釜将内部的温度升至70~140℃,然后开始搅拌混合,当反应釜内部的温度达到200℃以上时开始进行缩聚反应,反应期间的温度保持在200~300℃范围内,反应期间的压力保持在1.7~2.7mpa范围内,缩聚反应开始1.0~2.0小时后反应釜开始放压,并在1~2小时范围内将反应釜的压力降至常压状态,然后继续反应1~2小时,制得第一热熔胶半成品;

步骤3:添加滑石粉:向第一热熔胶半成品的内部添加事先称取好的滑石粉,控制反应釜将内部的温度升至70-150℃,然后开始搅拌反应,反应釜保持反应0.5-1小时,从而制得第二热熔胶半成品;

步骤4:添加石墨烯:向制得第二热熔胶半成品的反应釜中添加事先称取好的石墨烯,然后反应釜开始搅拌反应1~2小时便得到第三热熔胶半成品;

步骤5:添加发泡剂:将反应釜内部第三热熔胶半成品的反应温度升温至150-160℃,然后向反应釜内的第三热熔胶半成品中添加发泡剂,接着第三热熔胶半成品和发泡剂搅拌混合均均,最后反应釜搅拌反应1~2小时得到热熔胶层;

步骤6:制成成品:对制得的热溶胶层进行降温处理,在气压控制在-0.1mpa,负压条件下进行脱泡,然后将热熔胶层均匀的涂布在基层上制成电子芯片封装专用热熔胶带。

电子芯片封装专用热熔胶带的封装温度为180-210℃,电子芯片封装专用热熔胶带的热封装时间为1.2-1.7秒,电子芯片封装专用热熔胶带表面的电阻为10欧姆,电子芯片封装专用热熔胶带具有良好的导电性能。

实施例三:

一种电子芯片封装专用热熔胶带的制备方法,包括以下步骤:

步骤1:原料配比组成:由共聚酰胺、橡胶、萜烯树脂、聚氨酯、滑石粉、发泡剂、马来酸酐接枝聚乙烯蜡、石墨烯组成,热熔胶带各原料的质量比分别为:共聚酰胺50%、橡胶10%、萜烯树脂10%、聚氨酯5%、滑石粉10%、发泡剂5%、马来酸酐接枝聚乙烯蜡5%、石墨烯5%;

步骤2:制得半成品:将称好的共聚酰胺、橡胶、萜烯树脂、聚氨酯、马来酸酐接枝聚乙烯蜡加入反应釜中,控制反应釜将内部的温度升至70~140℃,然后开始搅拌混合,当反应釜内部的温度达到200℃以上时开始进行缩聚反应,反应期间的温度保持在200~300℃范围内,反应期间的压力保持在1.7~2.7mpa范围内,缩聚反应开始1.0~2.0小时后反应釜开始放压,并在1~2小时范围内将反应釜的压力降至常压状态,然后继续反应1~2小时,制得第一热熔胶半成品;

步骤3:添加滑石粉:向第一热熔胶半成品的内部添加事先称取好的滑石粉,控制反应釜将内部的温度升至70-150℃,然后开始搅拌反应,反应釜保持反应0.5-1小时,从而制得第二热熔胶半成品;

步骤4:添加石墨烯:向制得第二热熔胶半成品的反应釜中添加事先称取好的石墨烯,然后反应釜开始搅拌反应1~2小时便得到第三热熔胶半成品;

步骤5:添加发泡剂:将反应釜内部第三热熔胶半成品的反应温度升温至150-160℃,然后向反应釜内的第三热熔胶半成品中添加发泡剂,接着第三热熔胶半成品和发泡剂搅拌混合均均,最后反应釜搅拌反应1~2小时得到热熔胶层;

步骤6:制成成品:对制得的热溶胶层进行降温处理,在气压控制在-0.1mpa,负压条件下进行脱泡,然后将热熔胶层均匀的涂布在基层上制成电子芯片封装专用热熔胶带。

电子芯片封装专用热熔胶带的封装温度为160-190℃,电子芯片封装专用热熔胶带的热封装时间为1.0-1.3秒,电子芯片封装专用热熔胶带表面的电阻为9欧姆,电子芯片封装专用热熔胶带具有良好的导电性能。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例,对于本领域的普通技术人员而言,可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型,本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

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