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您当前的位置： 一种聚酰亚胺薄膜的加工工艺的制作方法
2021-02-02 01:02:44|
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起点商标网 15℃，搅拌速度为200-500r/min。
[0007]
优选的，所述s3中，对3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐进行搅拌的时间30-60分钟，温度为8℃-15℃，搅拌速度为300-400r/min。
[0008]
优选的，所述s4中，对三氧化二铝、二氧化硅和氮化硼进行搅拌的时间60-130分钟，温度为8℃-15℃，搅拌速度为400-500r/min。
[0009]
优选的，所述s7中，性能测试设备为高压试验变压器、投影立式光学计和微控电子万能试验机，可以分别对聚酰亚胺薄膜的电气强度、厚度和抗拉伸断裂进行测试。
[0010]
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本方案通过在合成paa过程中复合添加三氧化二铝、二氧化硅、氮化硼及其他无机微粒子来提高产品的耐电晕性，利用三氧化二铝优异的导电性，可以快速的实现电荷的消散，防止电晕放电后电荷的集聚，利用氮化硼的优异导热性，可以增强膜面传热作用，有利于热量快速消散，防止局部过热造成的分子链热降解；二氧化硅、二氧化钛等形成微陷阱、多核屏蔽效应等，通过研究粒子的尺度、添加比例与分散条件、以及膜结构模型的研究，实现无机纳米粒子的均匀分散，有效防止电晕击穿，耐电晕寿命显著增强，采用不同性质、粒径的材料的结合，并可在聚酰亚胺薄膜中达到均匀分布，最终实现耐电晕效果，并经过流涎、双向拉伸、热亚胺化后成膜收卷，得到性能较优的耐电晕型聚酰亚胺薄膜；本发明的聚酰亚胺薄膜的加工工艺更加完善，聚酰亚胺薄膜的耐电晕性更强，且抗拉伸性更好，使用寿命更长。
具体实施方式
[0011]
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0012]
实施利一一种聚酰亚胺薄膜的加工工艺，包括以下步骤：s1：准备1-10份的4,4'-二氨基二苯醚和1-10份的3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐，准备5-10份的n,n-二甲基甲酰胺，准备三氧化二铝、二氧化硅和氮化硼10-20份；s2：准备具有氮气保护的反应器，将6-8份n,n-二甲基甲酰胺放入反应器中，并打开反应器，反应器中的搅拌设备对n,n-二甲基甲酰胺进行预先搅拌，然后添加2-5份的4,4'-二氨基二苯醚进行搅拌；s3：再分批次添加2-5份的3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐进行搅拌，在搅拌的过程中持续加入氮气；s4：依次添加2-6份的三氧化二铝、二氧化硅和氮化硼到反应器内进行搅拌，形成聚酰胺酸溶液，将聚酰胺酸溶液放入消泡机中进行消泡；s5：将消泡后的聚酰胺酸溶液，由不锈钢罐经管路输送到流涎嘴的储槽当中，并把储槽中的溶液经流涎嘴前刮板带走，使用铺膜机制取一定规格、厚度的薄膜，将薄膜送进入烘干道内进行干燥，使薄膜在干燥时温度逐渐升高，溶剂逐渐挥发，在烘箱中进行程序升温，采用热亚胺化进行亚胺化成膜；s6：聚酰胺酸薄膜在钢带上进行输送，溶剂蒸发成为固态薄膜，从钢带上剥离下的薄膜经导向辊引向亚胺化炉，高温亚胺化后，由收卷机收卷；
s7：对成品薄膜的耐电晕性以及其他检测项目进行各种性能测试。
[0013]
本实施例中，s2中，对n,n-二甲基甲酰胺进行预先搅拌的时间5-10分钟，温度为8-10℃，搅拌速度为100-200r/min。
[0014]
本实施例中，s2中，对4,4'-二氨基二苯醚进行搅拌的时间20-40分钟，温度为8℃-15℃，搅拌速度为200-500r/min。
[0015]
本实施例中，s3中，对3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐进行搅拌的时间30-60分钟，温度为8℃-15℃，搅拌速度为300-400r/min。
[0016]
本实施例中，s4中，对三氧化二铝、二氧化硅和氮化硼进行搅拌的时间60-130分钟，温度为8℃-15℃，搅拌速度为400-500r/min。
[0017]
本实施例中，s7中，性能测试设备为高压试验变压器、投影立式光学计和微控电子万能试验机，可以分别对聚酰亚胺薄膜的电气强度、厚度和抗拉伸断裂进行测试。
[0018]
实施利二一种聚酰亚胺薄膜的加工工艺，包括以下步骤：s1：准备1-10份的4,4'-二氨基二苯醚和1-10份的3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐，准备5-10份的n,n-二甲基甲酰胺，准备三氧化二铝、二氧化硅和氮化硼10-20份；s2：准备具有氮气保护的反应器，将7份n,n-二甲基甲酰胺放入反应器中，并打开反应器，反应器中的搅拌设备对n,n-二甲基甲酰胺进行预先搅拌，然后添加4份的4,4'-二氨基二苯醚进行搅拌；s3：再分批次添加4.2份的3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐进行搅拌，在搅拌的过程中持续加入氮气；s4：依次添加15份的三氧化二铝、二氧化硅和氮化硼到反应器内进行搅拌，形成聚酰胺酸溶液，将聚酰胺酸溶液放入消泡机中进行消泡；s5：将消泡后的聚酰胺酸溶液，由不锈钢罐经管路输送到流涎嘴的储槽当中，并把储槽中的溶液经流涎嘴前刮板带走，使用铺膜机制取一定规格、厚度的薄膜，将薄膜送进入烘干道内进行干燥，使薄膜在干燥时温度逐渐升高，溶剂逐渐挥发，在烘箱中进行程序升温，采用热亚胺化进行亚胺化成膜；s6：聚酰胺酸薄膜在钢带上进行输送，溶剂蒸发成为固态薄膜，从钢带上剥离下的薄膜经导向辊引向亚胺化炉，高温亚胺化后，由收卷机收卷；s7：对成品薄膜的耐电晕性以及其他检测项目进行各种性能测试。
[0019]
本实施例中，s2中，对n,n-二甲基甲酰胺进行预先搅拌的时间8分钟，温度为10℃，搅拌速度为170r/min。
[0020]
本实施例中，s2中，对4,4'-二氨基二苯醚进行搅拌的时间40分钟，温度为11℃，搅拌速度为300r/min。
[0021]
本实施例中，s3中，对3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐进行搅拌的时间50分钟，温度为10℃，搅拌速度为350r/min。
[0022]
本实施例中，s4中，对三氧化二铝、二氧化硅和氮化硼进行搅拌的时间120分钟，温度为10℃，搅拌速度为400r/min。
[0023]
本实施例中，s7中，性能测试设备为高压试验变压器、投影立式光学计和微控电子万能试验机，可以分别对聚酰亚胺薄膜的电气强度、厚度和抗拉伸断裂进行测试。
[0024]
本实施例中，通过在合成paa过程中复合添加三氧化二铝、二氧化硅、氮化硼及其他无机微粒子来提高产品的耐电晕性，利用三氧化二铝优异的导电性，可以快速的实现电荷的消散，防止电晕放电后电荷的集聚，利用氮化硼的优异导热性，可以增强膜面传热作用，有利于热量快速消散，防止局部过热造成的分子链热降解；二氧化硅、二氧化钛等形成微陷阱、多核屏蔽效应等，通过研究粒子的尺度、添加比例与分散条件、以及膜结构模型的研究，实现无机纳米粒子的均匀分散，有效防止电晕击穿，耐电晕寿命显著增强，采用不同性质、粒径的材料的结合，并可在聚酰亚胺薄膜中达到均匀分布，最终实现耐电晕效果，并经过流涎、双向拉伸、热亚胺化后成膜收卷，得到性能较优的耐电晕型聚酰亚胺薄膜。
[0025]
本发明相对现有技术获得的技术进步是：本发明的聚酰亚胺薄膜的加工工艺更加完善，聚酰亚胺薄膜的耐电晕性更强，且抗拉伸性更好，使用寿命更长。
[0007]
优选的，所述s3中，对3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐进行搅拌的时间30-60分钟，温度为8℃-15℃，搅拌速度为300-400r/min。
[0008]
优选的，所述s4中，对三氧化二铝、二氧化硅和氮化硼进行搅拌的时间60-130分钟，温度为8℃-15℃，搅拌速度为400-500r/min。
[0009]
优选的，所述s7中，性能测试设备为高压试验变压器、投影立式光学计和微控电子万能试验机，可以分别对聚酰亚胺薄膜的电气强度、厚度和抗拉伸断裂进行测试。
[0010]
与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本方案通过在合成paa过程中复合添加三氧化二铝、二氧化硅、氮化硼及其他无机微粒子来提高产品的耐电晕性，利用三氧化二铝优异的导电性，可以快速的实现电荷的消散，防止电晕放电后电荷的集聚，利用氮化硼的优异导热性，可以增强膜面传热作用，有利于热量快速消散，防止局部过热造成的分子链热降解；二氧化硅、二氧化钛等形成微陷阱、多核屏蔽效应等，通过研究粒子的尺度、添加比例与分散条件、以及膜结构模型的研究，实现无机纳米粒子的均匀分散，有效防止电晕击穿，耐电晕寿命显著增强，采用不同性质、粒径的材料的结合，并可在聚酰亚胺薄膜中达到均匀分布，最终实现耐电晕效果，并经过流涎、双向拉伸、热亚胺化后成膜收卷，得到性能较优的耐电晕型聚酰亚胺薄膜；本发明的聚酰亚胺薄膜的加工工艺更加完善，聚酰亚胺薄膜的耐电晕性更强，且抗拉伸性更好，使用寿命更长。
具体实施方式
[0011]
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0012]
实施利一一种聚酰亚胺薄膜的加工工艺，包括以下步骤：s1：准备1-10份的4,4'-二氨基二苯醚和1-10份的3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐，准备5-10份的n,n-二甲基甲酰胺，准备三氧化二铝、二氧化硅和氮化硼10-20份；s2：准备具有氮气保护的反应器，将6-8份n,n-二甲基甲酰胺放入反应器中，并打开反应器，反应器中的搅拌设备对n,n-二甲基甲酰胺进行预先搅拌，然后添加2-5份的4,4'-二氨基二苯醚进行搅拌；s3：再分批次添加2-5份的3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐进行搅拌，在搅拌的过程中持续加入氮气；s4：依次添加2-6份的三氧化二铝、二氧化硅和氮化硼到反应器内进行搅拌，形成聚酰胺酸溶液，将聚酰胺酸溶液放入消泡机中进行消泡；s5：将消泡后的聚酰胺酸溶液，由不锈钢罐经管路输送到流涎嘴的储槽当中，并把储槽中的溶液经流涎嘴前刮板带走，使用铺膜机制取一定规格、厚度的薄膜，将薄膜送进入烘干道内进行干燥，使薄膜在干燥时温度逐渐升高，溶剂逐渐挥发，在烘箱中进行程序升温，采用热亚胺化进行亚胺化成膜；s6：聚酰胺酸薄膜在钢带上进行输送，溶剂蒸发成为固态薄膜，从钢带上剥离下的薄膜经导向辊引向亚胺化炉，高温亚胺化后，由收卷机收卷；
s7：对成品薄膜的耐电晕性以及其他检测项目进行各种性能测试。
[0013]
本实施例中，s2中，对n,n-二甲基甲酰胺进行预先搅拌的时间5-10分钟，温度为8-10℃，搅拌速度为100-200r/min。
[0014]
本实施例中，s2中，对4,4'-二氨基二苯醚进行搅拌的时间20-40分钟，温度为8℃-15℃，搅拌速度为200-500r/min。
[0015]
本实施例中，s3中，对3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐进行搅拌的时间30-60分钟，温度为8℃-15℃，搅拌速度为300-400r/min。
[0016]
本实施例中，s4中，对三氧化二铝、二氧化硅和氮化硼进行搅拌的时间60-130分钟，温度为8℃-15℃，搅拌速度为400-500r/min。
[0017]
本实施例中，s7中，性能测试设备为高压试验变压器、投影立式光学计和微控电子万能试验机，可以分别对聚酰亚胺薄膜的电气强度、厚度和抗拉伸断裂进行测试。
[0018]
实施利二一种聚酰亚胺薄膜的加工工艺，包括以下步骤：s1：准备1-10份的4,4'-二氨基二苯醚和1-10份的3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐，准备5-10份的n,n-二甲基甲酰胺，准备三氧化二铝、二氧化硅和氮化硼10-20份；s2：准备具有氮气保护的反应器，将7份n,n-二甲基甲酰胺放入反应器中，并打开反应器，反应器中的搅拌设备对n,n-二甲基甲酰胺进行预先搅拌，然后添加4份的4,4'-二氨基二苯醚进行搅拌；s3：再分批次添加4.2份的3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐进行搅拌，在搅拌的过程中持续加入氮气；s4：依次添加15份的三氧化二铝、二氧化硅和氮化硼到反应器内进行搅拌，形成聚酰胺酸溶液，将聚酰胺酸溶液放入消泡机中进行消泡；s5：将消泡后的聚酰胺酸溶液，由不锈钢罐经管路输送到流涎嘴的储槽当中，并把储槽中的溶液经流涎嘴前刮板带走，使用铺膜机制取一定规格、厚度的薄膜，将薄膜送进入烘干道内进行干燥，使薄膜在干燥时温度逐渐升高，溶剂逐渐挥发，在烘箱中进行程序升温，采用热亚胺化进行亚胺化成膜；s6：聚酰胺酸薄膜在钢带上进行输送，溶剂蒸发成为固态薄膜，从钢带上剥离下的薄膜经导向辊引向亚胺化炉，高温亚胺化后，由收卷机收卷；s7：对成品薄膜的耐电晕性以及其他检测项目进行各种性能测试。
[0019]
本实施例中，s2中，对n,n-二甲基甲酰胺进行预先搅拌的时间8分钟，温度为10℃，搅拌速度为170r/min。
[0020]
本实施例中，s2中，对4,4'-二氨基二苯醚进行搅拌的时间40分钟，温度为11℃，搅拌速度为300r/min。
[0021]
本实施例中，s3中，对3,3',4,4'-二苯甲酮四甲酸二酐进行搅拌的时间50分钟，温度为10℃，搅拌速度为350r/min。
[0022]
本实施例中，s4中，对三氧化二铝、二氧化硅和氮化硼进行搅拌的时间120分钟，温度为10℃，搅拌速度为400r/min。
[0023]
本实施例中，s7中，性能测试设备为高压试验变压器、投影立式光学计和微控电子万能试验机，可以分别对聚酰亚胺薄膜的电气强度、厚度和抗拉伸断裂进行测试。
[0024]
本实施例中，通过在合成paa过程中复合添加三氧化二铝、二氧化硅、氮化硼及其他无机微粒子来提高产品的耐电晕性，利用三氧化二铝优异的导电性，可以快速的实现电荷的消散，防止电晕放电后电荷的集聚，利用氮化硼的优异导热性，可以增强膜面传热作用，有利于热量快速消散，防止局部过热造成的分子链热降解；二氧化硅、二氧化钛等形成微陷阱、多核屏蔽效应等，通过研究粒子的尺度、添加比例与分散条件、以及膜结构模型的研究，实现无机纳米粒子的均匀分散，有效防止电晕击穿，耐电晕寿命显著增强，采用不同性质、粒径的材料的结合，并可在聚酰亚胺薄膜中达到均匀分布，最终实现耐电晕效果，并经过流涎、双向拉伸、热亚胺化后成膜收卷，得到性能较优的耐电晕型聚酰亚胺薄膜。
[0025]
本发明相对现有技术获得的技术进步是：本发明的聚酰亚胺薄膜的加工工艺更加完善，聚酰亚胺薄膜的耐电晕性更强，且抗拉伸性更好，使用寿命更长。
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