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【技术领域】本发明属于集成电路领域,尤其涉及一种低温高生长速率氧化硅薄膜的原子层沉积方法。背景技术:二氧化硅薄膜由于很容易通过硅衬底氧化得到,且具有良好的化学、机械、介电性能和
[0001]本发明涉及真空薄膜制备技术领域,尤其是一种薄膜生长系统及方法。背景技术:[0002]真空蒸镀与原子层沉积都为目前先进的薄膜沉积技术。真空蒸镀是将有机或无机化合物加热
[0001]本申请涉及光伏电池技术领域,具体地讲,涉及降低绕镀的原子层沉积制备方法及太阳能电池。背景技术:[0002]原子层沉积工艺是将反应气体顺序地引入到放置了基片的真空反应
机器人结构¥24900.00
直角坐标机器人¥24900.00
手写输入识别系统及方法¥24900.00
投影机¥24900.00