本发明涉及定向凝固共晶陶瓷制备技术领域，尤其涉及一种al2o3/eag共晶陶瓷及其制备方法。背景技术：定向凝固氧化物共晶复合材料具有较高的熔点、低密度(<5g/cm3)以

• 温度梯度
• 定向凝固
• cm

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本发明属于硅片制备领域，特别是涉及一种单晶生长设备及生长方法。背景技术：：直拉法是现有的一种常用的单晶生长方法，又称为切克劳斯基法，简称cz法。cz法的特点是在一个直筒型的炉体

• 温度梯度
• 石墨结构
• 相对速度
• 石墨

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本发明涉及单晶硅生产技术领域，具体地说，涉及一种直拉法单晶炉及其熔体温度梯度控制方法。背景技术：近年来硅单晶的生长技术发展迅速，更低成本更高品质的单晶硅推动了晶硅电池走向平价发

• 温度梯度
• 单晶硅
• 石墨坩埚

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本发明涉及直径为2英寸至8英寸的大尺寸碳化硅单晶体生长领域，尤其涉及用于碳化硅单晶体生长过程中温度控制的组装式坩埚装置。背景技术：作为新一代半导体元件材料所使用的sic,gan

• 温度梯度

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[0001]本发明涉及各向异性材料的制备技术领域，具体涉及磁控微晶各向异性功能材料制备方法。背景技术：[0002]1、功能材料的制备技术在很多高新行业的发展中起到关键的基础作用

• 各向异性
• 晶体生长
• 温度梯度

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