[0001]本发明属于陶瓷介质储能材料制备领域，具体涉及一种高击穿高储能密度钛酸锶介质陶瓷材制备方法。背景技术：[0002]陶瓷介质电容器相比燃料电池、电池及超级电容器等储能器

• 陶瓷
• 马弗炉
• 钛酸锶
• 纳米陶瓷
• 氨基乙酸

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本发明属于电子信息工程技术领域，具体涉及一种钛酸锶压敏电阻及其制备方法。背景技术：随着我国工业生产的快速发展，集成、大规模集成电路在电子设备中的广泛使用,电子元件和设备也日益向

• 压敏电阻
• 马弗炉
• 钛酸锶
• 盐酸

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本发明涉及一种在掺铌钛酸锶(nb-srtio3)单晶基底上掺镧铁酸铋(blfo)单晶薄膜的制备方法，属于功能材料制备领域。背景技术：多铁性材料同时拥有铁电性、铁磁性，由于它在自

• 反应釜
• 钛酸锶
• 去离子水

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本发明属于半导体材料领域，具体涉及一种获得单一钛氧终止的绝缘钛酸锶(001)表面的方法。背景技术：绝缘钛酸锶(001)单晶是一种外延薄膜材料的合适衬底，但是刚买来的绝缘钛酸锶(

• 钛酸锶
• 退火处理

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本发明属于材料合成领域，具体为高纯超细纳米钛酸锶钡(baxsr1-xtio3)的合成及制备方法背景技术：纳米钛酸锶钡是一种非常重要的电子陶瓷功能材料，具有优良的铁电、压电性，是

• 草酸
• 钛酸锶
• 纳米陶瓷
• 前驱体
• 纳米粒子

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