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本发明涉及超晶格材料领域,具体为一种黑磷的超晶格材料及其制备方法。背景技术:超晶格材料是由两种或两种以上不同性质的薄膜相互交替生长而形成的多层结构的晶体。人造超晶格材料被认为是
本申请涉及半导体技术领域,尤其涉及一种铌酸锂薄膜超晶格的制备方法。背景技术:铌酸锂(linbo3,ln)的超晶格结构(即铌酸锂超晶格)是一种非常重要的非线性光学晶体材料,是实现
机器人结构¥24900.00
直角坐标机器人¥24900.00
手写输入识别系统及方法¥24900.00
投影机¥24900.00