一种铸造单晶用籽晶的重复利用方法与流程
本发明涉及光伏造领域,尤其涉及一种籽晶重复利用方法。
背景技术:
目前生产铸造单晶的一般步骤为:在坩埚底部铺设一层单晶籽晶,在单晶籽晶上面装正常铸锭的头料、尾料、边皮和原生多晶硅料,采用半融工艺得到铸造单晶。由于单晶硅籽晶成本主要来源于直拉法单晶硅棒,成本高昂,同时一炉单晶硅籽晶通常只能制备一个铸造单晶硅锭,造成铸造单晶硅片的成本居高不下,严重影响了铸造单晶硅产业的发展。
本发明提供了一种生产铸造单晶时籽晶重复利用方法,采用此方法后,一炉籽晶可以生产多个铸造单晶锭,大大降低了铸造单晶的籽晶成本。
技术实现要素:
本发明提供了一种铸造单晶用籽晶的重复利用方法,包括以下步骤:
步骤a直拉单晶棒去除边皮,再经过切割后得到长方体形状的籽晶。
步骤b将所述籽晶铺设在坩埚底部,形成完整的籽晶层。
步骤c在所述籽晶层上放置原生多晶硅料和头尾边等多晶回收料。
步骤d将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中,采用半融工艺得到铸造单晶硅锭。
步骤e将步骤(d)得到的铸造单晶硅锭进行开方得到小方锭,在每个小方锭的底部区域切割得到尾料籽晶,同时尾料籽晶中含有晶界。
步骤f对步骤(e)得到的尾料籽晶进行磨边,直到把所述尾料籽晶中的晶界磨消失,又得到尺寸相同的小籽晶。
步骤g将步骤(f)所述的小籽晶铺设在坩埚底部,形成完整的籽晶层,重复步骤c和步骤d得到铸造单晶锭。
优选地,步骤a所述籽晶可以分为不同种类,且不种类籽晶的引晶面晶向一致,侧面晶向具有一定角度的晶向差。
优选地,步骤b所述不同种类的籽晶交替铺设在坩埚底部,使籽晶之间形成晶界来抑制位错的产生。
优选地,步骤e所述尾料切割时的切割方向为垂直于所述铸造单晶硅锭的生长方向。
优选地,步骤e所述每个小方锭底部区域可以切割1-3个尾料籽晶。
优选地,步骤g所述的小籽晶可以是重复利用的籽晶,也可以是用单晶棒加工的一次小籽晶。
本发明提供的生产铸造单晶时籽晶重复利用方法具有以下有益效果:
实现了籽晶的全部或部分重复利用,大大降低了铸造单晶硅锭的籽晶成本;重复利用的小籽晶之间形成新的晶界来抑制位错的产生,制得的铸造单晶硅锭质量好。
附图说明
图1由9块籽晶形成的籽晶层示意图;
图2装料示意图1;
图3开方示意图1;
图4尾料籽晶磨边示意图1;
图5由16块籽晶形成的籽晶层示意图;
图6装料示意图2;
图7开方示意图2;
图8尾料籽晶磨边示意图2。
实施例1
一种铸造单晶用籽晶的重复利用方法,包括以下步骤:
步骤a直拉单晶棒去除边皮,再经过切割后得到长方体形状的籽晶,籽晶分为两种,两种籽晶的上表面晶向相同,侧面晶向不同,如图1所示,分别用白色和黑色表示。
步骤b将步骤(a)所述的两种籽晶交替铺设在坩埚底部,形成由9块籽晶组成的籽晶层,如图1所示。
步骤c在所述籽晶层上放置原生多晶硅料和头尾边等多晶回收料,如图2所示。
步骤d将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中,采用半融工艺得到铸造单晶硅锭。
步骤e将步骤(d)得到的铸造单晶硅锭进行开方得到小方锭,如图3所示,在每个小方锭的底部区域切割得到尾料籽晶,同时尾料籽晶中含有晶界。
步骤f取图3左下角部位的尾料籽晶进行磨边,直到把所述尾料籽晶中的晶界磨消失,又得到尺寸相同的小籽晶,如图4所示;其余尾料籽晶按照上述磨成小籽晶。
步骤g将步骤(f)所述的两种小籽晶交替铺设在坩埚底部,形成由9块小籽晶组成的籽晶层,重复步骤c和步骤d得到铸造单晶锭。
实施例2
一种铸造单晶用籽晶的重复利用方法,包括以下步骤:
步骤a直拉单晶棒去除边皮,再经过切割后得到长方体形状的籽晶,籽晶分为两种,两种籽晶的上表面晶向相同,侧面晶向不同,如图1所示,分别用白色和黑色表示。
步骤b将步骤(a)所述的两种籽晶交替铺设在坩埚底部,形成由16块籽晶组成的籽晶层,如图5所示。
步骤c在所述籽晶层上放置原生多晶硅料和头尾边等多晶回收料,如图6所示。
步骤d将所述装满多晶硅料的坩埚放入铸锭炉中,采用半融工艺得到铸造单晶硅锭。
步骤e将步骤(d)得到的铸造单晶硅锭进行开方得到小方锭,如图7所示,在每个小方锭的底部区域切割得到尾料籽晶,同时尾料籽晶中含有晶界。
步骤f取图7中左下角部位的尾料籽晶进行磨边,直到把所述尾料籽晶中的晶界磨消失,又得到尺寸相同的小籽晶,如图8所示;其余尾料籽晶按照上述磨成小籽晶。
步骤g将步骤(f)所述的两种小籽晶交替铺设在坩埚底部,形成由16块小籽晶组成的籽晶层,重复步骤c和步骤d得到铸造单晶锭。
本发明提供的一种生产铸造单晶时籽晶重复利用方法,通过在铸造单晶铸锭的底部切割一定数量的尾料籽晶,对尾料籽晶进行磨边,直到把所述尾料籽晶中的晶界磨消失,又得到小籽晶,将所述的小籽晶铺设在坩埚底部,又可以生产铸造单晶锭。本发明通过简单的方法可以实现籽晶的多次重复利用,大大降低了铸造单晶硅的籽晶成本。
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