基板处理装置和基板处理方法与流程

[0001]
本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。


背景技术：

[0002]
公知有一种能够在处理容器内在将多个基板分多层地保持于基板保持件的状态下对多个基板进行成膜处理等的批处理式基板处理装置。
[0003]
在该批处理式基板处理装置中，成为如下构造：沿着处理容器的内壁设有喷射器，将l字型喷射器的水平部分插入并固定于被形成在处理容器的下端凸缘的贯通孔。另外，公开有这样的构造：在喷射器的垂直部分沿着基板层叠的方向(铅垂方向)设有多个气体喷出口，而且设有使喷射器旋转的机构。
[0004]
专利文献1：日本特开2018－56232号公报


技术实现要素：

[0005]
发明要解决的问题
[0006]
然而，若用于使喷射器旋转的构件设于处理容器的内部，则在使其进行动作时，有时会产生颗粒。因此，期望尽可能地抑制在使喷射器旋转时产生颗粒。
[0007]
用于解决问题的方案
[0008]
根据本实施方式的一观点，具有：处理容器；喷射器，其设于所述处理容器的内部，呈沿长度方向延伸的形状，用于供给处理气体；保持架，其固定于所述喷射器；风车，其固定于所述保持架；第1驱动用气体供给部，其供给使所述风车向一方向旋转的驱动用气体；第2驱动用气体供给部，其供给使所述风车向与所述一方向相反的另一方向旋转的驱动用气体；以及驱动用气体控制部，其控制所述第1驱动用气体供给部的驱动用气体的供给和所述第2驱动用气体供给部的驱动用气体的供给，通过利用所述驱动用气体控制部的控制，自所述第1驱动用气体供给部和所述第2驱动用气体供给部中的至少一者供给驱动用气体来使所述风车旋转，从而使所述喷射器以所述长度方向为轴线旋转。
[0009]
发明的效果
[0010]
根据公开的基板处理装置，能够抑制在使喷射器旋转时产生颗粒。
附图说明
[0011]
图1是第1实施方式的基板处理装置的构造的概略图。
[0012]
图2是第1实施方式的基板处理装置的喷射器的说明图。
[0013]
图3是第1实施方式的基板处理装置的主要部位的剖面的立体图。
[0014]
图4是第1实施方式的基板处理装置的主要部位的剖面的分解立体图。
[0015]
图5是第1实施方式的基板处理装置的风车的立体图。
[0016]
图6是第1实施方式的基板处理装置的风车的俯视图。
[0017]
图7是第1实施方式的基板处理装置的风车的剖视图。
[0018]
图8是第1实施方式的基板处理装置的喷射器的旋转的说明图(1)。
[0019]
图9是第1实施方式的基板处理装置的喷射器的旋转的说明图(2)。
[0020]
图10是第1实施方式的基板处理装置的喷射器的旋转的说明图(3)。
[0021]
图11是第1实施方式的基板处理装置的另一喷射器的立体图。
[0022]
图12是第1实施方式的基板处理装置的另一喷射器的俯视图。
[0023]
图13是第1实施方式的基板处理方法的流程图。
[0024]
图14是第2实施方式的基板处理方法的流程图。
[0025]
图15是第3实施方式的基板处理装置的说明图。
具体实施方式
[0026]
以下说明用于进行实施的方式。此外，对相同的构件等标注相同的附图标记并省略说明。
[0027]
〔第1实施方式〕
[0028]
(基板处理装置)
[0029]
基于图1说明第1实施方式的基板处理装置。其中，处理对象、处理内容没有特殊限定，能够应用于将气体向处理容器内供给并进行处理的各种处理装置。
[0030]
如图1所示，本实施方式的基板处理装置具有能够收容半导体晶圆(以下称作“晶圆w”。)的处理容器10。处理容器10由耐热性较高的石英成形为大致圆筒体状，在顶部具有排气口11。处理容器10形成为沿铅垂(上下)方向延伸的纵向形状。在例如要处理的晶圆w的直径为300mm的情况下，处理容器10的直径形成为350mm～450mm的程度。
[0031]
在处理容器10的顶部的排气口11连接有气体排出端口20。气体排出端口20具有例如自排气口11向上方延伸之后以直角呈l字形状弯曲的石英管。
[0032]
在气体排出端口20连接有对处理容器10内排气的真空排气系统30。具体而言，真空排气系统30具有与气体排出端口20连结的例如由不锈钢形成的金属制的气体排出管31。另外，在气体排出管31的中途依次设有开闭阀32、蝶形阀等压力调整阀33以及真空泵34，能够一边调整处理容器10内的压力一边进行排气。此外，气体排出端口20的内径形成为与气体排出管31的内径相同。
[0033]
在处理容器10的侧部以包围处理容器10的方式设有加热单元40，能够加热收容在处理容器10的晶圆w。加热单元40例如被分割成多个区域，自铅垂方向上侧朝向下侧由能够独立地控制发热量的多个加热器(未图示)形成。此外，加热单元40也可以不被分割成多个区域，而是由一个加热器构成。另外，在加热单元40的外周设有绝热材料50，而确保热稳定性。
[0034]
处理容器10的下端部开口，而能够送入、送出晶圆w。处理容器10的下端部的开口利用盖体60进行开闭。
[0035]
在比盖体60靠上方的位置设有晶圆舟80。晶圆舟80为用于保持晶圆w的基板保持件，形成为能够将多个晶圆w以在铅垂方向上分离开的状态保持。晶圆舟80保持的晶圆w的张数没有特殊限定，但能够设为例如50张～150张。
[0036]
晶圆舟80隔着由石英形成的保温筒75载置在工作台74上。工作台74被贯通盖体60的旋转轴72的上端部支承，该盖体60对处理容器10的下端开口部进行开闭。在旋转轴72的
贯通部例如设有磁性流体密封件73，将旋转轴72支承为能够以气密地密封的状态旋转。另外，在盖体60的上表面外周部设有例如o型密封圈等密封构件61，能够将处理容器10内密闭。
[0037]
旋转轴72例如安装于被舟皿升降机等升降机构70支承的臂71的顶端，形成为能够使晶圆舟80和盖体60等一体地升降。此外，还可以将工作台74固定于盖体60，而不使晶圆舟80旋转地进行晶圆w的处理。
[0038]
在处理容器10的下端部配置有圆环状的歧管90。而且，经由歧管90自处理容器10的下端部向处理容器10内导入所需要的气体。歧管90由与处理容器10分体的部件构成，但被设为与处理容器10的侧壁一体地设置，形成处理容器10的侧壁的一部分。
[0039]
因而，在本实施方式的基板处理装置中，由处理容器10、歧管90、盖体60形成密闭的空间。
[0040]
歧管90对喷射器110进行支承。喷射器110为用于向处理容器10内供给气体的管状构件，例如由石英形成。喷射器110形成为沿长度方向延伸的形状，在处理容器10的内部以长度方向成为铅垂方向的方式设置。在喷射器110沿着长度方向以规定间隔形成有多个气体孔111，而能够自气体孔111朝向水平方向喷出气体。喷射器110可以是一个，也可以是多个。
[0041]
图2是用于说明图1的基板处理装置的喷射器的与喷射器的长度方向垂直地切断而得到的剖视图。在图2中，作为一个例子示出一个喷射器110。图2的(a)示出原点位置处的喷射器110的状态。另外，图2的(b)示出从原点位置逆时针旋转了规定的角度θ1的位置处的喷射器110的状态，图2的(c)示出从原点位置顺时针旋转了规定的角度θ2的位置处的喷射器110的状态。
[0042]
喷射器110利用后述的旋转机构能够逆时针旋转和顺时针旋转。具体而言，喷射器110可以是能够从图2的(a)所示的气体孔111朝向处理容器10的中心的位置如图2的(b)所示逆时针旋转到角度θ1的位置。另外，喷射器110也可以是能够如图2的(c)所示顺时针旋转到角度θ2的位置。而且，通过在自喷射器110的气体孔111朝向水平方向喷出气体的状态下使喷射器110旋转，能够控制对晶圆w实施的处理的面内分布。角度θ1与角度θ2之和例如为90
°
。
[0043]
如图1所示，在喷射器110连接有用于向喷射器110供给气体的气体供给系统120。气体供给系统120具有与喷射器110连通的由金属、例如不锈钢形成的气体配管121和与气体配管121连接的储气罐126。另外，在气体配管121的中途依次设有质量流量控制器等流量控制器123和开闭阀122，能够一边控制自储气罐126供给来的处理气体的流量一边进行供给。晶圆w的处理所需要的其他的处理气体也经由同样构成的气体供给系统120和歧管90被供给。
[0044]
处理容器10的下端部的歧管90的周边部利用例如由不锈钢形成的底板130支承，从而利用底板130承载处理容器10的载荷。底板130的下方成为未图示的具有晶圆移载机构的晶圆移载室，成为大致大气压的氮气气氛。另外，底板130的上方成为无尘室的洁净的空气的气氛。
[0045]
另外，如图1所示，设有进行基板处理装置的整体的控制的控制部150。控制部150按照制程控制基板处理装置内的各种设备的动作，使得在制程所示的各种处理条件下进行
处理。另外，控制部150通过接收来自设于基板处理装置内的各种传感器的信号，从而掌握晶圆w的位置等，并进行推进处理的程序控制。而且，控制部150也可以通过接收由设于基板处理装置内的各种检测器检测到的物理测量值等，从而掌握基板处理的状态，并为了适当地进行基板处理而进行必要的反馈控制等。
[0046]
控制部150包括cpu(central processing unit，中央处理器)、rom(read only memory，只读存储器)、ram(random access memory，随机存储器)等运算单元和存储单元。控制部150可以构成为从存储了程序的存储介质加载进行制程的处理的程序并执行制程的处理那样的微型计算机。另外，控制部150也可以构成为asic(application specific integrated circuit，专用集成电路)那样的电子电路。
[0047]
(气体导入机构部)
[0048]
接着，基于图3和图4更详细地说明本实施方式的基板处理装置的气体导入机构部。图3是本实施方式的基板处理装置的气体导入机构部的剖面立体图，图4是其分解立体图。
[0049]
在本实施方式的基板处理装置中，在歧管90的上侧的面设有圆形的上侧开口部91，在歧管90的与上侧开口部91对应的下侧的面设有圆形的下侧开口部92。另外，在歧管90形成有轴承支承部93a，该轴承支承部93a形成有连通上侧开口部91和下侧开口部92的贯通孔93。
[0050]
歧管90由金属形成，例如由不锈钢、铝、哈斯特洛伊合金等耐腐蚀性金属材料等形成。从防止金属污染的观点出发，由例如石英形成处理容器10和构成处理容器10的部件。
[0051]
喷射器110由石英形成，在喷射器110的下侧安装有由哈斯特洛伊合金等金属形成的保持架161。具体而言，在喷射器110的内部形成有气体流路110a，在喷射器110的下侧设有下侧插入部110b，在比下侧插入部110b靠上侧的位置设有向周向的外侧扩展的固定部110c。另外，在固定部110c设有螺纹孔110d。
[0052]
在保持架161的上侧设有供喷射器110的下侧插入部110b插入的圆形的凹部161a。在保持架161的凹部161a插入了由螺旋弹簧形成的环状的弹簧162而且插入了气管163的状态下，插入喷射器110的下侧插入部110b。在气管163形成有要成为气体流路的贯通孔163a，气管163的一部分进入于喷射器110的下侧的气体流路110a。
[0053]
在喷射器110的固定部110c之上设有圆板状的压板164。压板164具有中央供喷射器110插入的贯通孔164a和设于该贯通孔164a的周围的螺纹孔164b。在保持架161的上表面161b设有多个螺纹孔161c，喷射器110的固定部110c以被下侧的保持架161和上侧的压板164夹在中间的状态利用螺纹件165固定。
[0054]
如此，将弹簧162、气管163、喷射器110的下侧插入部110b插入于保持架161的凹部161a，并借助压板164利用螺纹件165固定。保持架161经由轴承166插入于歧管90的上侧开口部91，保持架161的下侧的固定部161g经由轴承166的开口部和贯通孔93向下侧开口部92侧伸出。
[0055]
保持架161的下侧的固定部161g为要与风车167固定在一起的部分。另外，在保持架161的下表面的中央部以向下方突出的方式设有台阶形状。通过使该台阶形状与轴承166的旋转部分接触并固定，从而在轴承166的外侧(固定部)的上表面与保持架161的下表面之间形成间隙。
[0056]
在本实施方式中，弹簧162会由于螺纹件165的紧固而变形，在其弹性力的作用下产生向上方上推喷射器110的力。在固定部110c的下表面与保持架161的上表面161b之间形成有间隙，能够利用多个螺纹件165的紧固程度来调整喷射器110的倾斜度。例如，在想要将喷射器110的上端部设置为与处理容器10的内壁抵接的情况下，将处理容器10的内壁侧的螺纹件拧紧并将舟皿侧的螺纹件拧松即可。此外，压板164可以是一张板，也可以分割成多个。
[0057]
在保持架161的比凹部161a靠下侧的位置设有供用于供给气体的套筒124插入的开口部161d。套筒124的一端部隔着密封垫与安装于固定块125的气体配管121连接，在另一端部的附近形成有在上侧开口的孔124a。
[0058]
套筒124自一端部朝向另一端部贯通，从气体配管121供给来的成膜气体等处理气体在套筒124的内部自一端部朝向另一端部流动，并自套筒124的另一端部附近的孔124a向上侧流出。自套筒124的另一端部附近的孔124a流出的处理气体经过气管163的内部的贯通孔163a，并在喷射器110的内部的气体流路110a中向上流动。
[0059]
在本实施方式中，在歧管90的下侧开口部92插入有风车167，风车167利用插入于保持架161的下侧的固定部161g的螺纹孔161e的螺纹件168固定。此外，从耐热性、耐腐蚀性的观点出发，由氮化硅(sin)形成轴承166。保持架161、弹簧162、气管163、压板164、螺纹件165、风车167、螺纹件168由哈斯特洛伊合金形成。
[0060]
在本实施方式中，对于由上述构件形成的部分的组装方法，首先，在歧管90的上侧开口部91内设置轴承166。接着，自轴承166的上侧将保持架161的下侧的固定部161g插入于轴承166的开口部和贯通孔93，在歧管90的下侧开口部92插入风车167，利用螺纹件168将风车167固定在保持架161的下侧的固定部161g。接着，向保持架161的凹部161a依次插入弹簧162、气管163、喷射器110的下侧插入部110b，在固定部110c之上载置压板164并利用螺纹件165固定。由此，将保持架161和喷射器110固定。接着，将处理气体用的套筒124插入于歧管90，隔着密封垫地将气体配管121与歧管90连接，并将固定块125螺纹紧固。之后，隔着密封垫地将第1驱动用气体配管171和第2驱动用气体配管172与歧管90连接，并将固定块173螺纹紧固。利用以上的工序，能够进行组装。
[0061]
接着，基于图5至图7说明风车167。图5是风车167的立体图，图6是俯视图，图7是在图6的点划线6a－6b处切断而得到的剖视图。风车167在圆板状的圆板部167a的中央部分设有贯通孔167b，并设有多个自设有贯通孔167b的部分朝向周围延伸的凸片167c。如上所述，风车167通过将插入于风车167的贯通孔167b的螺纹件168插入并固定于螺纹孔161e，从而固定于保持架161。
[0062]
风车167具有圆板状的圆板部167a、设于圆板部的中央且向上方突出并且在中央部分形成有贯通孔167b的风车固定部167d、自风车固定部167d朝向周围延伸的凸片167c。凸片167c的高度形成为低于风车固定部167d的高度。风车固定部167d的外径设定为小于贯通孔93的内径并且与轴承166的旋转部分的外径大致相同的尺寸，在将风车167和保持架161利用螺纹件168进行了固定时，风车固定部167d的上表面167e和轴承166的旋转部分的下表面以接触的状态被固定。通过设为这样的构造，能够使凸片167c不与其他构件接触地进行旋转。
[0063]
接着，基于图8至图10说明风车167的旋转。图8是将设有风车167的部分利用与圆
板部167a平行的面切断而得到的剖视图，图9是将设有第1驱动用气体配管171和第1驱动用气体流路94的部分利用与风车167的圆板部167a垂直的面切断而得到的剖视图。图10是歧管90的上表面侧的主要部位立体图。
[0064]
在本实施方式中，风车167利用供给来的气体的风力旋转。具体而言，用于使风车167旋转的两个驱动用气体配管、即第1驱动用气体配管171和第2驱动用气体配管172隔着密封垫地利用固定块173安装于歧管90。在歧管90设有供自第1驱动用气体配管171供给来的气体流动的第1驱动用气体流路94、供自第2驱动用气体配管172供给来的气体流动的第2驱动用气体流路95。在本申请中，具有将第1驱动用气体流路94记载为第1驱动用气体供给部、将第2驱动用气体流路95记载为第2驱动用气体供给部的情况。
[0065]
第1驱动用气体配管171和第2驱动用气体配管172连接于驱动用气体控制部174，在驱动用气体控制部174连接有成为驱动用气体供给源的驱动用气体罐175。在驱动用气体罐175的下游侧的驱动用气体控制部174内分别依次设有调整驱动用气体的流量的未图示的质量流量控制器、进行驱动用气体的供给和停止的未图示的开闭阀。以与第1驱动用气体配管171相对应的方式设有质量流量控制器和开闭阀，并且以与第2驱动用气体配管172相对应的方式设有质量流量控制器和开闭阀。此外，驱动用气体罐175可以有两个，以分别与第1驱动用气体配管171和第2驱动用气体配管172连接，也可以被共用。驱动用气体为非活性气体，例如为氮气。
[0066]
成为驱动用气体的氮气装入于驱动用气体罐175，并自驱动用气体罐175向驱动用气体控制部174供给。驱动用气体控制部174控制针对第1驱动用气体配管171和第2驱动用气体配管172的驱动用气体的供给。此外，驱动用气体控制部174也可以连接于控制部150，基于控制部150的控制，在驱动用气体控制部174中进行驱动用气体的供给的控制。
[0067]
在本实施方式中，如图8和图10的虚线箭头a所示，向第1驱动用气体配管171供给驱动用气体。这样供给来的驱动用气体在第1驱动用气体流路94中朝向设有风车167的一侧流动，并碰到风车167的凸片167c，风车167如虚线箭头b所示逆时针旋转。相伴于此，与风车167固定在一起的保持架161也旋转，而且固定于保持架161的喷射器110也旋转。
[0068]
接着，停止相对于第1驱动用气体配管171的驱动用气体的供给，如图8和图10的虚线箭头c所示，向第2驱动用气体配管172供给驱动用气体。这样供给来的驱动用气体在第2驱动用气体流路95中朝向设有风车167的一侧流动，并碰到风车167的凸片167c，风车167如虚线箭头d所示顺时针旋转。相伴于此，与风车167固定在一起的保持架161也旋转，而且固定于保持架161的喷射器110也旋转。
[0069]
这样，通过基于驱动用气体控制部174的控制，交替地重复进行针对第1驱动用气体配管171的驱动用气体的供给和针对第2驱动用气体配管172的驱动用气体的供给，能够一边交替地改变喷射器110的旋转方向一边使喷射器110旋转。
[0070]
在本实施方式中，为了限制保持架161所旋转的角度，如图10所示，在保持架161的外周设有向周向的外侧突出的突起部161f，在歧管90的上表面设有两个销96a、96b。
[0071]
在向第1驱动用气体配管171供给驱动用气体时，保持架161如虚线箭头b所示地旋转，而保持架161的突起部161f与设于歧管90的销96a接触，保持架161的旋转停止。另外，在向第2驱动用气体配管172供给驱动用气体时，保持架161如虚线箭头d所示地旋转，而保持架161的突起部161f与设于歧管90的销96b接触，保持架161的旋转停止。在本实施方式中，
通过改变销96a、96b的位置，能够自由地设定保持架161所旋转的角度。
[0072]
在上述说明中，如图2等所示，说明了喷射器110的构造为圆形的筒状的情况，但喷射器110也可以如图11和图12所示为椭圆的筒状。该情况下，例如，喷射器110的椭圆的长径ra为30mm，短径rb为20mm。此外，在使晶圆舟80与喷射器110靠近的情况下使晶圆舟80旋转时，具有晶圆舟80的支柱与喷射器110碰撞的情况。因此，通过使用图11和图12所示那样的椭圆的喷射器110，能够防止由于使喷射器110旋转导致晶圆舟80的支柱与喷射器110碰撞。
[0073]
(基板处理方法)
[0074]
接着，说明使用了本实施方式的基板处理装置的基板处理方法。在进行基板处理时，将晶圆舟80以在晶圆舟80载置了多张、例如50张～150张左右的晶圆w的状态载置于盖体60上的工作台74上，使盖体60上升而进行密闭，晶圆w被设置于处理容器10内。此外，在图1中仅示出一个喷射器110，但也可以设有未图示的多个喷射器110。
[0075]
接着，使用真空泵34对处理容器10的内部排气，直到到达规定的压力为止。
[0076]
接着，使晶圆舟80旋转，自多个喷射器110供给处理气体。处理气体能够根据用途而选择各种气体，但例如在形成氧化硅膜的情况下，供给含硅气体、氧化气体。含硅气体例如可以是氨基硅烷气体，氧化气体例如可以是臭氧气体。通过氨基硅烷气体与臭氧气体反应，从而作为反应产物的氧化硅在晶圆w上沉积，而形成氧化硅膜。
[0077]
在本实施方式中，如图13所示，在形成氧化硅膜时，利用驱动用气体控制部174的控制，交替地改变喷射器110的旋转方向地使喷射器110旋转。
[0078]
首先，如步骤102(s102)所示，在停止针对第2驱动用气体配管172的驱动用气体的供给的状态下，向第1驱动用气体配管171供给驱动用气体，使风车167旋转，而使保持架161和喷射器110旋转。保持架161旋转到设于保持架161的突起部161f与销96a接触为止，在突起部161f与销96a接触之后，保持架161的旋转停止。此外，在处理气体为反应性较强的气体的情况下，通过在保持架161停止了旋转之后仍供给驱动用气体，能够防止处理气体进入于设有风车167、轴承166等的区域。由此，能够防止风车167、轴承166等被处理气体腐蚀。
[0079]
接着，如步骤104(s104)所示，停止针对第1驱动用气体配管171的驱动用气体的供给，向第2驱动用气体配管172供给驱动用气体，使保持架161向与步骤102相反的方向旋转，而使喷射器110旋转。保持架161旋转到设于保持架161的突起部161f与销96b接触为止，在突起部161f与销96b接触之后，保持架161的旋转停止。此外，在处理气体为反应性较强的气体的情况下，通过在保持架161停止了旋转之后仍供给驱动用气体，从而能够防止处理气体进入于设有风车167、轴承166等的区域。由此，能够防止风车167、轴承166等被处理气体腐蚀。
[0080]
在本实施方式中，交替重复步骤102和步骤104，而交替改变喷射器110的旋转方向地使喷射器110旋转，直到氧化硅膜的成膜结束为止。
[0081]
在本实施方式中，若为cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)成膜，则同时向处理容器10内供给氨基硅烷气体和臭氧气体。另一方面，若为ald(atomic layer deposition，原子层沉积)成膜，则首先向处理容器10内仅供给氨基硅烷气体使其吸附于晶圆w的表面。然后，在利用吹扫气体对处理容器10内进行了吹扫之后，仅供给臭氧气体，利用该臭氧气体与吸附在晶圆w的表面的氨基硅烷气体之间的反应，在晶圆w的表面形成氧化硅膜。然后，在向处理容器10内供给了吹扫气体之后，再重复氨基硅烷气体供给、吹扫气体供
给、臭氧气体供给、吹扫气体供给的循环，从而使氧化硅膜逐渐在晶圆w的表面沉积。
[0082]
在本实施方式中，在处理容器10的内部，使喷射器110旋转所需要的构件相比于使用了气缸、马达等的情况较少。另外，在使用了气缸、马达等的情况下，为了使喷射器110旋转，需要连杆部、齿轮这样的构件，但在本实施方式中，通过供给驱动用气体来使风车旋转，因此能够大幅减少构件彼此的接触部位。因此，能够抑制颗粒的产生，另外，能够使成本降低，还具有节省空间的效果。
[0083]
另外，在使用气缸、马达等的情况下，必须在最靠近歧管的位置设置气缸、马达，但这些构件在被加热晶圆时的热量加热时可能会发生热膨胀、破损。相对于此，在本实施方式中，不使用气缸等、连杆部等，而是利用驱动用气体使风车167旋转的机构，因此，除风车167等以外，不会被加热晶圆时的热量加热，能够防止发生热膨胀、破损。
[0084]
〔第2实施方式〕
[0085]
接着，基于图14说明第2实施方式的基板处理方法。本实施方式为利用与第1实施方式不同的方法交替改变喷射器110的旋转方向地使喷射器110旋转的基板处理方法。
[0086]
在本实施方式中，如图14所示，在形成氧化硅膜时，利用驱动用气体控制部174的控制，交替改变喷射器110的旋转方向地使喷射器110旋转。
[0087]
具体而言，首先，如步骤112(s112)所示，向第1驱动用气体配管171和第2驱动用气体配管172同时供给驱动用气体。该情况下，若向第1驱动用气体配管171供给的驱动用气体的流量与向第2驱动用气体配管172供给的驱动用气体的流量相等，则风车167不旋转，因此喷射器110也不会旋转而是停止。
[0088]
接着，如步骤114(s114)所示，相比于第2驱动用气体配管172，增加向第1驱动用气体配管171供给的驱动用气体的流量，并维持规定的时间。由此，向第1驱动用气体配管171供给的驱动用气体的使风车167旋转的力强于向第2驱动用气体配管172供给的驱动用气体的使风车167旋转的力。因而，在该时间内，风车167利用向第1驱动用气体配管171供给的驱动用气体旋转，相伴于此，喷射器110也向相同的方向旋转。
[0089]
接着，如步骤116(s116)所示，相比于第1驱动用气体配管171，增加向第2驱动用气体配管172供给的驱动用气体的流量，并维持规定的时间。由此，向第2驱动用气体配管172供给的驱动用气体的使风车167旋转的力强于向第1驱动用气体配管171供给的驱动用气体的使风车167旋转的力。因而，在该时间内，风车167向与步骤114相反的方向旋转，相伴于此，喷射器110也向相同的方向旋转。
[0090]
之后，再次转移到步骤114，交替重复步骤114和步骤116，而交替改变喷射器110的旋转方向地使喷射器110旋转，直到氧化硅膜的成膜结束为止。
[0091]
在本实施方式中，通过调整驱动用气体的流量和使驱动用气体较多地流动的时间，能够将喷射器110所旋转的角度设为规定的角度。因此，不需要第1实施方式的设于保持架161的突起部161f、销96a、96b等。
[0092]
此外，关于上述以外的内容，与第1实施方式相同。
[0093]
〔第3实施方式〕
[0094]
接着，基于图15说明第3实施方式的基板处理装置。本实施方式的基板处理装置为设于风车167的凸片167c以朝向下方的方式安装的构造。在风车167的下侧安装有轴承166。如此，由于与第1实施方式相反朝向地安装风车167，因而自虚线箭头e所示的方向供给的驱
动用气体碰到风车167的凸片167c，而如虚线箭头f所示地朝向下方流动。在基板处理装置中，由于成为成膜对象的晶圆位于上侧，因而，即使在风车167、轴承166产生了颗粒，该颗粒也几乎不会向设有晶圆的上侧流动，而是向不存在晶圆的下侧流动。由此，即使在风车167、轴承166产生了颗粒的情况下，也能够防止颗粒附着在晶圆的表面。
[0095]
另外，在本实施方式中，在保持架261和歧管290的相对的面分别设有对应的形状的凹凸，即，设有保持架261的凹凸261a和歧管290的凹凸291a，而成为迷宫式构造。通过像这样设为迷宫式构造，即使在风车167、轴承166产生了颗粒，也能够防止颗粒向晶圆侧流动。
[0096]
此外，关于上述以外的内容，与第1实施方式相同。
[0097]
在上述的实施方式中，列举在晶圆w形成规定的膜的情况的例子进行了说明，但并不限定于此。例如，还能够应用于重复以下步骤的处理：向晶圆w供给成膜气体而在晶圆w形成规定的膜的成膜步骤；和供给对规定的膜进行蚀刻的蚀刻气体而对规定的膜进行蚀刻的蚀刻步骤。
[0098]
以上，说明了用于实施本发明的方式，但上述内容并不用于限定发明的内容，而能够在本发明的范围内进行各种变形和改良。

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