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一种新型多音阶手碟的制作方法与流程

2021-01-28 13:01:20|302|起点商标网
一种新型多音阶手碟的制作方法与流程

一种新型多音阶手碟的制作方法,属于手碟技术领域。



背景技术:

星盘手碟(handpan)是一种打击乐器,由两个半球型的钢板通过成型过程组合而成,形同ufo。其上部有数个音区,中心点为基础音,即ding音区,其余的音环绕分布。底部的中心有个孔,为gu音孔,也作为调音用。演奏者将星盘手碟置于盘腿上(也可置于立架上),以手指敲击出声。通常手碟上的音区越多,手碟的音域越广,因此为了增加手碟的音域,通常会在手碟的ding音区与环绕音区之间增加音区,但是由于现有的手碟因ding音区摆放于手碟正中心而存在预留空间不足,导致经常出现音不准、音阶模糊不清、音区之间互相串音等问题。



技术实现要素:

本发明要解决的技术问题是:克服现有技术的不足,提供一种ding音区向a3音区偏移,为拓宽音域预留出足够的调音和共振空间的新型多音阶手碟的制作方法。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:该新型多音阶手碟,包括手碟主体以及设置在手碟主体顶部的ding音区和环绕音区,环绕音区包括设置在手碟主体相对两侧的a3音区和a4音区,其制作方法为,将ding音区设置于a3音区和a4音区之间,且ding音区与a3音区的距离小于ding音区与a4音区的距离,在所述的ding音区和a4音区之间设置有扩展音区,a4音区、扩展音区、ding音区以及a3音区在手碟主体上间隔均布。

优选的,对所述的手碟主体进行锻打,锻打完成后进行一次淬火;对一次淬火后的手碟主体进行粗调音,然后再进行二次淬火,对二次淬火后的手碟主体进行精确调音后再进行三次淬火。

优选的,所述的一次淬火的温度为400℃,淬火时间为120min;二次淬火的温度为300℃,淬火时间为180min;三次淬火的温度为1400~1600℃,淬火时间为3min。

优选的,通过钢锤沿着各音区的边界对所述手碟主体持续锻打。

优选的,所述的ding音区与a3音区的距离为3~4cm。ding音区与a3音区的距离为3~4cm,在ding音区与a4音区之间预留出足够的空间,方便了扩展音区的设置。

优选的,所述的扩展音区包括设置在ding音区和a4音区之间的c5音区,以及设置在c5音区两侧的d5音区和e5音区。c5音区的长轴两端分别指向a3音区和a4音区,d5音区和e5音区的长轴的端部均指向c5音区,便于鼓手在快节奏演奏中瞬间找出需要的音阶,有效降低出错率。

优选的,所述的c5音区与a4音区的距离为3.5mm,ding音区与a3音区的距离也为3.5cm。ding音区距离a3音区的距离缩短到3.5cm,这样做除了为扩展音区预留更多的空间之外,还能有效照顾到手小的演奏者,可以更加轻松的在两个低音区之间来回切换击打。

优选的,所述的环绕音区还包括设置在手碟主体一侧的bb3音区、d4音区和f4音区,以及设置在手碟主体相对的一侧的c4音区、e4音区和g4音区。

优选的,所述的手碟主体底部的gu音孔设置在手碟主体的下侧中部,环绕gu音孔设置有朝向手碟主体内的弧形的内翻边。

与现有技术相比,本发明所具有的有益效果是:

本新型多音阶手碟的制作方法的手碟的ding音区与a3音区的距离小于ding音区与a4音区的距离,使ding音区摆放位置大幅度向a3音区偏移,为拓宽音域而增加的音阶预留出足够的调音和共振空间,扩展音区设置在ding音区与a4音区之间,避免了扩展音域与ding音区或与a4音区之间发生串音,有效改善了由于ding音区摆放于手碟正中心而导致预留空间不足,出现音不准、音阶模糊不清、音区之间互相串音等问题。

附图说明

图1为新型多音阶手碟的俯视示意图。

图2为手碟主体下部的主视剖视示意图。

图中:1、手碟主体2、ding音区3、a3音区4、bb3音区5、c4音区6、d4音区7、e4音区8、f4音区9、g4音区10、a4音区11、c5音区12、d5音区13、e5音区14、gu音孔1401、内翻边。

具体实施方式

图1~2是本发明的最佳实施例,下面结合附图1~2对本发明做进一步说明。

一种新型多音阶手碟,包括手碟主体1以及设置在手碟主体1顶部的ding音区2和环绕音区,环绕音区包括设置在手碟主体1相对两侧的a3音区3和a4音区10,ding音区2位于a3音区3和a4音区10之间,且ding音区2与a3音区3的距离小于ding音区2与a4音区10的距离。本新型多音阶手碟的ding音区2与a3音区3的距离小于ding音区2与a4音区10的距离,使ding音区2摆放位置大幅度向a3音区3偏移,为拓宽音域而增加的音阶预留出足够的调音和共振空间,有效改善了由于ding音区2摆放于手碟正中心,导致预留空间不足而出现音不准、音阶模糊不清、音区之间互相串音等问题。

下面结合具体实施例对本发明做进一步说明,然而熟悉本领域的人们应当了解,在这里结合附图给出的详细说明是为了更好的解释,本发明的结构必然超出了有限的这些实施例,而对于一些等同替换方案或常见手段,本文不再做详细叙述,但仍属于本申请的保护范围。

具体的:如图1~2所示:a3音区3设置在手碟主体1的右侧,a4音区10设置在手碟主体1的左侧,a3音区3和a4音区10正对设置,并位于手碟主体1相对的两侧。ding音区2位于a3音区3和a4音区10之间,且ding音区2为椭圆形,ding音区2的短轴的两端分别指向a3音区3和a4音区10。ding音区2的中部设置有上凸的ding音区敲击部,a3音区3和a4音区10的中部设置有内凹的环绕音区音槽。

环绕音区还包括设置在手碟主体1一侧的bb3音区4、d4音区6和f4音区8,以及设置在手碟主体1相对的一侧的c4音区5、e4音区7和g4音区9。其中bb3音区4、d4音区6和f4音区8设置在手碟主体1的下侧,并位于a3音区3和a4音区10之间,并沿由a3音区3至a4音区10的方向依次间隔设置;c4音区5、e4音区7和g4音区9设置在手碟主体1的上侧,并位于a3音区3和a4音区10之间,并沿由a3音区3至a4音区10的方向依次间隔设置。

a3音区3、a4音区10、bb3音区4、d4音区6,f4音区8、c4音区5、e4音区7和g4音区9均为椭圆形,且a3音区3、a4音区10、bb3音区4、d4音区6,f4音区8、c4音区5、e4音区7和g4音区9的长轴的两端分别指向与其相邻的环绕音区。a3音区3、a4音区10、bb3音区4、d4音区6,f4音区8、c4音区5、e4音区7和g4音区9的中部均设置有中部内凹的弧形的环绕音区音槽。

本新型多音阶手碟还包括扩展音区,扩展音区设置在a4音区10和ding音区2之间。扩展音区包括c5音区11、d5音区12以及e5音区13,c5音区11、d5音区12以及e5音区13均为椭圆形,且c5音区11、d5音区12以及e5音区13中部均设置有中部内凹的弧形的扩展音区音槽。

c5音区11位于a4音区10和ding音区2之间,且c5音区的长轴的两端分别指向ding音区2和a4音区10。d5音区12和e5音区13分别位于c5音区11的两侧,且d5音区12和e5音区13的长轴均指向c5音区11。c5音区11与a4音区10的距离、c5音区11与ding音区2的距离以及ding音区2与a3音区3的距离均相等。

ding音区2的长轴的长度为17.5cm,短轴的长度为12.5cm,ding音区敲击部也为椭圆形,且ding音区敲击部的长轴与ding音区2的长轴重合,ding音区敲击部的长轴的长度为9.5cm,短轴的长度为7cm,ding音区敲击部高度为1.7cm。ding音区2的基础音为d3,8度泛音为d4,5度泛音为a4。

a3音区3的长轴的长度为14.5cm,短轴的长度为10.5cm,环绕音区音槽的深度为0.8cm,a3音区3的基础音为a3,8度泛音为a4,5度泛音为e5。a3音区3与ding音区2的间距为3.5cm。

bb3音区4的长轴长度为13cm,短轴的长度为10cm,环绕音区音槽的深度为0.8cm,bb3音区4的基础音为bb3,8度泛音为bb4,5度泛音为f5。bb3音区4与a3音区3的间距为4cm。

c4音区5的长轴的长度为12.5cm,短轴的长度为9.5cm,环绕音区音槽的深度为0.7cm,c4音区5的基础音为c4,8度泛音为c5,5度泛音为g5。c4音区5与a3音区3的间距为4cm。

d4音区6的长轴的长度为11.5cm,短轴的长度为9cm,环绕音区音槽的深度为0.6cm,d4音区6的基础音为d4,8度泛音为d5,5度泛音为a5。d4音区6与bb3音区4的间距为3cm。

e4音区7的长轴的长度为10.5cm,短轴的长度为8.5cm,环绕音区音槽的深度为0.6cm,e4音区7的基础音为e4,8度泛音为e5,5度泛音为b5。e4音区7与c4音区5的间距为4cm。

f4音区8的长轴的长度为11cm,短轴的长度为8cm,环绕音区音槽的深度为0.5cm,f4音区8的基础音为f4,8度泛音为f5,5度泛音为c6。f4音区8与d4音区6的间距为4.5cm。

g4音区9的长轴的长度为10cm,短轴的长度为7cm,环绕音区音槽的深度为0.4cm,g4音区9的基础音为g4,8度泛音为g5,5度泛音为d6。g4音区9与e4音区7的间距为4.5cm。

a4音区10的长轴的长度为9cm,短轴的长度为6.8cm,环绕音区音槽的深度为0.35cm,a4音区10的基础音为a4,8度泛音为a5,5度泛音为e6。a4音区10与f4音区8的间距为3.5cm,a4音区10与g4音区9的间距为3cm。

c5音区11的长轴的长度为8.5cm,短轴的长度为6cm,环绕音区音槽的深度为0.3cm,c5音区11的基础音为c5,8度泛音为c6,5度泛音为f6。c5音区11与a4音区10的间距为3.5cm,c5音区11与ding音区2的距离为3.5cm。

d5音区12的长轴的长度为7.8cm,短轴的长度为5.8cm,环绕音区音槽的深度为0.3cm,d5音区12的基础音为d5,8度泛音为d6,5度泛音为g6。d5音区12与c5音区11的间距为3cm,d5音区12与d4音区6的间距为3cm,d5音区12与bb3音区4的间距为10cm。

e5音区13的长轴的长度为7.5cm,短轴的长度为5.5cm,环绕音区音槽的深度为0.3cm,e5音区13的基础音为e5,8度泛音为e6,5度泛音为a6。e5音区13和c5音区11的距离为3cm,e5音区13与e4音区7的间距为3cm,e5音区13与c4音区5的间距为7cm。

如图2所示:手碟主体1的下侧中部设置有gu音孔14,gu音孔14为圆形孔,环绕gu音孔14的内沿设置有朝向手碟主体1内的内翻边1401,内翻边1401的截面为中部朝向gu音孔14中心方向凸出的半圆形,gu音孔14的直径为10cm,内翻边14形成的圆筒的中部的直径为7cm,gu音孔14口边沿内翻,更符合人体工程学,改善了过去边沿割手的问题。

本新型多音阶手碟的ding音区2摆放位置大幅度向a3音区3偏移,为拓宽音域而增加的音阶预留出足够的调音和共振空间,有效改善了市面上同类产品因ding音区2摆放于手碟正中心,导致预留空间不足而出现的音不准、音阶模糊不清、音区之间互相串音等问题。

ding音区2的8度泛音朝向变为向右,并用外部锻打塑型技术,将音区边界牢固锁定,有效改善了市面上同类产品ding音区2经常发生与d4音区6相互串音、音准难以持久保持的问题。ding音区2与a3音区3的距离缩短到3.5cm,这样做除了为扩展音区预留更多的空间之外,还能有效照顾到手小的演奏者,可以更加轻松的在两个低音区之间来回切换击打。

ding音区2的ding音区敲击部的中心位置利用磨具从外部打磨,使ding音区敲击部的厚度为0.3mm,使得ding音区2整体共振效果更佳,并在一定娴熟的演奏技巧下可以通过手指摩擦而带动整个手碟乐器发出悦耳并独特的共鸣音。

ding音区2、环绕音区以及扩展音区的排列方式具有如下优点:1)手指自然下垂时,刚好对应的就是最佳合声打击点,因此手感的反馈会更加清晰,对新手则更易于掌握操作;2)音区摆放空间更均匀合理,使得乐器整体受力、共振、延音更加均衡,整体音色效果更加空灵、清透;3)每个音区的5度或8度泛音的激发位置更具规则和统一性,鼓手在演奏泛音时,不再需要每次都要寻找泛音位置,实现了一击即中的盲打;4)扩展音区便于鼓手在快节奏演奏中瞬间找出需要的音阶,有效降低出错率。

本发明还提供了一种上述的新型多音阶手碟的制作方法,手碟主体1通过外部锻打和塑形工艺制作,对一次淬火后的手碟主体1进行粗调音,然后再进行二次淬火,对二次淬火后的手碟主体1进行精确调音后再进行三次淬火。

通过钢锤沿着音区边界持续锻打,使其音区的金属应力更均匀,通过锻打提拉的过程,使局部支撑力更强,同时形成一个锁音环,牢牢的把音准镶嵌在音区里面,强硬的锻打塑型边界,也有效的提高了乐器的耐用性。

一次淬火的温度为400℃,淬火时间为120min;二次淬火的温度为300℃,淬火时间为180min;三次淬火的温度为1400~1600℃,淬火时间为3min。通过三次不同调音阶段的淬火工艺之后,使手碟主体1的音色会更加稳定、清脆和附有一定程度的颗粒感,混响效果明显提升,乐器演奏中也更加具有张力,舞台效果更佳。

在调音时,采用8个方向的调音方式,会令音准精确到5个音分之内,延音时长4s,基础音与泛音的和弦更加融洽,在无制音的情况下,不管打到音区哪个位置都会是饱满的和弦声,而在有制音的情况下,打出的泛音明亮清晰,击打的同时,制音的手指加力按压5度泛音点,会出现独有的类似“揉弦”的声音。

以上所述,仅是本发明的较佳实施例而已,并非是对本发明作其它形式的限制,任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型,仍属于本发明技术方案的保护范围。

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