一种高性能消声结构的制作方法

本实用新型涉及声学技术领域，尤其涉及一种高性能消声结构。

背景技术：

在民用及工业声学实验室及降噪场合，常常会遇到需要开设洞口的情况，根据声学理论，开设洞口将大大降低构件的隔声量。通常这些洞口需要设置阻性消声通道，以降低洞口传递的噪声。但阻性消声通道存在只能降低中高频噪声，且在现场尺寸有限的情况下，消声通道无法做的很长，难以满足降噪的需求；这是本领域技术人员所不希望看到的。

技术实现要素：

针对上述存在的问题，本实用新型公开了一种高性能消声结构，其中，包括外筒体、共振吸声层和内筒体；

所述外筒体的左右两端设置有开口，所述内筒体同轴设置于所述外筒体中，所述外筒体的四周内壁上均设置有共振吸声层，且所述内筒体和所述共振吸声层之间均设置有多孔吸声材料层；

所述内筒体由穿孔护面板拼接而成，所述共振吸声层由穿孔板共振吸声结构、薄板共振吸声结构和单腔共振吸声结构中的一种、二种或三种拼接而成。

上述的高性能消声结构，其中，所述外筒体为矩形筒体。

上述的高性能消声结构，其中，位于所述矩形筒体四周内壁上的各共振吸声层均相同。

上述的高性能消声结构，其中，所述共振吸声层包括沿所述矩形筒体的一端到另一端依次设置的至少一个第一共振吸声单元，所述第一共振吸声单元包括沿所述矩形筒体的轴向方向依次设置的穿孔板共振吸声结构、薄板共振吸声结构、穿孔板共振吸声结构、单腔共振吸声结构和穿孔板共振吸声结构。

上述的高性能消声结构，其中，所述共振吸声层包括沿所述矩形筒体的轴向方向依次设置的多个穿孔板共振吸声结构。

上述的高性能消声结构，其中，所述共振吸声层包括沿所述矩形筒体的轴向方向依次设置的薄板共振吸声结构。

上述的高性能消声结构，其中，所述共振吸声层包括沿所述矩形筒体的轴向方向依次设置的多个单腔共振吸声结构。

上述的高性能消声结构，其中，位于所述矩形筒体的四周侧壁上的各共振吸声层均不同。

上述的高性能消声结构，其中，所述多孔吸声材料层为玻璃纤维吸声棉、聚酯纤维吸声棉或三聚氰胺吸声棉。

上述的高性能消声结构，其中，所述穿孔护面板的穿孔率大于20％。

上述实用新型具有如下优点或者有益效果：

本实用新型公开了一种高性能的消声结构，通过于外筒体内同轴设置有由穿孔护面板拼接而成的内筒体，并于外筒体的四周内壁上均设置有共振吸声层，且于该内筒体和共振吸声层之间均设置有多孔吸声材料层，该共振吸声层由穿孔板共振吸声结构、薄板共振吸声结构和单腔共振吸声结构中的一种、二种或三种拼接而成；与现有的阻性消声结构相比，该结构具有全频带的消声性能，能够实现低频、中频、高频均较强的吸声特性，可缩短现有消声结构尺寸，提高其消声量，具有良好的操作性及适应性。同时该消声结构还具有材料可更换、不同性能的吸声结构可调整、安装方便等优点。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本实用新型的主旨。

图1a是本实用新型实施例中共振吸声层为a拼接方式的结构示意图；

图1b是本实用新型实施例中共振吸声层为b拼接方式的结构示意图；

图1c是本实用新型实施例中共振吸声层为c拼接方式的结构示意图；

图1d是本实用新型实施例中共振吸声层为d拼接方式的结构示意图；

图2是本实用新型实施例一中高性能消声器的剖视图；

图3是本实用新型实施例一中高性能消声器的结构示意图；

图4是本实用新型实施例一中高性能消声器的应用结构示意图；

图5是4中1-1处的剖视图；

图6是本实用新型实施例二中高性能消声器的结构示意图；

图7是本实用新型实施例三中高性能消声器的结构示意图；

图8是本实用新型实施例四中高性能消声器的结构示意图；

图9是本实用新型实施例五中高性能消声器的结构示意图。

具体实施方式

本实用新型公开了一种高性能消声结构，包括外筒体、共振吸声层和内筒体；外筒体的左右两端设置有开口，内筒体同轴设置于外筒体中，外筒体的四周内壁上均设置有共振吸声层，且内筒体和共振吸声层之间均设置有多孔吸声材料层；内筒体由穿孔护面板拼接而成，共振吸声层由穿孔板共振吸声结构20、薄板共振吸声结构30和单腔共振吸声结构40中的一种、二种或三种拼接而成；如图1a所示，共振吸声层为a拼接方式时，该共振吸声层包括沿外筒体的一端到另一端依次设置的至少一个第一共振吸声单元(图中仅示出一个第一共振吸声单元的情况，如果设置两个以上的第一共振吸声单元，只需要将两个或多个第一共振吸声单元拼接在一起即可)，且该第一共振吸声单元包括沿外筒体的轴向方向依次设置的穿孔板共振吸声结构20、薄板共振吸声结构30、穿孔板共振吸声结构20、单腔共振吸声结构40和穿孔板共振吸声结构20，即图1a中的共振吸声层由穿孔板共振吸声结构20、薄板共振吸声结构30和单腔共振吸声结构40三种拼接而成，该共振吸声层适用于宽频带噪声消声。而图1b、1c、1d中的共振吸声层则均由穿孔板共振吸声结构20、薄板共振吸声结构30和单腔共振吸声结构40中的其中一种拼接而成，具体的，如图1b所示，共振吸声层为b排列方式，该共振吸声层包括沿外筒体的轴向方向依次设置的多个穿孔板共振吸声结构20，该共振吸声层适用于中高频为宽带噪声，低频部分为主要为50～200hz的噪声消声；如图1c所示，共振吸声层为c排列方式，该共振吸声层包括沿外筒体的轴向方向依次设置的多个薄板共振吸声结构30，该共振吸声层适用于中高频为宽带噪声，低频部分主要为80～300hz的噪声消声；如图1d所示，共振吸声层为d排列方式，该共振吸声层包括沿外筒体的轴向方向依次设置的单腔共振吸声结构40，该共振吸声层适用于中高频为宽带噪声，低频部分为主要为125～250hz噪声消声。当然该共振吸声层也可由穿孔板共振吸声结构20、薄板共振吸声结构30和单腔共振吸声结构40中的二种拼接而成，例如该共振吸声层由穿孔板共振吸声结构20和薄板共振吸声结构30拼接而成，或由穿孔板共振吸声结构20和单腔共振吸声结构40、或由薄板共振吸声结构30和单腔共振吸声结构40拼接而成(图中未示意出)。该高性能消声结构在较短的尺寸情况下，即可达到低频、中频、高频噪声均有良好的消声性能，在与传统阻性消声通道长度相当的情况下，其消声量远超传统阻性消声通道，在实际使用中，可降低消声通道的长度，提高消声通道的声学性能，同时，该高性能消声结构也可用于无需物料进出的场合作为高性能消声器使用。在需要较小尺寸及高声学指标的物料及气流通道场合，其作为消声通道及消声器，有较高的适用性。

下面结合附图和具体的实施例对本实用新型作进一步的说明，但是不作为本实用新型的限定。

实施例一：

如图1a、图2～5所示，本实施例公开了一种高性能消声结构，可应用于安装在隔声结构的穿墙洞口中，具体的，该高性能消声结构包括外筒体10、共振吸声层和内筒体60；该外筒体10为矩形筒体，且外筒体10的左右两端设置有开口，该内筒体60同轴设置于外筒体10中，该外筒体10的四周内壁上均设置有共振吸声层，且该内筒体60和共振吸声层之间均设置有多孔吸声材料层50；该内筒体60由穿孔护面板拼接而成，位于该矩形筒体四周内壁上的各共振吸声层均为图1a所示的a拼接方式，即位于该矩形筒体四周内壁上的各共振吸声层(该矩形筒体为卧式，位于该矩形筒体四周内壁上的各共振吸声层分别为位于矩形筒体上部内壁上的共振吸声层、位于矩形筒体下部内壁上的共振吸声层、位于矩形筒体前部内壁上的共振吸声层和位于矩形筒体后部内壁上的共振吸声层)均包括沿矩形筒体的一端到另一端依次设置的至少一个第一共振吸声单元(图中仅示出一个第一共振吸声单元的情况，如果设置两个以上的第一共振吸声单元，只需要将两个或多个第一共振吸声单元拼接在一起即可)，且该第一共振吸声单元包括沿矩形筒体的轴向方向依次设置的穿孔板共振吸声结构20、薄板共振吸声结构30、穿孔板共振吸声结构20、单腔共振吸声结构40和穿孔板共振吸声结构20；其中，穿孔板共振吸声结构20由穿孔板及后部的空腔组成，其可以吸收低频、中频噪声；该薄板共振吸声结构30由薄板及后部的空腔组成，其可以降低低频、中频噪声，该单腔共振吸声可以降低低频特别是单频噪声，该多孔吸声材料层50可以降低中频、高频噪声，该高性能消声结构由于综合了多孔吸声材料层50、穿孔板共振吸声结构20、薄板共振吸声结构30和单腔共振吸声结构40的原理，可实现低频、中频、高频均较强的吸声特性，适用于宽频带噪声消声。可在小尺寸情况下满足较高的消声量，同时同样长度的情况下，其消声量远超传统的消声结构。可用于替换传统的消声通道及消声器。在采用该高性能消声结构后，可减少消声结构的尺寸，增强消声结构的消声量，扩大使用范围，提高消声通道及消声器的广泛适用性。

其中，内筒体60内的空腔70为物料或气流通道，在允许物料或气流通过的情况下，可降低所传递的噪声。

在本实用新型的一个优选的实施例中，上述多孔吸声材料层50为玻璃纤维吸声棉、聚酯纤维吸声棉或三聚氰胺吸声棉。

在本实用新型的一个优选的实施例中，上述穿孔护面板的穿孔率大于20％。

实施例二：

如图1b和图6所示，本实施例与实施例一大致相同，其区别仅在于本实施例中位于矩形筒体四周内壁上的各共振吸声层均为图1b所示的b拼接方式，即位于该矩形筒体四周内壁上的各共振吸声层均包括沿矩形筒体的轴向方向依次设置的多个穿孔板共振吸声结构20，由于穿孔板共振吸声结构20可以吸收低频、中频噪声，多孔吸声材料层50可以降低中频、高频噪声，该高性能消声结构由于综合了多孔吸声材料层50、穿孔板共振吸声结构20的原理，可实现低频、中频、高频均较强的吸声特性，特别适用于中高频为宽带噪声，低频部分主要为50～200hz的噪声消声，且由于本实施例的共振吸声层结构单一，因此制备更加方便，从而降低了成本。

实施例三：

如图1c和图7所示，本实施例与实施例一大致相同，其区别仅在于本实施例中位于矩形筒体四周内壁上的各共振吸声层均为图1c所示的c拼接方式，即位于该矩形筒体四周内壁上的各共振吸声层均包括沿矩形筒体的轴向方向依次设置的多个薄板共振吸声结构30，由于薄板共振吸声结构30可以降低低频、中频噪声，多孔吸声材料层50可以降低中频、高频噪声，因此该高性能消声结构综合了多孔吸声材料层50、薄板共振吸声结构30的原理，可实现低频、中频、高频均较强的吸声特性，特别适用于中高频为宽带噪声，低频部分主要为80～300hz的噪声消声；且由于本实施例的共振吸声层结构单一，因此制备更加方便，从而降低了成本。

实施例四：

如图1d和图8所示，本实施例与实施例一大致相同，其区别仅在于本实施例中位于矩形筒体四周内壁上的各共振吸声层均为图1d所示的d拼接方式，即位于该矩形筒体四周内壁上的各共振吸声层均包括沿矩形筒体的轴向方向依次设置的多个单腔共振吸声结构40，由于单腔共振吸声结构40可以降低低频、特别是单频噪声，多孔吸声材料层50可以降低中频、高频噪声，因此该高性能消声结构综合了多孔吸声材料层50、单腔共振吸声结构40的原理，可实现低频、中频、高频均较强的吸声特性，特别适用于中高频为宽带噪声，低频部分为主要为125～250hz的噪声消声；且由于本实施例的共振吸声层结构单一，因此制备更加方便，从而降低了成本。

实施例五：

如图1a～1d和图9所示，本实施例与实施例一大致相同，其区别仅在于本实施例中位于矩形筒体四周内壁上的各共振吸声层(该矩形筒体为卧式，位于该矩形筒体四周内壁上的各共振吸声层分别为位于矩形筒体上部内壁上的共振吸声层、位于矩形筒体下部内壁上的共振吸声层、位于矩形筒体前部内壁上的共振吸声层和位于矩形筒体后部内壁上的共振吸声层)均不同，具体的，位于该矩形筒体上部内壁上的共振吸声层为a拼接方式，位于该矩形筒体下部内壁上的共振吸声层为c拼接方式，位于该矩形筒体前部的共振吸声层为b拼接方式，位于该矩形筒体后部的共振吸声层为d拼接方式，该实施例综合了a拼接方式、b拼接方式、c拼接方式和d拼接方式的优势，可实现低频、中频、高频均较强的吸声特性，适用于宽频带噪声消声，并特别适用于中高频为宽带噪声，低频部分主要为50～300hz的噪声消声。

在此，需要说明的是，在本实用新型中，共振吸声层中可以为穿孔板共振吸声结构，薄板共振吸声结构，单腔共振吸声结构中的其中一种、两种或三种自由组合拼接，位于矩形筒体四周内壁上的各共振吸声层也可以由不同或相同的共振吸声层自由组合，以适用不同声学要求的场合。

本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现变化例，在此不做赘述。这样的变化例并不影响本实用新型的实质内容，在此不予赘述。

以上对本实用新型的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本实用新型并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本实用新型技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本实用新型技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本实用新型的实质内容。因此，凡是未脱离本实用新型技术方案的内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本实用新型技术方案保护的范围内。

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