显示装置以及阵列基板的制作方法

本发明涉及显示装置以及阵列基板。

背景技术：

近年来，使用无机发光二极管(微型led(microled))作为显示元件的无机el显示器受到关注(例如，参照专利文献1)。在无机el显示器中，射出不同颜色的光的多个发光元件排列于阵列基板上。由于无机el显示器使用自发光元件，因此不需要光源，并且由于光不经由彩色滤光片射出，因此光的利用率高。另外，与使用了有机发光二极管(oled：organiclightemittingdiode：有机发光二极管)作为显示元件的有机el显示器相比，无机el显示器具有优异的耐环境性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2017-529557号公报

技术实现要素：

发明要解决的课题

在无机el显示器中，由于静电等电磁噪声，无机发光二极管有可能会被破坏而不发光。

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于，提供一种显示装置以及阵列基板，其能够提高对于静电等电磁噪声的耐性(以下称为esd(electro-staticdischarge：静电释放)耐性)。

解决课题的方法

基于一方式的显示装置具备：基板；多个像素，排列于所述基板；无机发光元件，设置在所述多个像素的每一个中；透光性的电极，设置在所述基板的一面侧，并与所述无机发光元件连接；透光性的第一导电层，设置在所述基板的一面侧，并覆盖所述电极；以及透光性的罩部件，设置在所述基板的一面侧，并覆盖所述第一导电层，所述第一导电层的薄层电阻值比所述电极的薄层电阻值高。

基于一方式的阵列基板，安装有多个无机发光元件，具备：基板；晶体管，设置在所述基板的一面侧，并与所述无机发光元件连接；以及布线，设置在所述基板的一面侧，并用于供给电源，在所述晶体管与所述无机发光元件之间形成有第一电容，在所述布线与所述无机发光元件之间形成有第二电容。

附图说明

图1是示出实施方式1所涉及的显示装置的构成例的俯视图。

图2是示出实施方式1所涉及的像素的构成例的俯视图。

图3是示出实施方式1所涉及的像素电路的构成例的电路图。

图4是示出实施方式1所涉及的显示装置的构成例的剖视图。

图5是将实施方式1所涉及的显示装置中的无机发光元件和与无机发光元件连接的晶体管放大示出的剖视图。

图6是示出实施方式1所涉及的无机发光元件的构成例的剖视图。

图7是示出实施方式1的变形例所涉及的显示装置的剖视图。

图8是示出实施方式1的变形例所涉及的显示装置的俯视图。

图9是示出实施方式2所涉及的显示装置的构成例的剖视图。

图10是示出实施方式2的变形例所涉及的显示装置的剖视图。

图11是示出实施方式3所涉及的显示装置的构成例的剖视图。

图12是示出实施方式3的变形例所涉及的显示装置的剖视图。

图13是示出实施方式3的变形例所涉及的显示装置的俯视图。

图14是示出实施方式4所涉及的显示装置的构成例的剖视图。

图15是示出实施方式4所涉及的像素的构成例的俯视图。

图16是示出实施方式5所涉及的无机发光元件的构成例的剖视图。

图17是示出实施方式的变形例所涉及的像素电路的电路图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的各实施方式进行说明。需要说明的是，公开内容仅是一个示例，本领域技术人员容易想到的保持发明主旨的适当变更当然也包含在本发明的范围内。另外，附图为了使说明更加明确，与实际的方式相比，有时示意性地表示各部分的宽度、厚度、形状等，但仅是一个示例，并不限定本发明的解释。另外，在本说明书和各附图中，有时对于与已出现的附图中的上述要素相同的要素标注相同的附图标记，并适当省略详细的说明。

(实施方式1)

图1是示出实施方式1所涉及的显示装置的构成例的俯视图。如图1所示，显示装置1包括基板10、像素pix、驱动电路12、驱动ic(integratedcircuit：集成电路)210以及阴极布线60。

如图1所示，显示装置1具有显示区域aa和周边区域ga。显示区域aa是配置有多个像素pix的区域，是显示图像的区域。周边区域ga是不与多个像素pix重叠的区域，位于显示区域aa的外侧。

多个像素pix在显示区域aa中，向第一方向dx以及第二方向dy排列。需要说明的是，第一方向dx以及第二方向dy是与基板10的一面10a(参照图4)平行的方向。第一方向dx与第二方向dy正交。但是，第一方向dx也可以不与第二方向dy正交而是交叉。第三方向dz是与第一方向dx以及第二方向dy正交的方向。例如，与基板10的法线方向对应。需要说明的是，以下，俯视表示从第三方向dz观察时的位置关系。

驱动电路12是基于来自驱动ic210的各种控制信号来驱动多条栅极线(第一栅极线gcl1以及第二栅极线gcl2(参照图3))的电路。驱动电路12依次或同时选择多条栅极线，并向所选择的栅极线供给栅极驱动信号。由此，驱动电路12选择与栅极线连接的多个像素pix。

驱动ic210是控制显示装置1的显示的电路。驱动ic210也可以作为cog(chiponglass：玻璃上的芯片)安装在基板10的周边区域ga。但并不限定于此，驱动ic210也可以作为cof(chiponfilm：膜上的芯片)安装在与基板10的周边区域ga连接的柔性印刷基板或刚性基板上。

阴极布线60设置在基板10的周边区域ga。阴极布线60围绕显示区域aa的多个像素pix以及周边区域ga的驱动电路12而设置。多个无机发光元件100(参照图4)的阴极与共同的阴极布线60连接，例如被供给接地电位。更具体而言，无机发光元件100的阴极端子55p(第二端子)经由tft(薄膜晶体管)基板侧的阴极电极55e(第二电极)与阴极布线60连接。

图2是示出实施方式1所涉及的像素的构成例的俯视图。如图2所示，一个像素pix包括多个像素49。例如，像素pix具有第一像素49r、第二像素49g以及第三像素49b。第一像素49r显示原色红色作为第一颜色。第二像素49g显示原色绿色作为第二颜色。第三像素49b显示原色蓝色作为第三颜色。如图2所示，在一个像素pix中，第一像素49r和第三像素49b在第一方向dx上排列。另外，第二像素49g和第三像素49b在第二方向dy上排列。需要说明的是，第一颜色、第二颜色、第三颜色分别不限于红色、绿色、蓝色，能够选择补色等任意的颜色。以下，在不需要分别区分第一像素49r、第二像素49g、第三像素49b的情况下，称为像素49。

像素49分别具有无机发光元件100。显示装置1通过在第一像素49r、第二像素49g以及第三像素49b中每个无机发光元件100射出不同的光而显示图像。无机发光元件100是在俯视观察时具有3μm以上且300μm以下左右的大小的无机发光二极管(led：lightemittingdiode：发光二极管)芯片，被称为微型led(microled)。在各像素中具备微型led的显示装置也被称为微型led显示装置。需要说明的是，微型led的微型并不限定无机发光元件100的大小。

图3是示出实施方式1所涉及的像素电路的构成例的电路图。如图3所示，像素49具有用于驱动像素49的像素电路pic。像素电路pic例如具有用于开关的晶体管tr1、用于电流切换的晶体管tr2、tr4、用于驱动的晶体管tr3以及无机发光元件100。晶体管tr1至tr4和后述的晶体管tr5(参照图4)分别是薄膜晶体管(thinfilmtransistor：薄膜晶体管，以下称为tft)。

晶体管tr1的栅极与第一栅极线gcl1连接，源极与信号线sgl连接，漏极与晶体管tr3的栅极连接。晶体管tr2的栅极与第一栅极线gcl1连接，源极与信号线sgl连接，漏极与晶体管tr3的源极和晶体管tr4的漏极连接。晶体管tr3的栅极与晶体管tr1的漏极连接，源极与晶体管tr2、tr4的各个漏极连接，漏极与无机发光元件100的阳极连接。晶体管tr4的栅极与第二栅极线gcl2连接，源极与电源线lvdd连接，漏极与晶体管tr2的漏极和晶体管tr3的源极连接。

第一电容cs1的一端与晶体管tr1的漏极和晶体管tr3的栅极连接，另一端与晶体管tr3的漏极和无机发光元件100的阳极连接。第二电容cs2的一端与电源线lvdd连接，另一端与无机发光元件100的阳极连接。为了抑制由晶体管tr1的寄生电容和漏电流引起的栅极电压的变动，第一电容cs1以及第二电容cs2被附加于像素49。无机发光元件100的阴极电极55经由阴极布线60与固定电位连接。作为固定电位，可以例示出接地电位。

电源线lvdd与恒定电压源连接。电源线lvdd向晶体管tr4的源极和第二电容cs2的一端供给直流的恒定电压vdd。信号线sgl与恒定电流源连接。信号线sgl向晶体管tr1、tr2的各个源极供给直流的恒定电流idata。第一栅极线gcl1和第二栅极线gcl2与驱动电路12(参照图1)连接。

若显示装置1将第一栅极线gcl1的电位设为高(high)，将第二栅极线gcl2的电位设为低(low)，则晶体管tr1、tr2导通(on)，晶体管tr4关断(off)。由此，从信号线sgl向无机发光元件100供给恒定电流idata。若显示装置1将第一栅极线gcl1的电位设为低，将第二栅极线gcl2的电位设为高，则晶体管tr1、tr2关断(off)，晶体管tr4导通(on)。由此，从电源线lvdd向无机发光元件100供给恒定电压vdd。

图4是示出实施方式1所涉及的显示装置的构成例的剖视图。图4示出了将图1所示的俯视图以iv-iv’线切断后的剖面。图5是将实施方式1所涉及的显示装置中的无机发光元件和与无机发光元件连接的晶体管放大示出的剖视图。如图4以及图5所示，显示装置1具备：基板10；底涂层20，设置在基板10的一面10a上；以及多个晶体管，设置在底涂层20上。例如，在基板10的显示区域aa中，作为多个晶体管，分别设置有像素49所包括的晶体管tr1、tr2、tr3、tr4。在基板10的周边区域ga，作为多个晶体管，设置有驱动电路12所包括的晶体管tr5。

基板10例如是玻璃基板、石英基板，或者是由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(pet树脂)、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂(pen树脂)、环烯烃聚合物树脂(cop树脂)或环氧树脂制成的柔性基板。另外，晶体管tr1至tr5例如是双面栅极结构的tft。晶体管tr1至tr5分别具有：第一栅极电极21，设置在底涂层20上；绝缘膜24，设置在底涂层20上并覆盖第一栅极电极21；半导体层25，设置在绝缘膜24上；绝缘膜29，设置在半导体层25上；以及第二栅极电极31，设置在绝缘膜29上。绝缘膜24、29是无机绝缘膜。在第三方向dz上，第一栅极电极21与第二栅极电极31隔着绝缘膜24、半导体层25以及绝缘膜29而相对。在绝缘膜24、29中，被第一栅极电极21和第二栅极电极31夹着的部分作为栅极绝缘膜发挥功能。另外，在半导体层25中，被第一栅极电极21和第二栅极电极31夹着的部分成为tft的沟道27。在半导体层25中，与后述的源极电极41s连接的部分是tft的源极，与后述的漏极电极41d连接的部分是tft的漏极。

需要说明的是，在实施方式1中，晶体管tr1至tr5并不限定于双面栅极结构。晶体管tr1至tr5也可以是栅极电极仅由第一栅极电极21构成的底部栅极型。另外，晶体管tr1至tr5也可以是栅极电极仅由第二栅极电极31构成的顶部栅极型，另外，也可以没有底涂层20。

另外，显示装置1具备：绝缘膜35，设置在基板10的一面上并覆盖多个晶体管tr1至tr5；源极电极41s，贯穿绝缘膜35并与多个晶体管tr1至tr5的各个源极连接；漏极电极41d，贯穿绝缘膜35并与多个晶体管tr1至tr5的各个漏极连接；阴极布线60，设置在绝缘膜35上；以及绝缘膜42，覆盖源极电极41s、漏极电极41d以及阴极布线60。绝缘膜35是无机绝缘膜，绝缘膜42是有机绝缘膜。

另外，显示装置1具备：源极连接布线43s，贯穿绝缘膜42并与源极电极41s连接；漏极连接布线43d，贯穿绝缘膜42并与漏极电极41d连接；以及绝缘膜45，设置在绝缘膜42上并覆盖源极连接布线43s和漏极连接布线43d。另外，显示装置1具备设置在绝缘膜45上的阳极电极50e(第一电极)。阳极电极50e贯穿绝缘膜45并与晶体管tr3的漏极连接布线43d连接。

另外，显示装置1具备：绝缘膜70，设置在绝缘膜45上并覆盖阳极电极50e的侧面；绝缘性的平坦化层80，设置在绝缘膜70上并覆盖无机发光元件100的侧面；以及阴极电极55e(第二电极)，设置在平坦化层80上。绝缘膜70是无机绝缘膜。平坦化层80是透光性的有机绝缘膜或无机有机杂化绝缘膜(在si-o主链上例如结合有有机基团(甲基或苯基)的材料)。

无机发光元件100的上表面从平坦化层80露出。阴极电极55e在无机发光元件100中与从平坦化层80露出的上表面(阴极端子55p)连接。另外，在周边区域ga中，在平坦化层80以及绝缘膜70、45、42设置有将阴极布线60作为底面的接触孔h11。阴极电极55从平坦化层80的上表面通过接触孔h11的内侧面与阴极布线60连接。

另外，显示装置1具备：透光性的粘接层150，设置在平坦化层80上并覆盖阴极电极55e；以及罩部件160，设置在粘接层150上。粘接层150配置在包括接触孔h11内的基板10的一面10a侧，使基板10的一面10a侧平坦化。粘接层150是导电性的树脂，例如是ocr(opticalclearresin：光学透明树脂)或oca(opticalclearadhesive：光学胶)。粘接层150的薄层电阻值比阴极电极55e的薄层电阻值高。例如，粘接层150的薄层电阻值比阴极电极55e的薄层电阻值高两位数以上。粘接层150的薄层电阻值为大于10kω/□且在10¹²ω/□以下。粘接层150在接触孔h11的底部经由阴极电极55e与阴极布线60连接。阴极布线60与接地电位连接。

罩部件160是玻璃基板或树脂基板等具有透光性的基板。在罩部件160为玻璃基板的情况下，罩部件160也被称为罩玻璃。

在显示装置1中，阵列基板2包括从基板10到阳极电极50e的各层。在阵列基板2中不包括绝缘膜70、平坦化层80、阴极电极90e、无机发光元件100、粘接层150以及罩部件160。阵列基板2是用于驱动各像素pix的驱动电路基板，也被称为背板或有源矩阵基板。

对形成于基板10的一面10a侧的各层的材料进行说明。第一栅极电极21、第二栅极电极31、源极电极41s、漏极电极41d、源极连接布线43s、漏极连接布线43d、阳极电极50e、阴极电极55e以及阴极布线60例如由钛(ti)、钼(mo)、钨(w)、钽(ta)、铌、铟锡氧化物(ito)、铝(al)、al合金、银(ag)、ag合金、铜(cu)、cu合金、碳纳米管、石墨、石墨烯或碳纳米棒构成。第一栅极电极21、第二栅极电极31、源极电极41s、漏极电极41d、源极连接布线43s、漏极连接布线43d、阳极电极50、阴极电极55以及阴极布线60可以是单层膜，也可以是层叠膜。

半导体层25例如由非晶硅、微晶氧化物半导体、非晶氧化物半导体、多晶硅、低温多晶硅(以下表示为ltps(lowtemperaturepolycrystallinesilicone：低温多晶硅))或氮化镓(gan)构成。作为氧化物半导体，可以例示出igzo、氧化锌(zno)、itzo。igzo是铟镓锌氧化物。itzo是铟锡锌氧化物。

绝缘膜24、29、35、45、70例如由氧化硅膜(sio2)、氮化硅膜(sin)、氮氧化硅膜(sion)等无机绝缘材料构成。绝缘膜24、29、45、70并不限定于单层膜，也可以是层叠膜。特别是，绝缘膜70可以是氧化铝(al2o3)。绝缘膜42例如由丙烯酸树脂或环氧树脂等有机绝缘材料构成。绝缘膜42也不限定于单层膜，也可以是层叠膜。平坦化层80由环氧树脂、有机硅树脂等有机绝缘材料，或者无机有机杂化绝缘膜(在si-o主链上例如结合有有机基团(甲基或苯基)的材料)构成。

图6是示出实施方式1所涉及的无机发光元件的构成例的剖视图。如图6所示，无机发光元件100具有多个部分发光元件100s、覆盖多个部分发光元件100s的保护层108、p型电极104(包括阳极端子50p)以及n型电极105(包括阴极端子55p)。多个部分发光元件100s在p型电极104与n型电极105之间分别形成为柱状。多个部分发光元件100s具有n型包覆层103、活性层102、p型包覆层101。n型电极105与n型包覆层103电连接。p型电极104与p型包覆层101电连接。p型包覆层101、活性层102、n型包覆层103、n型电极105依次层叠在p型电极104上。

n型包覆层103、活性层102以及p型包覆层101是发光层，例如使用氮化镓(gan)、铝铟磷(alinp)等化合物半导体。

n型电极105是ito等透光性的导电性材料。n型电极105是无机发光元件100的阴极端子55p(第二端子)，与阴极电极55连接。另外，p型电极104是无机发光元件100的阳极端子50p(第一端子)，具有pt层104a以及通过镀敷而形成的厚膜au层104b。厚膜au层104b与阳极电极50的载置面50a连接。保护层108例如是sog(spinonglass：旋涂玻璃)。保护层108的侧面成为无机发光元件100的侧面100b。

如上所述，实施方式1所涉及的显示装置1具备：基板10；多个像素49，排列于基板10，并显示不同的颜色；无机发光元件100，设置在每个像素49中；透光性的阴极电极55e(电极)，设置在基板10的一面10a侧，并与无机发光元件100连接；透光性的粘接层150(第一导电层)，设置在基板10的一面10a侧，并覆盖阴极电极55e；以及透光性的罩部件160，设置在基板10的一面10a侧，并覆盖粘接层150。粘接层150的薄层电阻值比阴极电极55e的薄层电阻值高。

由此，从罩部件160侧施加于显示装置1的静电流过粘接层150。粘接层150的薄层电阻值比阴极电极55e的薄层电阻值高。因此，静电在流过粘接层150的过程中电压衰减。由此，显示装置1能够在短时间内除去静电，能够减少施加于无机发光元件100的静电。显示装置1能够提高esd耐性。

另外，粘接层150在接触孔h11的底部经由阴极电极55e与阴极布线60连接。阴极布线60与接地电位连接。由此，流过粘接层150的静电流动到接地电位侧，因此能够防止无机发光元件100由于静电等电磁噪声而被破坏。由此，显示装置1能够进一步提高esd耐性。

另外，粘接层150将罩部件160粘接至基板10的一面10a侧。由此，由于不需要用于粘接罩部件160的专用的粘接层，因此能够实现显示装置1的薄型化。

另外，如图5所示，显示装置1还具备：晶体管tr3，设置在基板10的一面10a侧，并与无机发光元件100连接；电源线lvdd布线)，设置在基板10的一面10a侧。在晶体管tr3与无机发光元件100之间形成有第一电容cs1。在电源线lvdd与无机发光元件100之间形成有第二电容cs2。由此，第一电容cs1以及第二电容cs2通过进行充电、放电，吸收施加于无机发光元件100的电压的变化。由此，第一电容cs1以及第二电容cs2能够保护无机发光元件100不受静电的电压变化的影响。

在上述的实施方式1中，说明了粘接层150具有导电性的情况。然而，在实施方式1中，粘接层150也可以是绝缘性的。在该情况下，也可以在粘接层150与罩部件160之间设置高电阻导电膜。

图7是示出实施方式1的变形例所涉及的显示装置的剖视图。图8是示出实施方式1的变形例所涉及的显示装置的俯视图。将图8以vii-vii’线切断后的剖面与图7对应。

如图7所示，显示装置1a具备遮光性的导电层260和高电阻导电膜265。在显示装置1a中，粘接层150设置在显示区域aa的阴极电极55e上，没有设置在周边区域ga的阴极电极55e上。

导电层260设置在周边区域ga的阴极电极55e上。导电层260具有接触孔h11，使基板10的一面10a侧平坦化。在显示区域aa与周边区域ga的边界附近，粘接层150的侧面与导电层260的侧面相接。

如图8所示，导电层260覆盖周边区域ga。例如，导电层260覆盖设置在周边区域ga的驱动电路12。导电层260是导电性黑矩阵。

高电阻导电膜265从显示区域aa的粘接层150上到周边区域ga的导电层260上连续地设置。另外，在高电阻导电膜265上设置有罩部件160。高电阻导电膜265分别与粘接层150、导电层260、罩部件160相接。高电阻导电膜265的薄层电阻值比阴极电极55e的薄层电阻值高。高电阻导电膜265的薄层电阻值为10¹²ω/□以下。高电阻导电膜265使用ito、izo(indiumzincoxide：氧化铟锌)、tno、有机膜等导电膜。

例如，高电阻导电膜265包括ito、izo、sno2、有机导电膜等。或者，高电阻导电膜265除了ito、izo、sno2各材料中的一种以上以外，还可以包含绝缘性氧化物。或者，高电阻导电膜265也可以是以氧化锡(sno2)以及二氧化硅(sio2)为主要成分的氧化物层、以氧化镓(ga2o3)、氧化铟(in2o3)以及氧化锡(sno2)为主要成分的氧化物层、以ito为主要材料且含有硅(si)的透光性的导电层等。

具体而言，作为构成高电阻导电膜265的透光性的导电层的材料(以下称为透光性的导电材料)，可以列举出以氧化铟(in2o3)为母材、且添加了锡(sn)、锗(ge)、钼(mo)、氟(f)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、铌(nb)、钽(ta)、钨(w)、碲(te)中的一种以上作为掺杂剂的材料。

或者，作为构成高电阻导电膜265的透光性的导电材料，可以列举出以氧化锌(zno)为母材、且添加了铝(al)、镓(ga)、硼(b)、铟(in)、钇(y)、钪(sc)、氟(f)、钒(v)、硅(si)、锗(ge)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)中的一种以上的材料。

或者，作为构成高电阻导电膜265的透光性的导电材料，可以列举出以氧化锡(sno2)为母材、且添加了锑(sb)、氟(f)、砷(as)、铌(nb)、钽(ta)中的一种以上的材料。

在这些透光性的导电材料中添加二氧化硅(sio2)作为高电阻成分。确定氧化铟(in2o3)、氧化锌(zno)以及氧化锡(sno2)中的一种以上的母材、上述的掺杂剂以及作为高电阻成分的二氧化硅(sio2)的配合比率，以成为规定的薄层电阻。

具体而言，构成高电阻导电膜265的有机导电膜是包含pedot(poly-3,4-ethylenedioxythiophene：聚(3,4-乙烯二氧噻吩))-pss(polystyrenesulfonate：聚苯乙烯磺盐)等的导电性高分子材料。作为导电材料，使用在pedot-pss中添加了碱金属、高电阻成分的材料。碱金属例如是锂(li)、钠(na)、钾(k)。高电阻成分例如是teos(tetraethylorthosilicate：硅酸乙酯)。

像这样，实施方式1的变形例所涉及的显示装置1a具备：透光性的高电阻导电膜265(第一导电层)，设置在基板10的一面10a侧，并覆盖阴极电极55；以及遮光性的导电层260(第二导电层)，设置在基板10的一面10a侧，并与高电阻导电膜265连接。导电层260配置于周边区域ga。由此，导电层260能够使静电从显示区域aa流向周边区域ga。另外，导电层260是遮光性的。导电层260遮挡外部光向周边区域ga的入射。由此，在周边区域ga，能够防止光在布线的表面的反射。

(实施方式2)

实施方式所涉及的显示装置也可以具备抑制外部光的反射的圆偏光板。图9是示出实施方式2所涉及的显示装置1b的构成例的剖视图。如图9所示，实施方式2所涉及的显示装置1b具备透光性的平坦化层170、透光性的粘接层180以及圆偏光板190。平坦化层170是绝缘性的树脂。平坦化层170设置在阴极电极55e上。平坦化层170具有接触孔h11，使基板10的一面10a侧平坦化。

粘接层180是用于将圆偏光板190安装在基板10的一面10a侧的偏光板糊。粘接层180是导电性的树脂，例如是含有导电物质的丙烯酸系聚合物。粘接层180的薄层电阻值比阴极电极55e的薄层电阻值高。粘接层180的薄层电阻值为10¹²ω/□以下。粘接层180设置在平坦化层170上。

圆偏光板190例如具备直线偏光板以及设置在直线偏光板的一面侧的1/4相位差板(也称为1/4波长板)。1/4相位差板位于比直线偏光板更靠近基板10侧的位置。例如，外部光(入射光)通过直线偏光板，由此被变更为直线偏光。直线偏光通过1/4相位差板，由此被变更为圆偏光。圆偏光被布线反射，成为与入射光反向的圆偏光(反射光)。反射光再次通过1/4相位差板，由此成为与入射时正交的直线偏光，被直线偏光板吸收。由此，在显示装置1中，能够抑制外部光的反射。

在圆偏光板190上设置有粘接层150。粘接层150可以是导电性的，也可以是绝缘性的。

从罩部件160侧施加于显示装置1b的静电流过导电性的粘接层180。粘接层180的薄层电阻值比阴极电极55e的薄层电阻值高。因此，静电在流过粘接层180的过程中电压衰减。由此，显示装置1b能够在短时间内除去静电，能够减少施加于无机发光元件100的静电。由此，显示装置1b能够提高esd耐性。

像这样，实施方式2所涉及的显示装置1b具备圆偏光板190，该圆偏光板190设置在基板10与罩部件160之间。粘接层180(第一导电层)设置在基板10与圆偏光板190之间，将圆偏光板190粘接至基板10的一面10a侧。由此，圆偏光板190吸收通过圆偏光板190并在布线的表面反射的反射光。由此，例如，即使在室外外部光(例如，强可见光)入射到显示装置1b的画面，显示装置1b也能够抑制外部光的反射并抑制亮度的降低。由此，显示装置1b能够提高图像的对比度，能够抑制图像品质的降低。另外，由于不需要用于粘接圆偏光板190的专用的粘接层，因此能够实现显示装置1b的薄型化。

图10是示出实施方式2的变形例所涉及的显示装置的剖视图。如图10所示，实施方式2的变形例所涉及的显示装置1c具备遮光性的导电层220。导电层220设置在周边区域ga的阴极电极55e上。导电层220具有接触孔h11，使基板10的一面10a侧平坦化。另外，导电层220覆盖阴极布线60的上方。导电层220例如是导电性黑矩阵。在周边区域ga，导电层220的侧面与平坦化层170的侧面相接。

导电层220在接触孔h11的底部经由阴极电极55e与阴极布线60连接。阴极布线60与固定电位(例如，接地电位)连接。由此，显示装置1c能够将流过粘接层150的静电释放到接地电位，能够进一步减少施加于无机发光元件100的静电。显示装置1c能够进一步提高esd耐性。

另外，导电层220配置于周边区域ga。由此，导电层220能够使静电从显示区域aa流向周边区域ga。另外，导电层220是遮光性的。导电层220遮挡外部光向周边区域ga的入射。由此，在周边区域ga，能够防止光在布线的表面的反射。

需要说明的是，也可以在圆偏光板190的表面设置薄层电阻值比阴极电极55e高的导电层(例如，粘接层150)。该导电层的薄层电阻值为10¹²ω/□以下。由此，即使在粘接层180为绝缘性的情况下，也使得静电在流过设置在圆偏光板190的表面的导电层的过程中电压衰减。

(实施方式3)

图11是示出实施方式3所涉及的显示装置的构成例的剖视图。如图11所示，实施方式3所涉及的显示装置1d具有导电层230(第三导电层)。导电层230设置在位于基板10的一面10a的相反侧的另一面10b侧。导电层230的电阻值为0.1ω以上且1000ω以下。导电层230例如由ti或al等构成。

由此，施加于基板10的另一面10b侧的静电在流过导电层230的过程中电压衰减。由此，显示装置1d能够在短时间内除去静电，能够减少施加于无机发光元件100的静电。

需要说明的是，在图11中，示出了在基板10的另一面10b的整个面上设置有导电层230的方式，但这仅是一个示例。导电层230也可以不设置在基板10的另一面10b的整个面上，而是设置在一部分面上，例如与显示区域aa相对的区域等。

图12是示出实施方式3的变形例所涉及的显示装置的剖视图。图13是示出实施方式3的变形例所涉及的显示装置的俯视图。将图13以xii-xii’线切断后的剖面与图12对应。如图12所示，实施方式3的变形例所涉及的显示装置1e具备将导电层230与阴极布线60连接的遮光性的导电层240。导电层240在显示装置1e的侧面覆盖从导电层230到粘接层150的范围。如图13所示，导电层240覆盖显示装置1e的周围。例如，在显示装置1e的俯视观察时的形状是矩形的情况下，导电层240连续地覆盖矩形的三个边。需要说明的是，导电层230只要与阴极布线60或阴极电极55e连接即可，也可以不覆盖粘接层150或平坦化层80的侧面。另外，也可以局部地覆盖显示装置1e的周围的一部分。

像这样，实施方式3的变形例所涉及的显示装置1e具备遮光性的导电层240(第四导电层)，该导电层240配置于基板10的侧面并与导电层230连接。由此，导电层230经由导电层240与阴极布线60连接。阴极布线60与接地电位(固定电位)连接。由此，显示装置1e能够将流过导电层230的静电释放到接地电位，能够防止无机发光元件100由于静电等电磁噪声而被破坏。显示装置1e能够进一步提高esd耐性。

另外，由于导电层240是遮光性的，因此能够防止无机发光元件100发出的光从基板10的周围向外侧漏出。

(实施方式4)

图14是示出实施方式4所涉及的显示装置的构成例的剖视图。图15是示出实施方式4所涉及的像素的构成例的俯视图。如图14所示，实施方式4所涉及的显示装置1f具备遮光性的导电层250(第一导电层)，该导电层250配置在阴极电极55e上。导电层250的薄层电阻值比阴极电极55e的薄层电阻值高。导电层250的薄层电阻值为10¹²ω/□以下。导电层250例如是导电性黑矩阵。另外，导电层250具有在无机发光元件100的上方开口的开口部h250。粘接层150经由开口部h250与阴极电极55e相接。

如图15所示，遮光性的导电层250覆盖像素pix。在俯视观察时，开口部h250以分别包围无机发光元件100r、100g、100b的方式配置。由此，无机发光元件100r、100g、100b发出的光能够通过开口部h250向罩部件160侧射出。

另外，构成像素pix的像素电路的布线被遮光性的导电层250覆盖。构成像素电路的布线例如是第一栅极线gcl1、第二栅极线gcl2、信号线sgl以及电源线lvdd(布线)等。由此，减少了基于布线的外部光的反射，因此图像的对比度提高，显示装置1f的图像品质提高。

(实施方式5)

实施方式所涉及的无机发光元件并不限定于图6所示的方式。无机发光元件的构成也可以是图16所示的方式。图16是示出实施方式5所涉及的无机发光元件的构成例的剖视图。如图16所示，实施方式5所涉及的无机发光元件100a具有基板111、缓冲层112、n型包覆层113、活性层114、p型包覆层115、p型电极层116(阳极端子50p)以及n型电极层117(阴极端子55p)。从基板111的一面侧依次层叠有缓冲层112、n型包覆层113、活性层114、p型包覆层115、p型电极层116。另外，在n型包覆层113上设置有从活性层114露出的区域。在该区域设置有n型电极层117。

例如，基板111由蓝宝石构成。n型包覆层113由n型的gan构成。活性层114由ingan构成。p型包覆层115由p型的gan构成。p型电极层116由钯(pd)和金(au)构成，且具有在pd上层叠了au的层叠结构。n型电极层117由铟(in)构成。

在无机发光元件100a中，p型包覆层115与n型包覆层113不直接接合，而是在两者之间导入其他层(活性层114)。由此，能够使电子、空穴等载流子集中在活性层114中，使其能够高效地再结合(发光)。为了实现高效率化，也可以采用多量子阱结构(mqw结构)作为活性层114，多量子阱结构通过由几个原子层构成的阱层和势垒层周期性地层叠而成。

(变形例)

本实施方式所涉及的像素电路的构成并不限定于图3。图17是示出实施方式的变形例所涉及的像素电路的电路图。如图17所示，实施方式的变形例所涉及的像素电路pica具有驱动晶体管tr6、点亮开关tr7、写入开关tr8、发光控制开关tr9、初始化开关tr10以及复位开关tr11。

无机发光元件100的阴极(阴极端子90p)与电源线274连接。另外，无机发光元件100的阳极(阳极端子50p)经由驱动晶体管tr6和点亮开关tr7与电源线276连接。

电源线276从驱动电源被施加规定的高电位作为驱动电位vdd，电源线274从电源电路被施加规定的低电位作为基准电位vss。

无机发光元件100通过这些驱动电位vdd与基准电位vss的电位差(vdd-vss)被供给正向电流(驱动电流)而发光。即，驱动电位vdd相对于基准电位vss具有使无机发光元件100发光的电位差。无机发光元件100通过在阳极端子50p-阴极端子90p之间并联连接电容291而构成等效电路。另外，在无机发光元件100的阳极端子50p与供给驱动电位vdd的电源线276之间设置有附加电容299。需要说明的是，电容291也可以与阳极端子50p和阴极端子90p以外的基准电位连接。

在本实施方式中，驱动晶体管tr6、点亮开关tr7以及发光控制开关tr9分别由n型tft构成。驱动晶体管tr6的源极电极与无机发光元件100的阳极端子50p连接，漏极电极与发光控制开关tr9的源极电极连接。发光控制开关tr9的栅极电极与发光控制线279连接。发光控制开关tr9的漏极电极与点亮开关tr7的源极电极连接。点亮开关tr7的栅极电极与点亮控制线266连接。点亮开关tr7的漏极电极与电源线276连接。复位开关tr11的栅极电极与复位控制线270连接。写入开关tr8的栅极电极与写入控制线268连接。初始化开关tr10的栅极电极与初始化控制线314连接。

另外，驱动晶体管tr6的漏极电极也经由复位开关tr11与复位电源连接。在本变形例中，为每个像素行设置了复位线278和复位开关tr11。各复位线278沿着像素行延伸，经由该像素行的发光控制开关tr9，与该像素行的驱动晶体管tr6的漏极电极共同地连接。即，构成像素行的多个像素49共用复位线278和复位开关tr11。复位开关tr11例如配置在像素行的端部，切换复位线278与复位电源之间的连接/断开，即它们之间是连接还是断开。在本变形例中，复位开关tr11与驱动晶体管tr6、点亮开关tr7以及发光控制开关tr9同样地由n型tft构成。

作为驱动晶体管tr6的控制端子的栅极电极经由写入开关tr8与影像信号线272连接，经由初始化开关tr10与初始化信号线310连接。在驱动晶体管tr6的栅极电极与源极电极之间，连接有保持电容298。在本实施方式中，写入开关tr8以及初始化开关tr10与驱动晶体管tr6、点亮开关tr7以及复位开关tr11同样地由n型tft构成。

需要说明的是，在本实施方式中，示出了驱动晶体管tr6、点亮开关tr7、复位开关tr11、写入开关tr8、发光控制开关tr9以及初始化开关tr10由n型tft构成的电路示例，但不限于此。例如，驱动晶体管tr6、点亮开关tr7、复位开关tr11、写入开关tr8、发光控制开关tr9以及初始化开关tr10也可以是由p型tft构成的电路。另外，也可以是组合了p型tft和n型tft的电路构成。

在图17中，作为各种信号，示出了针对写入开关tr8的写入控制信号sg、针对点亮开关tr7的点亮控制信号bg、针对复位开关tr11的复位控制信号rg、针对发光控制开关tr9的发光控制信号cg以及针对初始化开关tr10的初始化控制信号ig。

在本变形例中，从开头行(例如，在图1中的显示区域aa中位于最上部的像素行)依次选择多个像素行，对于每一帧的图像重复进行将影像电压信号vsig的电位vsig(影像写入电位)写入所选择的像素行的像素49中并使无机发光元件100发光的动作。驱动电路在每一个水平扫描期间，对影像信号线272施加影像电压信号vsig的电位vsig(影像写入电位)，对初始化信号线310施加初始化电压信号vini的电位vini(初始化电位)。

详细而言，本变形例中的写入动作被分为复位动作、偏差消除动作、影像信号设置动作。复位动作是将由电容291、保持电容298以及附加电容299保持的电压复位的动作。偏差消除动作是补偿驱动晶体管tr6的阈值电压vth的偏差的动作。影像信号设置动作是将影像电压信号vsig的电位vsig(影像写入电位)写入像素49中的动作。

对每个像素行依次进行上述的写入动作(复位动作、偏差消除动作、影像信号设置动作)以及发光动作。例如以影像信号的一个水平扫描期间为周期依次选择像素行，以一帧周期重复进行每个像素行的写入动作以及发光动作。

各像素行的可发光期间被设定在从上述的影像信号设置动作结束起到下一帧的图像的该像素行的写入动作开始为止的期间内。显示装置1设置有：发光期间，在可发光期间，使无机发光元件100以与写入各像素49中的影像电压信号vsig的电位vsig(影像写入电位)相应的强度发光；非发光期间，强制地停止向无机发光元件100供给的驱动电流。具体而言，在发光期间，通过将发光控制信号cg设为高电平而使发光控制开关tr9导通，从而从驱动电源向无机发光元件100供给正向电流(驱动电流)，在非发光期间，通过将发光控制信号cg设为低电平而关断发光控制开关tr9，从而将驱动电源与保持导通状态的驱动晶体管tr6之间断开，强制地停止向无机发光元件100供给的正向电流(驱动电流)。

以上，对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明并不限定于这样的实施方式。在实施方式中公开的内容仅是一个示例，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变更。可以将实施方式和变形例组合，也可以将变形例彼此组合。在不脱离本发明的主旨的范围内进行的适当的变更当然也属于本发明的技术范围。在不脱离上述的实施方式以及各变形例的主旨的范围内，能够进行构成要素的各种省略、替换以及变更中的至少一个。

附图标记说明

1、1a、1b、1c、1d、1e、1f…显示装置；2…阵列基板；10…基板；20…底涂层；21…第一栅极电极；25…半导体层；31…第二栅极电极；41d…漏极电极；41s…源极电极；43d…漏极连接布线；43s…源极连接布线；49…像素；49r…第一像素；49g…第二像素；49b…第三像素；50…阳极电极；55…阴极电极；60…阴极布线；80、170…平坦化层；100…无机发光元件；150…粘接层；160…罩部件；180…粘接层；190…圆偏光板；220、230、240、250、260…导电层；265…高电阻导电膜。

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